技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種低電容雙向TVS器件，TVS器件為雙向?qū)ΨQ結構，包括反向并聯(lián)的兩個低電容二極管，兩個低電容二極管均與TVS二極管串聯(lián)；本發(fā)明還提供一種低電容雙向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步驟：襯底材料準備、襯底氧化、P+型埋層區(qū)光刻、P+型埋層區(qū)硼離子注入及推結、外延生長、外延層氧化、隔離區(qū)光刻、磷離子注入及推結、N?基區(qū)光刻、磷離子注入及推結、N基區(qū)光刻、磷離子注入及推結、P型基區(qū)光刻、硼離子注入及推結、P+注入?yún)^(qū)光刻、硼離子注入及推結、N+注入?yún)^(qū)光刻、磷離子注入及推結、引線孔光刻、蒸鋁、鋁反刻、減薄、背面金屬化。本發(fā)明滿足通訊設備的高頻率工作要求，不會因為寄生電容過大而導致傳輸信號失真。

技術研發(fā)人員：鄒有彪;徐玉豹;童懷志;劉宗賀;廖航;王泗禹;王禺
受保護的技術使用者：安徽富芯微電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.22
技術公布日：2017.09.26