技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種紫外LED倒裝芯片，包括從下往上依次設(shè)置的基板、布線層和芯片外延層；本發(fā)明通過(guò)刻蝕工藝將芯片外延層的一部分去除，形成用于設(shè)置n電極的n型半導(dǎo)體區(qū)域，并在芯片外延層內(nèi)分別設(shè)有貫穿n型AlGaN層的第一內(nèi)部接觸層和貫穿n型AlGaN層至透明導(dǎo)電層的第二內(nèi)部接觸層，使芯片內(nèi)部形成用于釋放高壓靜電的電流釋放通道，從而避免芯片遭受靜電的危害；另外，反射層的設(shè)置可以最大限度反射向下射出的光線，有效提高芯片的出光率；透明導(dǎo)電層可以增大與p電極之間的接觸面積，獲得更好的散熱效果；最后，本發(fā)明通過(guò)設(shè)置電流擴(kuò)展層和電子阻擋層，加強(qiáng)芯片內(nèi)部載流子向上流動(dòng)的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。

技術(shù)研發(fā)人員：何苗;楊思攀;熊德平;王成民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.19
技術(shù)公布日：2017.09.22