技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種發(fā)二極管的外延片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，所述發(fā)光層包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，所述多個(gè)量子阱層和所述多個(gè)量子壘層交替層疊設(shè)置，所述量子壘層為氮化鎵層，所述多個(gè)量子阱層中與所述N型氮化鎵層距離最近的至少三個(gè)所述量子阱層為第一量子阱層，所述多個(gè)量子阱層中除所述第一量子阱層之外的所述量子阱層為第二量子阱層，所述第一量子阱層為未摻雜的銦鎵氮層，所述第二量子阱層包括P型摻雜的銦鎵氮層。本發(fā)明增加量子阱層中的空穴數(shù)量，提高空穴和電子復(fù)合發(fā)光的效率。

技術(shù)研發(fā)人員：劉華容;萬林;胡加輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.09
技術(shù)公布日：2017.11.07