一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室、方法及半導(dǎo)體制造設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室、方法及半導(dǎo)體制造設(shè)備，涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。本發(fā)明提供的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室包括：反應(yīng)腔體；設(shè)置于所述反應(yīng)腔體內(nèi)部的位置可調(diào)的支撐平臺；其中，所述反應(yīng)腔體被分成至少兩個(gè)不同的反應(yīng)區(qū)域，每個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng)設(shè)置有加熱器，以保證在進(jìn)行鍺硅外延生長時(shí)在不同的所述反應(yīng)區(qū)域形成不同的反應(yīng)溫度；所述支撐平臺用于支撐和固定進(jìn)行鍺硅外延生長的晶圓，其可以被調(diào)節(jié)至任何一個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域。該反應(yīng)室可以使晶圓在每個(gè)反應(yīng)階段被快速調(diào)節(jié)至具有所需溫度的區(qū)域，提高了鍺硅外延生長的效率。本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備以及用于鍺硅外延生長的方法，使用了上述的反應(yīng)室，同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室、方法及半導(dǎo)體制造設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室、方 法及半導(dǎo)體制造設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002] 在未來的一段時(shí)間內(nèi)，娃基互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS)場效應(yīng)晶體管技術(shù) 仍將是集成電路制造的主流技術(shù)。當(dāng)如研究集成電路基礎(chǔ)技術(shù)的目標(biāo)在于獲得更1?的單兀 集成度、更高的電路速度、更低的單位功能的功耗和單位功能成本。在器件尺寸等比縮小的 過程中，更高的集成度與工作頻率意味著更大的功耗，減小電源電壓VDD是減小電路功耗 的一般選擇，但VDD的降低會導(dǎo)致器件的驅(qū)動能力和速度下降。減小閾值電壓、減薄柵介質(zhì) 厚度可提高器件的電流驅(qū)動能力，但同時(shí)會導(dǎo)致亞閾值漏電流和柵極漏電流的增加，從而 增大靜態(tài)功耗，這就是目前1C面臨的"功耗-速度"困境。
[0003] 提高器件溝道遷移率是解決上述困境的關(guān)鍵。在溝道遷移率大幅度提升的基礎(chǔ) 上，一方面可以采用較低的VDD和較高的閾值漏電壓，同時(shí)又可以保證器件有足夠的電流 驅(qū)動能力和速度。對于PM0S晶體管來說，嵌入式鍺硅（SiGe)技術(shù)能有效提高空穴遷移率， 從而提高PM0S晶體管的性能。所謂嵌入式鍺硅技術(shù)是指在緊鄰PM0S晶體管溝道的硅襯底 中形成SiGe外延層，SiGe外延層會對溝道產(chǎn)生壓應(yīng)力，從而提高空穴的遷移率。應(yīng)用嵌入 式鍺硅技術(shù)來增強(qiáng)PM0S的溝道的壓應(yīng)力的技術(shù)方案，在45nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體器 件中，具有更有效的技術(shù)效果。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中，在半導(dǎo)體器件的制程中，進(jìn)行鍺硅外延生長（印i)需要在反應(yīng)室內(nèi)進(jìn) 行?，F(xiàn)有的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室如圖1所示，該反應(yīng)室100包括反應(yīng)腔體101，固定 于反應(yīng)腔體101內(nèi)的支撐平臺102,設(shè)置于反應(yīng)腔體101四周的加熱器103。其中支撐平臺 102用于支撐進(jìn)行鍺硅外延生長的晶圓400 (晶圓400并非反應(yīng)室100的組成部分)，如圖1 所示。在現(xiàn)有技術(shù)中，支撐平臺102是固定于反應(yīng)腔體101內(nèi)部的，其位置不能改變。在現(xiàn) 有技術(shù)中，在反應(yīng)過程（即進(jìn)行鍺硅外延生長的過程)中，反應(yīng)腔體101內(nèi)部各個(gè)位置的溫度 是趨于一致的。然而，在鍺硅外延生長的不同反應(yīng)階段，比如待機(jī)(指反應(yīng)室的待機(jī)階段，即 未進(jìn)行鍺娃外延生長)、前烘（pre-bake,即反應(yīng)前對晶圓的預(yù)烘烤)、種子層（seed layer, 具體指形成種子層的階段)、主體層（bulk layer，具體指形成主體層的階段)、蓋帽層（即最 終形成鍺硅的蓋帽層的階段)，需要的反應(yīng)溫度是不同的，相關(guān)的溫度關(guān)系可以參照圖2。因 此，現(xiàn)有技術(shù)中必須通過不斷改變加熱器103的溫度來改變反應(yīng)腔體101的內(nèi)部溫度。然 而，由于加熱器103本身并不能快速改變溫度，造成反應(yīng)腔體101也無法快速改變內(nèi)部的反 應(yīng)溫度，尤其當(dāng)需要將反應(yīng)腔體101的內(nèi)部溫度調(diào)低的時(shí)候，這就導(dǎo)致每一個(gè)反應(yīng)階段(需 要的時(shí)間為工藝時(shí)間）進(jìn)行之前，都需要有一個(gè)準(zhǔn)備時(shí)間，如圖2所示。用于改變反應(yīng)腔體 101內(nèi)的反應(yīng)溫度的"準(zhǔn)備時(shí)間"，實(shí)際上占用了整個(gè)鍺硅外延生長工藝時(shí)間的很大一部分， 其嚴(yán)重制約了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率，影響了單位時(shí)間內(nèi)的半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量。
[0005] 可見，現(xiàn)有技術(shù)中用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，由于無法在鍺硅外延生成的每個(gè) 反應(yīng)階段快速調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度，制約了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率，影響了單位時(shí)間內(nèi)的半導(dǎo)體 器件的產(chǎn)量。因此，為解決上述問題，有必要提出一種新的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室、方法及半導(dǎo) 體制造設(shè)備。
[0007] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，所述反應(yīng)室包括：
[0008] 反應(yīng)腔體；
[0009] 設(shè)置于所述反應(yīng)腔體內(nèi)部的位置可調(diào)的支撐平臺；
[0010] 其中，所述反應(yīng)腔體被分成至少兩個(gè)不同的反應(yīng)區(qū)域，每個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng) 設(shè)置有加熱器，以保證在進(jìn)行鍺硅外延生長時(shí)在不同的所述反應(yīng)區(qū)域形成不同的反應(yīng)溫 度；
[0011] 所述支撐平臺用于支撐和固定進(jìn)行鍺硅外延生長的晶圓，其可以被調(diào)節(jié)至任何一 個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域。
[0012] 其中，所述反應(yīng)室還包括用于監(jiān)測所述反應(yīng)腔體的反應(yīng)溫度的溫度監(jiān)測裝置。
[0013] 其中，所述溫度監(jiān)測裝置為多個(gè)，并且每個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng)設(shè)置有至少一個(gè) 所述溫度監(jiān)測裝置。
[0014] 其中，所述溫度監(jiān)測裝置可以在不同的所述反應(yīng)區(qū)域之間移動。
[0015] 其中，所述支撐平臺的非支撐面設(shè)置有用于監(jiān)測反應(yīng)溫度的溫度監(jiān)測裝置。
[0016] 其中，所述溫度監(jiān)測裝置為帶有高溫計(jì)的感測器。
[0017] 其中，所述反應(yīng)室還包括：與所述支撐平臺相連的用于調(diào)節(jié)所述支撐平臺在所述 反應(yīng)腔體內(nèi)的位置的電動馬達(dá)。
[0018] 本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，其包括上述任一項(xiàng)所述的用于 鍺硅外延生長的反應(yīng)室。
[0019] 本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供一種用于鍺硅外延生長的方法，其使用上述任一所述 的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室來實(shí)現(xiàn)，包括如下步驟：
[0020] 步驟S101 :將所述反應(yīng)室的反應(yīng)腔體的不同反應(yīng)區(qū)域的溫度調(diào)節(jié)至鍺硅外延生 長的不同反應(yīng)階段所需的反應(yīng)溫度；
[0021] 步驟S102 :通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至具有第一反應(yīng)階段所需反應(yīng) 溫度的反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)；
[0022] 步驟S103 :待第一反應(yīng)階段結(jié)束后，立即通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至 具有第二反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)。
[0023] 其中，在所述步驟S103之后還包括步驟S104 :
[0024] 重復(fù)上述過程，待某一反應(yīng)階段結(jié)束立即通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至 具有下一反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域，直至完成鍺硅的外延生長。
[0025] 本發(fā)明的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，可以使晶圓在鍺硅外延生成的每個(gè)反應(yīng)階 段被快速調(diào)節(jié)至具有所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域，提高了鍺硅外延生長的效率，進(jìn)而提高了 半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備以及用于鍺硅外延生長的方法，同樣具 有上述優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0027] 附圖中：
[0028] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖2為利用現(xiàn)有技術(shù)的反應(yīng)室進(jìn)行鍺硅外延生長時(shí)各階段的溫度和時(shí)間關(guān)系示 意圖；
[0030] 圖3為本發(fā)明提出的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖4為利用本發(fā)明的反應(yīng)室進(jìn)行鍺硅外延生長時(shí)各階段的溫度和時(shí)間關(guān)系示意 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032] 在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然 而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以 實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn) 行描述。
[0033] 應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的 實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給 本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0034] 在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使 用時(shí)，單數(shù)形式的"一"、"一個(gè)"和"所述/該"也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出 另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語"組成"和/或"包括"，當(dāng)在該規(guī)格書中使用時(shí)，確定所述特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操 作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語"和/或"包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任 何及所有組合。
[0035] 除非另外定義，在此使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）具有與本發(fā)明領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還將理解，諸如普通使用的字典中所定義的術(shù) 語應(yīng)當(dāng)理解為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和/或本規(guī)格書的環(huán)境中的含義一致的含義，而不能 在理想的或過度正式的意義上解釋，除非這里明示地這樣定義。
[0036] 為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便 闡釋本發(fā)明提出的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室、方法及半導(dǎo)體制造設(shè)備。本發(fā)明的較佳實(shí) 施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0037] 實(shí)施例一
[0038] 下面，參照圖3和圖4來描述本發(fā)明實(shí)施例提出的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室的 示例性結(jié)構(gòu)。其中，圖3為本發(fā)明提出的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為 利用本發(fā)明的反應(yīng)室進(jìn)行鍺硅外延生長時(shí)各階段的溫度和時(shí)間關(guān)系示意圖。
[0039] 本實(shí)施例的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室如圖3所示，該反應(yīng)室200包括：反應(yīng)腔 體201，設(shè)置于反應(yīng)腔體201內(nèi)部的位置可調(diào)的支撐平臺202 ;該反應(yīng)腔體201被分成N個(gè) 不同的反應(yīng)區(qū)域，如圖3中各虛線所分隔的區(qū)域，其中N為大于等于2的自然數(shù)；即反應(yīng)區(qū) 域至少為兩個(gè)。其中，每個(gè)反應(yīng)區(qū)域(簡稱"區(qū)域")均設(shè)置有加熱器203,以保證在進(jìn)行反應(yīng) (即鍺硅外延生長）時(shí)可以在反應(yīng)腔體201的N個(gè)不同的區(qū)域形成不同的溫度，即可以將不 同反應(yīng)區(qū)域的溫度調(diào)節(jié)至鍺硅外延生長的不同反應(yīng)階段（比如待機(jī)、前烘、種子層、主體層、 蓋帽層階段）所需要的反應(yīng)溫度。支撐平臺202用于支撐和固定進(jìn)行鍺硅外延生長的晶圓 600 (晶圓600并非反應(yīng)室200的組成部分)，由于支撐平臺202的位置可調(diào)，其可以根據(jù)對 反應(yīng)溫度的實(shí)際需要被調(diào)節(jié)至該N個(gè)不同的區(qū)域。在本實(shí)施例中，示例性的，支撐平臺202 可以通過電動馬達(dá)（圖中未示出）進(jìn)行位置調(diào)節(jié)（即反應(yīng)室200還包括與支撐平臺202相連 的用于調(diào)節(jié)位置的電動馬達(dá)，該電動馬達(dá)可以設(shè)置于反應(yīng)腔體之上）；當(dāng)然，還可以通過其 他可行方式（比如手動調(diào)節(jié)等）進(jìn)行調(diào)節(jié)，此處不做限定。
[0040] 進(jìn)一步的，該反應(yīng)室200還包括用于監(jiān)測反應(yīng)腔體201的內(nèi)部溫度（即反應(yīng)溫度） 的溫度監(jiān)測裝置204。示例性的，溫度監(jiān)測裝置204設(shè)置于支撐平臺202的非支撐面（即除 用于支撐晶圓600的表面之外的位置)，比如下表面，如圖3所示。當(dāng)溫度監(jiān)測裝置204設(shè) 置于支撐平臺202的之上，可以即時(shí)監(jiān)測晶圓600所處的反應(yīng)區(qū)域的反應(yīng)溫度，可以更好地 控制反應(yīng)溫度，提高產(chǎn)品良率。此外，溫度監(jiān)測裝置204還可以設(shè)置于反應(yīng)腔體201內(nèi)的其 他位置，當(dāng)溫度監(jiān)測裝置204為一個(gè)或數(shù)量少于反應(yīng)區(qū)域時(shí)，應(yīng)保證溫度監(jiān)測裝置204可以 移動，以即時(shí)監(jiān)控每一個(gè)反應(yīng)區(qū)域的溫度。當(dāng)然，也可以在每個(gè)反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng)設(shè)置至少一 個(gè)溫度監(jiān)測裝置，以便更好地即時(shí)監(jiān)測各個(gè)反應(yīng)區(qū)域的溫度。當(dāng)然，當(dāng)各個(gè)反應(yīng)區(qū)域均設(shè)置 有溫度監(jiān)測裝置時(shí)，仍可以在支撐平臺202至少設(shè)置溫度監(jiān)測裝置，如此設(shè)置可以同時(shí)即 時(shí)監(jiān)測晶圓600所處的反應(yīng)區(qū)域的反應(yīng)溫度以及各個(gè)反應(yīng)區(qū)域的溫度，具有更好的技術(shù)效 果。
[0041] 示例性的，上述的溫度監(jiān)測裝置，可以為帶有高溫計(jì)的感測器。
[0042] 需要指出的是，雖然在圖3中示出了區(qū)域1、區(qū)域2、區(qū)域3……區(qū)域N(即反應(yīng)區(qū)域 大于3)，但圖3僅僅為示意之用的一個(gè)例子，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，"反應(yīng)區(qū)域"可以為2個(gè)或3個(gè)， 也可以為更多個(gè)。并且，加熱器203并不一定設(shè)置于反應(yīng)腔體201的外部，也可以根據(jù)實(shí)際 需要設(shè)置于反應(yīng)腔體201的內(nèi)部，以節(jié)省熱量。在圖3中，反應(yīng)腔體201內(nèi)的帶箭頭的虛線， 表示反應(yīng)氣體的流向。本實(shí)施例的反應(yīng)室200,其他部分與現(xiàn)有技術(shù)中的反應(yīng)室（比如圖1) 的結(jié)構(gòu)基本相同，在此不再贅述。當(dāng)然，后續(xù)針對用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室的其他改進(jìn)， 如果不破壞本發(fā)明的設(shè)計(jì)點(diǎn)，也可以應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)室200。
[0043] 本實(shí)施例的用于鍺娃外延生長的反應(yīng)室，由于反應(yīng)腔體201被分成N個(gè)不同的反 應(yīng)區(qū)域，每個(gè)反應(yīng)區(qū)域可以設(shè)置為不同的反應(yīng)溫度，而設(shè)置于反應(yīng)腔體201內(nèi)部的支撐平 臺202的位置可調(diào)，因此可以將晶圓在鍺硅外延生長的不同反應(yīng)階段快速調(diào)節(jié)至所需要的 反應(yīng)溫度，省去了現(xiàn)有技術(shù)中的每個(gè)階段的"準(zhǔn)備時(shí)間"，而在不同的反應(yīng)區(qū)域之間調(diào)節(jié)晶 圓的位置所耗費(fèi)的時(shí)間幾乎可以忽略。利用本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)室進(jìn)行鍺硅外延生長，各 階段的溫度和時(shí)間關(guān)系的示意圖如圖4所示。顯然，本發(fā)明實(shí)施例的用于鍺硅外延生長的 反應(yīng)室，可以使晶圓在鍺硅外延生成的每個(gè)反應(yīng)階段被快速調(diào)節(jié)至具有所需反應(yīng)溫度的反 應(yīng)區(qū)域，提1? 了錯(cuò)娃外延生長的效率，進(jìn)而提1? 了半導(dǎo)體器件的生廣效率，也即提1? 了單位 時(shí)間內(nèi)的半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量。
[0044] 實(shí)施例二
[0045] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，其包括上述實(shí)施例一的用于鍺硅外延生 長的反應(yīng)室。
[0046] 其中，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備，即半導(dǎo)體器件的制造設(shè)備，可以為包括上 述反應(yīng)室的單體設(shè)備，也可以為包括上述反應(yīng)室的整個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)線，此處不做限定。
[0047] 本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備，由于包括實(shí)施例一的用于鍺硅外延生長的反應(yīng) 室，可以提高鍺硅外延生長的效率，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。
[0048] 實(shí)施例三
[0049] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于鍺硅外延生長的方法，其可以使用上述實(shí)施例一所述 的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室。該方法包括如下步驟：
[0050] 步驟一、將反應(yīng)室的反應(yīng)腔體的不同反應(yīng)區(qū)域的溫度調(diào)節(jié)至鍺硅外延生長的不同 反應(yīng)階段所需的反應(yīng)溫度；
[0051] 步驟二、通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至具有第一反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度 的反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)；
[0052] 步驟三、待第一反應(yīng)階段結(jié)束后立即通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至具有 第二反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)；
[0053] 步驟四、重復(fù)上述過程，待某一反應(yīng)階段結(jié)束立即通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶 圓調(diào)節(jié)至具有下一反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域，直至完成鍺硅的外延生長。
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例的用于鍺硅外延生長的方法，可以使晶圓在鍺硅外延生成的每個(gè)反 應(yīng)階段快速調(diào)節(jié)至具有所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域，可以提高鍺硅外延生長的效率，進(jìn)而提 高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。
[0055] 本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于 舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的 變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由 附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述反應(yīng)室包括： 反應(yīng)腔體； 設(shè)置于所述反應(yīng)腔體內(nèi)部的位置可調(diào)的支撐平臺； 其中，所述反應(yīng)腔體被分成至少兩個(gè)不同的反應(yīng)區(qū)域，每個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng)設(shè)置 有加熱器，以保證在進(jìn)行鍺硅外延生長時(shí)在不同的所述反應(yīng)區(qū)域形成不同的反應(yīng)溫度； 所述支撐平臺用于支撐和固定進(jìn)行鍺硅外延生長的晶圓，其可以被調(diào)節(jié)至任何一個(gè)所 述反應(yīng)區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述反應(yīng)室還包括 用于監(jiān)測所述反應(yīng)腔體的反應(yīng)溫度的溫度監(jiān)測裝置。
3. 如權(quán)利要求2所述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述溫度監(jiān)測裝置 為多個(gè)，并且每個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng)設(shè)置有至少一個(gè)所述溫度監(jiān)測裝置。
4. 如權(quán)利要求2所述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述溫度監(jiān)測裝置 可以在不同的所述反應(yīng)區(qū)域之間移動。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述支撐平臺的非 支撐面設(shè)置有用于監(jiān)測反應(yīng)溫度的溫度監(jiān)測裝置。
6. 如權(quán)利要求2至5任一項(xiàng)所述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述溫度 監(jiān)測裝置為帶有高溫計(jì)的感測器。
7. 如權(quán)利要求1所述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室，其特征在于，所述反應(yīng)室還包括： 與所述支撐平臺相連的用于調(diào)節(jié)所述支撐平臺在所述反應(yīng)腔體內(nèi)的位置的電動馬達(dá)。
8. -種半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的用于鍺硅外延 生長的反應(yīng)室。
9. 一種用于鍺硅外延生長的方法，其特征在于，所述方法使用權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所 述的用于鍺硅外延生長的反應(yīng)室來實(shí)現(xiàn)，包括如下步驟： 步驟S101 :將所述反應(yīng)室的反應(yīng)腔體的不同反應(yīng)區(qū)域的溫度調(diào)節(jié)至鍺硅外延生長的 不同反應(yīng)階段所需的反應(yīng)溫度； 步驟S102 :通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至具有第一反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度 的反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)； 步驟S103 :待第一反應(yīng)階段結(jié)束后，立即通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至具有 第二反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)。
10. 如權(quán)利要求9所述的用于鍺硅外延生長的方法，其特征在于，在所述步驟S103之后 還包括步驟S104 : 重復(fù)上述過程，待某一反應(yīng)階段結(jié)束立即通過調(diào)節(jié)支撐平臺的位置將晶圓調(diào)節(jié)至具有 下一反應(yīng)階段所需反應(yīng)溫度的反應(yīng)區(qū)域，直至完成鍺硅的外延生長。
【文檔編號】C30B25/10GK104141169SQ201310165713
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月7日
【發(fā)明者】禹國賓, 林靜 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司