本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡(jiǎn)稱：led)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。以氮化鎵(gan)為代表的半導(dǎo)體發(fā)光二極管，具有禁帶寬度大、高電子飽和漂移速度、耐高溫、大功率容量等優(yōu)良特性，在新興的光電產(chǎn)業(yè)中具有廣大的前景。芯片是led最重要的組成部分，外延片是芯片制備的原材料。現(xiàn)有的gan基led外延片通過在異質(zhì)基底(如藍(lán)寶石襯底)上外延生長(zhǎng)u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、p型gan層形成。其中，發(fā)光層包括交替層疊的銦鎵氮(ingan)量子阱層和gan量子壘層，gan量子壘層將n型gan層中的電子和p型gan層中的空穴限制在ingan量子阱層中復(fù)合發(fā)光。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：gan和襯底之間為異質(zhì)材料，晶格失配度大，造成外延片生長(zhǎng)過程中產(chǎn)生應(yīng)力和缺陷，應(yīng)力和缺陷沿外延片的層疊方向延伸到發(fā)光層，加上ingan量子阱層和gan量子壘層之間也存在晶格失配，會(huì)進(jìn)一步加大發(fā)光層中的應(yīng)力和缺陷，導(dǎo)致電子和空穴之間進(jìn)行非輻射復(fù)合，因而減少了電子和空穴的輻射復(fù)合，最終降低了發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種的發(fā)光二極管外延片及其制備方法。所述技術(shù)方案如下：第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、發(fā)光層和p型氮化鎵層，所述外延片還包括缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層，所述缺陷阻擋層層疊在所述n型氮化鎵層上，所述第一應(yīng)力釋放層層疊在所述缺陷阻擋層上，所述第二應(yīng)力釋放層層疊在所述第一應(yīng)力釋放層上，所述第三應(yīng)力釋放層層疊在所述第二應(yīng)力釋放層和所述發(fā)光層之間；所述缺陷阻擋層為摻雜硅的鋁鎵氮層，所述第一應(yīng)力釋放層為摻雜硅的氮化鎵層，所述第二應(yīng)力釋放層包括多個(gè)第一子層和多個(gè)第二子層，多個(gè)所述第一子層和多個(gè)所述第二子層交替層疊設(shè)置，每個(gè)所述第一子層為未摻雜的銦鎵氮層，每個(gè)所述第二子層為摻雜硅的氮化鎵層，所述第三應(yīng)力釋放層為摻雜硅的銦鎵氮層；所述缺陷阻擋層中硅的摻雜濃度低于所述第一應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度，所述第一應(yīng)力釋放層中硅的的摻雜濃度高于各個(gè)所述第二子層中硅的摻雜濃度，各個(gè)所述第二子層中硅的摻雜濃度低于所述第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度?？蛇x地，所述缺陷阻擋層中硅的摻雜濃度為1017cm-3～1018cm-3，所述缺陷阻擋層的厚度為50nm～200nm?？蛇x地，所述第一應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度大于1019cm-3，所述第一應(yīng)力釋放層的厚度為100～300nm?？蛇x地，每個(gè)所述第二子層中硅的摻雜濃度為1017cm-3～1018cm-3，所述第二子層的厚度為50nm～100nm?？蛇x地，所述第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度大于1019cm-3，所述第三應(yīng)力釋放層的厚度為100nm～300nm?？蛇x地，所述第一子層的厚度為1nm～5nm?？蛇x地，所述發(fā)光層包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，多個(gè)所述量子阱層和多個(gè)所述量子壘層交替層疊設(shè)置，每個(gè)所述量子阱層為銦鎵氮層，每個(gè)所述量子壘層為氮化鎵層；各個(gè)所述第一子層中銦組分的含量與每個(gè)所述量子阱層中銦組分的含量之比大于0且小于0.2。可選地，所述第二子層的數(shù)量與所述第一子層的數(shù)量相同，所述第一子層的數(shù)量為2～20個(gè)。第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種如第一方面提供的外延片的制備方法，所述制備方法包括：提供一襯底；在所述襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層、發(fā)光層和p型氮化鎵層；其中，所述缺陷阻擋層為摻雜硅的鋁鎵氮層，所述第一應(yīng)力釋放層為摻雜硅的氮化鎵層，所述第二應(yīng)力釋放層包括多個(gè)第一子層和多個(gè)第二子層，多個(gè)所述第一子層和多個(gè)所述第二子層交替層疊設(shè)置，每個(gè)所述第一子層為未摻雜的銦鎵氮層，每個(gè)所述第二子層為摻雜硅的氮化鎵層，所述第三應(yīng)力釋放層為摻雜硅的銦鎵氮層；所述缺陷阻擋層中硅的摻雜濃度低于所述第一應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度，所述第一應(yīng)力釋放層中硅的的摻雜濃度高于各個(gè)所述第二子層中硅的摻雜濃度，各個(gè)所述第二子層中硅的摻雜濃度低于所述第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度。可選地，所述發(fā)光層包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，多個(gè)所述量子阱層和多個(gè)所述量子壘層交替層疊設(shè)置，每個(gè)所述量子阱層為銦鎵氮層，每個(gè)所述量子壘層為氮化鎵層；各個(gè)所述第一子層的生長(zhǎng)溫度比每個(gè)所述量子阱層的生長(zhǎng)溫度高50℃～100℃，各個(gè)所述第二子層的生長(zhǎng)溫度比每個(gè)所述量子壘層的生長(zhǎng)溫度高20℃～50℃。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過在n型gan層和發(fā)光層之間的設(shè)置缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層，缺陷阻擋層為硅低摻雜的鋁鎵氮層，第一應(yīng)力釋放層為硅高摻雜的氮化鎵層，第二應(yīng)力釋放層為未摻雜的銦鎵氮層和硅低摻雜的氮化鎵層的超晶格結(jié)構(gòu)，第三應(yīng)力釋放層為硅高摻雜的銦鎵氮層，一方面第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層的晶格常數(shù)介于n型氮化鎵層和發(fā)光層之間，有利于減小n型氮化鎵層和發(fā)光層之間的晶格失配，從而減小發(fā)光層生長(zhǎng)時(shí)積累的應(yīng)力，起到釋放底層應(yīng)力的作用，可以減少量子阱層和量子壘層交替生長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力，減少由于應(yīng)力過大導(dǎo)致的發(fā)光層內(nèi)的晶格缺陷，從而增加電子和空穴的輻射復(fù)合效率，最終提高了發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率；另一方面缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度高低交替，使其整體結(jié)構(gòu)的電阻也是高低交替(硅摻雜濃度濃度高的部分電阻低，硅摻雜濃度低的部分電阻高)，電阻高的部分可以減緩電子遷移的速度，使更多的電子能留在發(fā)光區(qū)域與空穴復(fù)合發(fā)光，減少越過發(fā)光層溢流到p型氮化鎵層層的電子數(shù)量，同時(shí)電阻高的部分中間穿插的電阻低的結(jié)構(gòu)又使整體電阻不會(huì)過大，從而避免出現(xiàn)正向電壓太高的問題。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的第二應(yīng)力釋放層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種發(fā)光二極管外延片的制備方法的流程圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種發(fā)光二極管外延片的制備方法的流程圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，參見圖1，該外延片包括襯底10以及依次層疊在襯底10上的緩沖層20、未摻雜氮化鎵層30、缺陷阻擋層41、第一應(yīng)力釋放層42、第二應(yīng)力釋放層43、第三應(yīng)力釋放層44、n型氮化鎵層50、多量子阱層60和p型氮化鎵層70。在本實(shí)施例中，如圖1所示，緩沖層20層疊在襯底10上，未摻雜氮化鎵層30層疊在緩沖層20上，缺陷阻擋層41層疊在未摻雜氮化鎵層30上，第一應(yīng)力釋放層42層疊在缺陷阻擋層41上，第二應(yīng)力釋放層43層疊在第一應(yīng)力釋放層42上，第三應(yīng)力釋放層44層疊在第二應(yīng)力釋放層43上，n型氮化鎵層50層疊在第三應(yīng)力釋放層44上，多量子阱層60層疊在n型氮化鎵層50上，p型氮化鎵層70層疊在多量子阱層60上。具體地，缺陷阻擋層41為摻雜硅的鋁鎵氮層，第一應(yīng)力釋放層42為摻雜硅的氮化鎵層，參見圖2，第二應(yīng)力釋放層43包括多個(gè)第一子層43a和多個(gè)第二子層43b，多個(gè)第一子層43a和多個(gè)第二子層43b交替層疊設(shè)置，每個(gè)第一子層43a為未摻雜的銦鎵氮層，每個(gè)第二子層43b為摻雜硅的氮化鎵層，第三應(yīng)力釋放層44為摻雜硅的銦鎵氮層。缺陷阻擋層41中硅的摻雜濃度低于第一應(yīng)力釋放層42中硅的摻雜濃度，第一應(yīng)力釋放層42中硅的的摻雜濃度高于各個(gè)第二子層43b中硅的摻雜濃度，各個(gè)第二子層43b中硅的摻雜濃度低于第三應(yīng)力釋放層44中硅的摻雜濃度。本發(fā)明實(shí)施例通過在n型gan層和發(fā)光層之間的設(shè)置缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層，缺陷阻擋層為硅低摻雜的鋁鎵氮層，第一應(yīng)力釋放層為硅高摻雜的氮化鎵層，第二應(yīng)力釋放層為未摻雜的銦鎵氮層和硅低摻雜的氮化鎵層的超晶格結(jié)構(gòu)，第三應(yīng)力釋放層為硅高摻雜的銦鎵氮層，一方面第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層的晶格常數(shù)介于n型氮化鎵層和發(fā)光層之間，有利于減小n型氮化鎵層和發(fā)光層之間的晶格失配，從而減小發(fā)光層生長(zhǎng)時(shí)積累的應(yīng)力，起到釋放底層應(yīng)力的作用，可以減少量子阱層和量子壘層交替生長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力，減少由于應(yīng)力過大導(dǎo)致的發(fā)光層內(nèi)的晶格缺陷，從而增加電子和空穴的輻射復(fù)合效率，最終提高了發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率；另一方面缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度高低交替，使其整體結(jié)構(gòu)的電阻也是高低交替(硅摻雜濃度濃度高的部分電阻低，硅摻雜濃度低的部分電阻高)，電阻高的部分可以減緩電子遷移的速度，使更多的電子能留在發(fā)光區(qū)域與空穴復(fù)合發(fā)光，減少越過發(fā)光層溢流到p型氮化鎵層層的電子數(shù)量，同時(shí)電阻高的部分中間穿插的電阻低的結(jié)構(gòu)又使整體電阻不會(huì)過大，從而避免出現(xiàn)正向電壓太高的問題?？蛇x地，缺陷阻擋層41中硅的摻雜濃度可以為1017cm-3～1018cm-3。若缺陷阻擋層41中硅的摻雜濃度小于1017cm-3，則會(huì)由于電子濃度太低而導(dǎo)致正向電壓vf升高；若缺陷阻擋層41中硅的摻雜濃度大于1018cm-3，則會(huì)由于電子濃度太高而達(dá)不到阻擋電子的效果。優(yōu)選地，缺陷阻擋層41的厚度可以為50nm～200nm。若缺陷阻擋層41的厚度小于50nm，則會(huì)由于過薄而無法起到阻擋電子和缺陷的作用；若缺陷阻擋層41的厚度大于200nm，則會(huì)由于太厚而導(dǎo)致電阻太大，出現(xiàn)正向電壓vf太高的問題。可選地，第一應(yīng)力釋放層42中硅的摻雜濃度可以大于1019cm-3。若第一應(yīng)力釋放層42中硅的摻雜濃度小于1019cm-3，則起不到降低正向電壓vf的作用。優(yōu)選地，第一應(yīng)力釋放層42的厚度可以為100～300nm。若第一應(yīng)力釋放層42的厚度小于100nm，則起不到降低正向電壓vf和釋放應(yīng)力的作用；若第一應(yīng)力釋放層42的厚度大于300nm，則可能由于厚度過厚而增加缺陷?？蛇x地，每個(gè)第二子層43b中硅的摻雜濃度可以為1017cm-3～1018cm-3。若第二子層43b中硅的摻雜濃度小于1017cm-3，則會(huì)由于電子濃度太低而導(dǎo)致正向電壓vf高；若第二子層43b中硅的摻雜濃度大于1018cm-3，則會(huì)由于電子濃度太高而達(dá)不到阻擋電子的效果。優(yōu)選地，第二子層43b的厚度可以為50nm～100nm。若第二子層43b的厚度小于50nm，則會(huì)由于過薄而無法起到阻擋電子和釋放應(yīng)力的作用；若第二子層43b的厚度大于100nm，則會(huì)由于太厚導(dǎo)致電阻太大，出現(xiàn)正向電壓vf太高的問題?？蛇x地，第三應(yīng)力釋放層44中硅的摻雜濃度可以大于1019cm-3。若第三應(yīng)力釋放層44中硅的摻雜濃度小于1019cm-3，則起不到降低正向電壓vf的作用。優(yōu)選地，第三應(yīng)力釋放層44的厚度可以為100～300nm。若第三應(yīng)力釋放層44的厚度小于100nm，則起不到釋放應(yīng)力的作用；若第三應(yīng)力釋放層44的厚度大于300nm，則可能由于厚度過厚而增加缺陷?？蛇x地，第一子層43a的厚度可以為1nm～5nm。若第一子層43a的厚度小于1nm，則起不到釋放應(yīng)力的作用；若第一子層43a的厚度大于5nm，則會(huì)由于銦鎵氮層太厚而導(dǎo)致應(yīng)力增加?？蛇x地，第二子層43b的數(shù)量與第一子層43a的數(shù)量相同，第一子層43a的數(shù)量可以為2～20個(gè)。若第一子層43a的數(shù)量小于2個(gè)，則起不到釋放應(yīng)力的作用；若第一子層43a的數(shù)量大于20個(gè)，則可能會(huì)由于過厚而增加應(yīng)力。具體地，發(fā)光層可以包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層交替層疊設(shè)置，每個(gè)量子阱層為銦鎵氮層，每個(gè)量子壘層為氮化鎵層。可選地，各個(gè)第一子層中銦組分的含量與每個(gè)量子阱層中銦組分的含量之比可以大于0且小于0.2。若各個(gè)第一子層中銦組分的含量與每個(gè)量子阱層中銦組分的含量之比達(dá)到0.2，則可能由于第一子層的勢(shì)壘太低而導(dǎo)致對(duì)電子的限制作用太大，減少了越過第一子層到達(dá)量子阱層的電子總數(shù)，不利于提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率。具體地，襯底的材料可以為藍(lán)寶石，也可以為其它材料，如氮化硅、氮化鎵、單晶硅等。緩沖層可以為氮化鎵層，厚度為20nm～40nm。未摻雜氮化鎵層的厚度為0.5μm～2μm。n型氮化鎵層為摻雜硅的氮化鎵層，厚度為0.8μm～3μm，硅的摻雜濃度為1018cm-3～1019cm-3。量子阱層的厚度為2nm～3nm，量子壘層的厚度為5nm～30nm，量子壘層的數(shù)量與量子阱層的數(shù)量相同，量子阱層的數(shù)量為6～15個(gè)。p型氮化鎵層為摻雜鎂的氮化鎵層，厚度為0.3μm～0.5μm。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片制備方法，適用于制備實(shí)施例一提供的外延片，參見圖3，該制備方法包括：步驟101：提供一襯底。在具體實(shí)現(xiàn)中，會(huì)先在氫氣氣氛里對(duì)襯底進(jìn)行退火處理，再將溫度控制為1050℃～1180℃，進(jìn)行氮化處理10分鐘，以清潔襯底表面。步驟102：在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層、發(fā)光層和p型氮化鎵層。在本實(shí)施例中，缺陷阻擋層為摻雜硅的鋁鎵氮層，第一應(yīng)力釋放層為摻雜硅的氮化鎵層，第二應(yīng)力釋放層包括多個(gè)第一子層和多個(gè)第二子層，多個(gè)第一子層和多個(gè)第二子層交替層疊設(shè)置，每個(gè)第一子層為未摻雜的銦鎵氮層，每個(gè)第二子層為摻雜硅的氮化鎵層，第三應(yīng)力釋放層為摻雜硅的銦鎵氮層；缺陷阻擋層中硅的摻雜濃度低于第一應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度，第一應(yīng)力釋放層中硅的的摻雜濃度高于各個(gè)第二子層中硅的摻雜濃度，各個(gè)第二子層中硅的摻雜濃度低于第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度。本發(fā)明實(shí)施例通過在n型gan層和發(fā)光層之間的設(shè)置缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層，缺陷阻擋層為硅低摻雜的鋁鎵氮層，第一應(yīng)力釋放層為硅高摻雜的氮化鎵層，第二應(yīng)力釋放層為未摻雜的銦鎵氮層和硅低摻雜的氮化鎵層的超晶格結(jié)構(gòu)，第三應(yīng)力釋放層為硅高摻雜的銦鎵氮層，一方面第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層的晶格常數(shù)介于n型氮化鎵層和發(fā)光層之間，有利于減小n型氮化鎵層和發(fā)光層之間的晶格失配，從而減小發(fā)光層生長(zhǎng)時(shí)積累的應(yīng)力，起到釋放底層應(yīng)力的作用，可以減少量子阱層和量子壘層交替生長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力，減少由于應(yīng)力過大導(dǎo)致的發(fā)光層內(nèi)的晶格缺陷，從而增加電子和空穴的輻射復(fù)合效率，最終提高了發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率；另一方面缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度高低交替，使其整體結(jié)構(gòu)的電阻也是高低交替(硅摻雜濃度濃度高的部分電阻低，硅摻雜濃度低的部分電阻高)，電阻高的部分可以減緩電子遷移的速度，使更多的電子能留在發(fā)光區(qū)域與空穴復(fù)合發(fā)光，減少越過發(fā)光層溢流到p型氮化鎵層層的電子數(shù)量，同時(shí)電阻高的部分中間穿插的電阻低的結(jié)構(gòu)又使整體電阻不會(huì)過大，從而避免出現(xiàn)正向電壓太高的問題。具體地，發(fā)光層可以包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層交替層疊設(shè)置，每個(gè)量子阱層為銦鎵氮層，每個(gè)量子壘層為氮化鎵層?？蛇x地，各個(gè)第一子層的生長(zhǎng)溫度可以比每個(gè)量子阱層的生長(zhǎng)溫度高50℃～100℃。若各個(gè)第一子層的生長(zhǎng)溫度與每個(gè)量子阱層的生長(zhǎng)溫度的差值小于50℃，則容易由于溫度太低而引入新的缺陷；若各個(gè)第一子層的生長(zhǎng)溫度與每個(gè)量子阱層的生長(zhǎng)溫度的差值大于100℃，則可能影響銦鎵氮層中銦組分的并入?？蛇x地，各個(gè)第二子層的生長(zhǎng)溫度可以比每個(gè)量子壘層的生長(zhǎng)溫度高20℃～50℃℃。若各個(gè)第二子層的生長(zhǎng)溫度與每個(gè)量子壘層的生長(zhǎng)溫度的差值小于-20℃，則可能起不到釋放應(yīng)力的效果；若各個(gè)第二子層的生長(zhǎng)溫度與每個(gè)量子壘層的生長(zhǎng)溫度的差值大于50℃，可能會(huì)有溫度太高而影響第一子層的銦析出，導(dǎo)致晶體質(zhì)量較差。在本實(shí)施例中，整個(gè)過程采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(英文：meta1organicchemicalvapordeposition，簡(jiǎn)稱：mocvd)反應(yīng)腔實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)時(shí)以三甲基鎵(tmga)作為鎵源，高純氨氣(nh3)作為氮源，三甲基銦作為銦源，三甲基鋁作為鋁源，n型摻雜劑選用硅烷，p型摻雜劑選用二茂鎂。具體地，緩沖層可以為氮化鎵層，生長(zhǎng)緩沖層時(shí)，可以通入tmga源和nh3，控制溫度為450℃～600℃，壓力為400torr～600torr，生長(zhǎng)厚度為20nm～40nm的氮化鎵層。生長(zhǎng)未摻雜氮化鎵層時(shí)，通入tmga源和nh3，控制溫度為1000℃～1200℃，壓力為50torr～760torr，生長(zhǎng)厚度為0.5μm～2μm的氮化鎵層。生長(zhǎng)n型氮化鎵層時(shí)，控制溫度為1000℃～1200℃，壓力為50torr～760torr，生長(zhǎng)厚度為0.8μm～3μm、硅摻雜濃度為1018cm-3～1019cm-3的氮化鎵層。生長(zhǎng)缺陷阻擋層時(shí)，控制溫度為1000℃～1200℃，壓力為200torr～400torr，生長(zhǎng)厚度為50nm～200nm、硅摻雜濃度為1017cm-3～1018cm-3的鋁鎵氮層。生長(zhǎng)第一應(yīng)力釋放層時(shí)，控制溫度為950℃～1100℃，壓力為200torr～400torr，生長(zhǎng)厚度為100～300nm、硅摻雜濃度達(dá)到1019cm-3的氮化鎵層。生長(zhǎng)第二應(yīng)力釋放層時(shí)，控制壓力為200torr～400torr，交替生長(zhǎng)厚度為50nm～150nm、硅摻雜濃度為1017cm-3～1018cm-3的氮化鎵層和厚度為1nm～5nm的未摻雜的銦氮化鎵層，銦鎵氮層的生長(zhǎng)溫度為750℃～950℃，氮化鎵層的生長(zhǎng)溫度為820℃～1000℃，氮化鎵層的數(shù)量與銦鎵氮層的數(shù)量相同，銦鎵氮層的數(shù)量為2～20個(gè)。生長(zhǎng)第三應(yīng)力釋放層時(shí)，控制溫度為850℃～950℃，壓力為200torr～400torr，生長(zhǎng)厚度為100～300nm、硅摻雜濃度達(dá)到1019cm-3的氮化鎵層。生長(zhǎng)發(fā)光層時(shí)，控制壓力為200torr～400torr，交替生長(zhǎng)厚度為2nm～3nm的銦鎵氮層和厚度為5nm～30nm的氮化鎵層，銦鎵氮層的生長(zhǎng)溫度為700℃～850℃，氮化鎵層的生長(zhǎng)溫度為800℃～950℃，氮化鎵層的數(shù)量與銦鎵氮層的數(shù)量相同，銦鎵氮層的數(shù)量為6～15個(gè)。生長(zhǎng)p型氮化鎵層時(shí)，控制溫度為950℃～1150℃，壓力為50torr～760torr，生長(zhǎng)厚度為0.4μm的摻雜鎂的氮化鎵層。需要說明的是，在本實(shí)施例中，第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層、第三應(yīng)力釋放層的生長(zhǎng)溫度低于n型氮化鎵層的生長(zhǎng)溫度，且接近發(fā)光層的生長(zhǎng)溫度，也有利于釋放底層至n型氮化鎵層積累的應(yīng)力?？蛇x地，在生長(zhǎng)緩沖層之后，該制備方法還可以包括：停止通入tmga源，控制溫度為1000℃～1200℃，對(duì)緩沖層進(jìn)行5分鐘～10分鐘的原位退火。需要說明的是，在外延生長(zhǎng)結(jié)束之后，先將反應(yīng)腔的溫度控制在700℃～800℃之間，在純氮?dú)夥諊逻M(jìn)行5分鐘～15分鐘的退火處理，再將反應(yīng)腔的溫度降至室溫。隨后，將外延片經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕等半導(dǎo)體加工工藝制成單顆芯片。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，本實(shí)施例提供的制備方法是實(shí)施例三提供的制備方法的一種具體實(shí)現(xiàn)。具體地，參見圖4，該制備方法包括：步驟201：提供一藍(lán)寶石襯底。步驟202：控制生長(zhǎng)溫度為575℃，生長(zhǎng)壓力為500torr，在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)厚度為30nm的氮化鎵層，形成緩沖層。步驟203：控制生長(zhǎng)溫度為1100℃，生長(zhǎng)壓力為405torr，在成核層上生長(zhǎng)厚度為1.25μm的未摻雜氮化鎵層。步驟204：控制生長(zhǎng)溫度為1100℃，生長(zhǎng)壓力為405torr，在未摻雜氮化鎵層上生長(zhǎng)厚度為1.9μm的n型氮化鎵層。步驟205：控制生長(zhǎng)溫度為1100℃，生長(zhǎng)壓力為300torr，在n型氮化鎵層上生長(zhǎng)厚度為125nm、硅摻雜濃度為5*1017cm-3cm-3的鋁鎵氮層，形成缺陷阻擋層。步驟206：控制生長(zhǎng)溫度為1025℃，生長(zhǎng)壓力為300torr，在缺陷阻擋層上生長(zhǎng)厚度為200nm、硅摻雜濃度為2*1019cm-3的氮化鎵層，形成第一應(yīng)力釋放層。步驟207：控制生長(zhǎng)壓力為300torr，在第一應(yīng)力釋放層上交替生長(zhǎng)10個(gè)厚度為100nm、硅摻雜濃度為5*1017cm-3的氮化鎵層和10個(gè)厚度為3nm的未摻雜的銦氮化鎵層，銦鎵氮層的生長(zhǎng)溫度為850℃，氮化鎵層的生長(zhǎng)溫度為910℃，形成第二應(yīng)力釋放層。步驟208：控制生長(zhǎng)溫度為900℃，生長(zhǎng)壓力為300torr，生長(zhǎng)厚度為100nm、硅摻雜濃度為2*1019cm-3的氮化鎵層，形成第三應(yīng)力釋放層。步驟209：控制生長(zhǎng)壓力為300torr，在第三應(yīng)力釋放層上交替生長(zhǎng)10個(gè)厚度為2.5nm的銦鎵氮量子阱層和10個(gè)厚度為17.5nm的氮化鎵量子壘層，銦鎵氮量子阱層的生長(zhǎng)溫度為775℃，氮化鎵量子壘層的生長(zhǎng)溫度為875℃，形成發(fā)光層。步驟210：控制生長(zhǎng)溫度為1050℃，生長(zhǎng)壓力為405torr，在多量子阱層上生長(zhǎng)厚度為0.4μm的p型氮化鎵層。在本實(shí)施例中，缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層的各個(gè)參數(shù)僅為舉例。按照缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層中硅的摻雜濃度的變化，保持缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層的的其它參數(shù)不變，其它各層的各個(gè)參數(shù)也不變，制備出的外延片與現(xiàn)有的外延片(沒有缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層，其它參數(shù)相同)相比，發(fā)光效率提高的比例如下表一所示：表一對(duì)比表一可以發(fā)現(xiàn)，缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層組成的摻雜濃度高低交替的整體結(jié)構(gòu)中，摻雜濃度高的部分摻雜濃度越高，發(fā)光效率越高；同時(shí)摻雜濃度低的部分摻雜濃度越低，發(fā)光效率越高；由此可見，摻雜濃度高的部分和摻雜濃度低的部分之間摻雜濃度相差越大，發(fā)光效率越高。按照第一子層和第二子層的生長(zhǎng)溫度的變化，保持缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層的的其它參數(shù)不變，其它各層的各個(gè)參數(shù)也不變，制備出的外延片與現(xiàn)有的外延片(沒有缺陷阻擋層、第一應(yīng)力釋放層、第二應(yīng)力釋放層和第三應(yīng)力釋放層，其它參數(shù)相同)相比，發(fā)光效率提高的比例如下表二所示：表二第一子層的生長(zhǎng)溫度第二子層的生長(zhǎng)溫度發(fā)光效率提高的比例750℃820℃0.2％750℃910℃0.4％750℃1000℃0.3％850℃820℃0.7％850℃910℃0.9％850℃1000℃0.8％950℃820℃0.3％950℃910℃0.55950℃1000℃0.4％對(duì)比表二可以發(fā)現(xiàn)，隨著第一子層的生長(zhǎng)溫度的升高，發(fā)光效率先升高再降低；同時(shí)隨著第二子層的生長(zhǎng)溫度，發(fā)光效率先升高再降低；由此可見，第一子層的生長(zhǎng)溫度、第二子層的生長(zhǎng)溫度在一定的范圍內(nèi)，發(fā)光效率最高。上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁12