技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括在襯底上方形成介電層。襯底具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域。方法還包括：在邊緣區(qū)域中形成介電環(huán)、在襯底的中心區(qū)域上方和襯底的邊緣區(qū)域中的介電環(huán)上方形成金屬層、以及拋光中心區(qū)域和邊緣區(qū)域中的金屬層以暴露襯底的邊緣區(qū)域中的介電環(huán)。本發(fā)明實施例涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，具體地涉及用于金屬CMP的集成工藝的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：紀志堅;李佩璇;蘇鴻文
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.12
技術(shù)公布日：2017.10.27