本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置及其goa(gatedriveronarray，陣列基板行驅(qū)動)電路。

背景技術(shù)：

目前，goa電路通常采用頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(topgateigzotft)，其中頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的源極和柵極、漏極和柵極均沒有重疊部分，因此薄膜晶體管的寄生電容很小。

由于薄膜晶體管的半導(dǎo)體層沒有柵極的擋光，因此半導(dǎo)體層受到光照的影響非常嚴重，進而導(dǎo)致半導(dǎo)體層電性失效。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置及其goa電路，能夠避免半導(dǎo)體層電性失效，并且避免金屬遮光層產(chǎn)生耦合效應(yīng)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種goa電路，其包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在基板上，所述薄膜晶體管至少包括依次設(shè)置在所述基板上的金屬遮光層和半導(dǎo)體層，所述多個薄膜晶體管的金屬遮光層均輸入地信號。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種顯示裝置，其包括用于產(chǎn)生驅(qū)動信號的goa電路，所述goa電路包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在基板上，所述薄膜晶體管至少包括依次設(shè)置在所述基板上的金屬遮光層和半導(dǎo)體層，所述多個薄膜晶體管的金屬遮光層均輸入地信號。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的薄膜晶體管包括依次設(shè)置在基板上的金屬遮光層和半導(dǎo)體層，金屬遮光層用于為半導(dǎo)體層擋光，進而避免半導(dǎo)體層電性失效；多個薄膜晶體管的金屬遮光層均輸入地信號，能夠避免金屬遮光層產(chǎn)生耦合效應(yīng)，保證goa電路正常輸出信號。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要采用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明一實施例的goa電路的電路示意圖；

圖2是圖1中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中掃描信號的波形示意圖；

圖4是圖1中正常輸出的掃描信號的波形示意圖；

圖5是本發(fā)明一實施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參見圖1-2所示，圖1是本發(fā)明一實施例的goa電路的電路示意圖；圖2是圖1中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實施例的goa電路10包括第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、第七薄膜晶體管t7、第八薄膜晶體管t8、第九薄膜晶體管t9、第十薄膜晶體管t10、第十一薄膜晶體管t11、第十二薄膜晶體管t12、第十三薄膜晶體管t13、第十四薄膜晶體管t14、第十五薄膜晶體管t15以及電容c。

其中，第一薄膜晶體管t1的第一端輸入第一控制信號dch，第一薄膜晶體管t1的第二端輸入第二控制信號st(n-1)，第一薄膜晶體管t1的第三端分別與第二薄膜晶體管t2的第一端和第二端、第三薄膜晶體管t3的第二端、第四薄膜晶體管t4的第二端以及電容c的一端連接。第二薄膜晶體管t2的第三端與第五薄膜晶體管t5的第一端連接；第三薄膜晶體管t3的第一端和第四薄膜晶體管t4的第一端輸入第一時鐘信號ck(n)，第三薄膜晶體管t3的第三端連接下一級的goa電路，以向下一級的goa電路輸出第三控制信號st(n+1)。

第四薄膜晶體管t4的第三端輸出掃描信號g(n)；第五薄膜晶體管t5的第二端輸入第二時鐘信號xck(n)，第五薄膜晶體管t5的第三端連接電容c的另一端和第四薄膜晶體管t4的第三端。

第六薄膜晶體管t6的第一端和第二端輸入第一控制信號dch，第六薄膜晶體管t6的第三端連接第七薄膜晶體管t7的第一端、第八薄膜晶體管t8的第二端和第十薄膜晶體管t10的第二端；第七薄膜晶體管t7的第二端和第九薄膜晶體管t9的第二端連接第三薄膜晶體管t3的第二端，第七薄膜晶體管t7的第三端輸入第一參考電壓v1。

第八薄膜晶體管t8的第一端、第十薄膜晶體管t10的第一端和第十二薄膜晶體管t12的第一端與第六薄膜晶體管t6的第一端連接，第八薄膜晶體管t8的第三端與第九薄膜晶體管t9的第一端、第十三薄膜晶體管t13的第二端、第十四薄膜晶體管t14的第二端以及第十五薄膜晶體管t15的第二端連接；第九薄膜晶體管t9的第三端與第十薄膜晶體管t10的第三端和第十一薄膜晶體管t11的第一端連接；第十一薄膜晶體管t11的第二端連接第十二薄膜晶體管t12的第二端和第三薄膜晶體管t3的第二端，第十一薄膜晶體管t11的第三端和第十四薄膜晶體管t14的第三端輸入第二參考電壓v2。

第十二薄膜晶體管t12的第三端與第十三薄膜晶體管t13的第三端和第十四薄膜晶體管t14的第一端連接；第十三薄膜晶體管t13的第一端連接第一薄膜晶體管t1的第三端；第十五薄膜晶體管t15的第一端連接第五薄膜晶體管t5的第三端，第十五薄膜晶體管t15的第三端輸入第一參考電壓v1。

其中，第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、第七薄膜晶體管t7、第八薄膜晶體管t8、第九薄膜晶體管t9、第十薄膜晶體管t10、第十一薄膜晶體管t11、第十二薄膜晶體管t12、第十三薄膜晶體管t13、第十四薄膜晶體管t14以及第十五薄膜晶體管t15均為p型薄膜晶體管，第一端為源極，第二端為柵極，第三端為漏極。在其他實施例中，第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、第七薄膜晶體管t7、第八薄膜晶體管t8、第九薄膜晶體管t9、第十薄膜晶體管t10、第十一薄膜晶體管t11、第十二薄膜晶體管t12、第十三薄膜晶體管t13、第十四薄膜晶體管t14以及第十五薄膜晶體管t15均為n型薄膜晶體管，在此不再贅述。

其中，goa電路10包括多個薄膜晶體管，薄膜晶體管設(shè)置在基板上，薄膜晶體管至少包括依次設(shè)置在基板上的金屬遮光層和半導(dǎo)體層，多個薄膜晶體管的金屬遮光層均輸入地信號ground。

本實施例goa電路10包括15個薄膜晶體管，15個薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)相同，如圖2所示，每個薄膜晶體管均包括：

設(shè)置在基板21上的金屬遮光層22；

igzo(indiumgalliumzincoxide，銦鎵鋅氧化物)層23，即半導(dǎo)體層，設(shè)置在金屬遮光層22上；

絕緣層24，設(shè)置在基板21、金屬遮光層22以及igzo層23上；

柵極層25，設(shè)置在絕緣層24上；

層間介質(zhì)層(ild)26，設(shè)置在柵極層25和絕緣層24上；

源極層27和漏極層28設(shè)置在層間介質(zhì)層26上；

在層間介質(zhì)層26和絕緣層24設(shè)置有第一通孔261和第二通孔262，源極層27通過第一通孔261與igzo層23連接，漏極層28通過第二通孔262與igzo層23連接。

其中，金屬遮光層22設(shè)置在igzo層23的入光面，因此金屬遮光層22用于為igzo層23擋光，以避免igzo層23在光照影響導(dǎo)致電性失效。

在現(xiàn)有技術(shù)中，金屬遮光層和柵極層、金屬遮光層和源極層以及金屬遮光層和漏極層均可形成耦合電容，因此現(xiàn)有技術(shù)的goa電路輸出掃描信號的波形會受到耦合效應(yīng)的影響，導(dǎo)致掃描信號的波形變形，如圖3所示。

相對于現(xiàn)有技術(shù)的goa電路，本實施例的多個薄膜晶體管的金屬遮光層均輸入地信號ground，即15個薄膜晶體管的金屬遮光層22均輸入地信號ground，金屬遮光層22不能存儲電荷，因此金屬遮光層22和柵極層25、金屬遮光層22和源極層27以及金屬遮光層22和漏極層28均不能形成耦合電容，進而保證goa電路10正常輸出掃描信號g(n)，掃描信號g(n)的波形圖如圖4所示。

本實施例多個薄膜晶體管的金屬遮光層連接在一起，即15個薄膜晶體管的金屬遮光層22連接在一起，并且接地，進而輸入地信號ground，如圖1所示。具體地，第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、第七薄膜晶體管t7、第八薄膜晶體管t8、第九薄膜晶體管t9、第十薄膜晶體管t10、第十一薄膜晶體管t11、第十二薄膜晶體管t12、第十三薄膜晶體管t13、第十四薄膜晶體管t14以及第十五薄膜晶體管t15的金屬遮光層22均接地。

因此，本實施例的薄膜晶體管在基板上的設(shè)置有金屬遮光層22，用于為薄膜晶體管的igzo層23擋光，進而避免igzo層23的電性失效；多個薄膜晶體管的金屬遮光層22均輸入地信號，能夠避免金屬遮光層和柵極層、漏極層或者源極層產(chǎn)生耦合效應(yīng)，保證goa電路10正常輸出信號。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置50包括顯示區(qū)域51和goa電路52，goa電路52用于產(chǎn)生驅(qū)動信號，驅(qū)動信號用于驅(qū)動顯示區(qū)域51顯示，其中g(shù)oa電路52為上述實施例所描述的goa電路10，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管在基板上的設(shè)置有金屬遮光層，用于為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層擋光，進而避免半導(dǎo)體層電性失效；多個薄膜晶體管的金屬遮光層均輸入地信號，能夠避免金屬遮光層產(chǎn)生耦合效應(yīng)，保證goa電路正常輸出信號。

以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。