技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種用于微型原子傳感器的垂直腔面發(fā)射激光器，包括依次設(shè)置于N面電極上表面的襯底層、N型DBR層、有源層和P型DBR層，分別構(gòu)成圓柱形臺面和分段柱形臺面，圓柱形臺面周圍開設(shè)環(huán)形窗口，其底部位于N型DBR層中，其底面和側(cè)面及位于其周圍的P型DBR層的一部分上表面設(shè)置有介質(zhì)薄膜電流限制層，其側(cè)面和上表面以及上表面周圍的P型DBR層的一部分上表面設(shè)置P面電極，分段柱形臺面的P型DBR層的上表面位于P面電極外周部以外的區(qū)域覆蓋有激光反射鏡，能夠在不增加器件工藝和材料生長工藝復(fù)雜程度，不使用外部溫控，不影響器件性能的前提下，使其波長移動至滿足應(yīng)用需求的范圍內(nèi)，避免器成品率下降的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：張星;鐘礎(chǔ)宇;張建偉;秦莉;寧永強
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
文檔號碼：201710208072
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.06.13