【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品領(lǐng)域，尤其涉及一種條形發(fā)光元件、背光模組及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著led技術(shù)的發(fā)展與成熟，led的性能日益提高，針對(duì)led技術(shù)的研發(fā)也日趨活躍，led也得到了越來(lái)越多的應(yīng)用。

目前，led電子設(shè)備應(yīng)用范圍日益廣泛，人們對(duì)led電子設(shè)備質(zhì)量要求也越來(lái)越高。然而，在現(xiàn)有l(wèi)ed電子設(shè)備中l(wèi)ed芯片、基板及線路板或外接電源普遍為層疊封裝，且采用焊接線使led芯片與基板電性連接，因此比較占用空間，且整體體積偏大，不能適應(yīng)人們對(duì)電子設(shè)備輕薄小化的發(fā)展需求，因而用戶(hù)體驗(yàn)差，因此減薄電子設(shè)備尺寸的問(wèn)題是關(guān)鍵。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有電子設(shè)備尺寸大的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種條形發(fā)光元件、背光模組及電子設(shè)備。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是提供一種條形發(fā)光元件，其包括熒光膜層、至少兩個(gè)led芯片、基板及線路板，所述至少兩個(gè)led芯片設(shè)置于所述熒光膜層及所述基板之間，所述線路板垂直于led芯片所在基板表面所在平面。

優(yōu)選地，所述熒光膜層為預(yù)制膜層。

優(yōu)選地，所述基板內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電電路，導(dǎo)電電路電性連接于線路板和led芯片，線路板與led芯片的電性連接點(diǎn)位于基板與線路板的相交處。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電電路包括第一導(dǎo)電單元及第二導(dǎo)電單元，所述第一導(dǎo)電單元設(shè)置于所述led芯片及所述基板之間，第二導(dǎo)電單元設(shè)置于所述第一導(dǎo)電單元相對(duì)的基板一側(cè)，所述第一導(dǎo)電單元電性連接led芯片和第二導(dǎo)電單元。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電電路將led芯片電性連接為至少二led芯片組，每一led芯片組包括至少二串聯(lián)的led芯片，至少部分led芯片組的一端連接在一起，另一端相互獨(dú)立；所述線路板進(jìn)一步包括線路層，所述線路層包括至少三條供電走線，該至少三條走線中的一條走線的供電極性為第一電源極性，剩余的其他走線的供電極性為第二電源極性，第一電源極性與第二電源極性相反，所述led芯片組連在一起的一端均連接于具有第一電源極性的走線，led芯片組的另一端連接不同的具有第二電源極性的走線。

優(yōu)選地，所述線路板包括絕緣層及電連接區(qū)，所述電性連接點(diǎn)與電連接區(qū)電性連接，所述絕緣層上設(shè)置有多個(gè)獨(dú)立的呈直線排列的窗口以露出電連接區(qū)。

優(yōu)選地，所述線路板進(jìn)一步包括白色涂層，白色涂層設(shè)置于以電連接區(qū)為界線靠近基板的一側(cè)的絕緣層表面上。

優(yōu)選地，所述線路板進(jìn)一步包括隔熱層，所述隔熱層與所述白色涂層設(shè)置于線路層相對(duì)的兩側(cè)。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是提供一種背光模組，其包括如上所述條形發(fā)光元件及導(dǎo)光層，所述條形發(fā)光元件設(shè)置于所述導(dǎo)光層的端部。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是提供一種電子設(shè)備，其包括如上所述的條形發(fā)光元件、導(dǎo)光層及顯示屏，所述條形發(fā)光元件發(fā)出光線，經(jīng)導(dǎo)光層反射后，由顯示屏顯示。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明條形發(fā)光元件、背光模組及電子設(shè)備具有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)通過(guò)設(shè)置所述線路板垂直于led芯片所在基板表面所在平面，以利于從基板側(cè)面連接外部供電電源或線路板，可以相對(duì)較大地減薄電子設(shè)備尺寸，以滿(mǎn)足電子設(shè)備輕薄化的發(fā)展需求，提高用戶(hù)體驗(yàn)。同時(shí)能夠避免遮擋led芯片發(fā)出的光，保證出光強(qiáng)度及均勻性。

(2)通過(guò)采用所述熒光膜層為預(yù)制膜層，不需要離心分散熒光粉及硅膠混合物然后固化等繁瑣的工序，只需將膜狀的熒光膜層壓制，或?qū)㈩A(yù)先制備的涂料噴涂或印刷在所述led芯片上，制程簡(jiǎn)化，操作方便，極大地提高了生產(chǎn)效率。采用所述熒光膜層為預(yù)制膜層，因而不需要圍欄結(jié)構(gòu)，使得所述led芯片發(fā)出的光不會(huì)被圍欄結(jié)構(gòu)遮擋，光強(qiáng)在180°范圍內(nèi)分布均勻，提高顯示的勻光效果，避免出現(xiàn)顯示亮度不均的暗區(qū)。

(3)通過(guò)設(shè)置線路板與led芯片的電性連接點(diǎn)位于基板與線路板的相交處，從而使基板與外部供電電源或線路板通過(guò)側(cè)面連接，能夠在一定程度上減薄電子設(shè)備尺寸，以滿(mǎn)足電子設(shè)備輕薄化的發(fā)展需求。

(4)通過(guò)設(shè)置至少三條供電走線，至少三條供電走線中的一條走線的供電極性為第一電源極性，剩余的其他走線的供電極性為第二電源極性，以使led芯片組連在一起的一端均連接于具有第一電源極性的走線，led芯片組的另一端連接不同的具有第二電源極性的走線，從而實(shí)現(xiàn)分區(qū)域控制led芯片組或整體發(fā)光。

(5)通過(guò)在絕緣層上設(shè)置有多個(gè)獨(dú)立的呈直線排列的窗口以露出電連接區(qū)，即可通過(guò)電連接點(diǎn)實(shí)現(xiàn)基板與線路板有效電性連接。

(6)設(shè)置所述白色涂層以提高光線的反射作用來(lái)提升條形發(fā)光元件的出光效果。

(7)設(shè)置所述隔熱層可以降低從線路板遠(yuǎn)離基板一側(cè)傳遞過(guò)來(lái)的熱量，防止白色涂層受熱融化。

(8)所述背光模組及電子設(shè)備采用所述條形發(fā)光元件，通過(guò)設(shè)置所述線路板垂直于led芯片所在基板表面所在平面，以利于從基板側(cè)面連接外部供電電源或線路板，能夠減薄電子設(shè)備尺寸，以滿(mǎn)足電子設(shè)備輕薄化的發(fā)展需求，且具有制程簡(jiǎn)單，制備成本低，且出光均勻無(wú)暗區(qū)，強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。

【附圖說(shuō)明】

圖1是本發(fā)明條形發(fā)光元件的熒光膜層和基板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1沿b-b方向的剖視圖。

圖3是圖2中c處放大結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明熒光膜層第一變形結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明熒光膜層第二變形結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明熒光膜層第三變形結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明條形發(fā)光元件的led芯片第一變形排布設(shè)置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明條形發(fā)光元件的熒光膜層和基板結(jié)構(gòu)局部示意圖。

圖9是本發(fā)明基板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明led芯片與基板電性連接第一變形排布設(shè)置示意圖。

圖11是本發(fā)明led芯片與基板電性連接第二變形排布設(shè)置示意圖。

圖12是本發(fā)明線路板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13是本發(fā)明線路板的線路層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖14是本發(fā)明線路板的第一絕緣層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖15是本發(fā)明背光模組結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16(a)是本發(fā)明條形發(fā)光元件第一變形設(shè)置示意圖。

圖16(b)是本發(fā)明條形發(fā)光元件第二變形設(shè)置示意圖。

圖16(c)是本發(fā)明條形發(fā)光元件第三變形設(shè)置示意圖。

圖16(d)是本發(fā)明條形發(fā)光元件第四變形設(shè)置示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請(qǐng)參閱圖1、圖2及圖3，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種條形發(fā)光元件1，其包括熒光膜層11、至少兩個(gè)led芯片12、粘接層13、基板15、線路板16及導(dǎo)電電路(圖未示)。所述至少兩個(gè)led芯片12設(shè)置于所述熒光膜層11及所述基板15之間。所述線路板16垂直于led芯片12所在基板15表面所在平面。其中，所述熒光膜層11在所述led芯片12所在基板15表面的正投影區(qū)域設(shè)置所述至少兩個(gè)led芯片12。所述基板15內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電電路，所述導(dǎo)電單路電性連接led芯片12及線路板16。

所述熒光膜層11為熒光粉與硅膠充分混合均勻后預(yù)先制備的薄膜或涂料。其中薄膜可以采用壓制覆蓋，而涂料可以印刷或噴涂覆蓋至少兩個(gè)led芯片12及在至少兩個(gè)led芯片12所在的基板15表面，形成的預(yù)制膜層。所述熒光膜層11在所述led芯片12所在所述基板15內(nèi)部開(kāi)設(shè)的通孔，通孔內(nèi)灌注或鍍制等方式設(shè)置導(dǎo)電材料基板15表面的正投影面積大于等于所述led芯片12所在基板15表面的面積。優(yōu)選地，所述熒光膜層11為長(zhǎng)條形。優(yōu)選地，所述熒光膜層11厚度比所述led芯片12的厚度大0.08mm-1mm，進(jìn)一步，熒光膜層11厚度為0.2mm-0.5mm，以完全包覆至少兩所述led芯片12，且不影響所述預(yù)制熒光層11的發(fā)光均勻性、強(qiáng)度及光效。所述熒光膜層11不需要led用于灌注熒光粉及硅膠混合物的圍欄結(jié)構(gòu)，且不需要離心分散熒光粉及硅膠混合物然后固化等繁瑣的工序，只需將膜狀的熒光膜層11壓制，或?qū)⑼苛蠂娡炕蛴∷⒃谒鰈ed芯片12上，制程簡(jiǎn)化，操作方便，極大地提高了生產(chǎn)效率。所述熒光膜層11不需要圍欄結(jié)構(gòu)，使得所述led芯片12發(fā)出的光不會(huì)被圍欄結(jié)構(gòu)遮擋，使得所述led芯片發(fā)出的光分布均勻，強(qiáng)度高，避免出現(xiàn)顯示亮度不均的暗區(qū)。

所述熒光膜層11內(nèi)均勻分布有熒光粉和硅膠，其中熒光粉的質(zhì)量占熒光粉與硅膠總量的30％～50％。所述熒光粉為黃色熒光粉或紅色熒光粉及綠色熒光粉或紅色熒光粉、綠色熒光粉及黃色熒光粉其中一種。優(yōu)選地，所述熒光粉為紅色熒光粉及綠色熒光粉，紅光熒光粉與綠光熒光粉的質(zhì)量比為(1.5～5)：(1.5～5)。優(yōu)選地，所述紅光熒光粉為氟硅酸鉀，所述綠光熒光粉為鹵硅酸鹽、硫化物、硅酸鹽及氮氧化物中的一種或幾種的混合物。通過(guò)利用藍(lán)光、紫外光或近紫外光激發(fā)所述紅光熒光粉及所述綠光熒光粉，從而發(fā)白光。所述熒光粉呈顆粒狀，其平均粒徑為1um～50um。在一些較優(yōu)的實(shí)施例中，熒光粉的平均粒徑可進(jìn)一步為1um～10um、10um～15um、10um～20um、15um～20um、15um～25um、20um～25um、20um～30um、25um～30um、30um～40um、40um～50um。所述硅膠可為有機(jī)硅膠及無(wú)機(jī)硅膠其中一種或混合，其中，有機(jī)硅膠可為硅橡膠、硅硅膠及硅油中一種或幾種混合；無(wú)機(jī)硅膠可為b型硅膠、粗孔硅膠及細(xì)孔硅膠中一種或幾種混合。

請(qǐng)參閱圖4、圖5及圖6，所述熒光膜層11包括第一表面111及第二表面113，所述第二表面113貼合所述led芯片12設(shè)置，所述第一表面111為所述熒光膜層11遠(yuǎn)離所述led芯片12一側(cè)的表面。所述第一表面111平坦，所述第二表面113可為平坦?fàn)?、鋸齒狀、凹凸?fàn)睢⒉ɡ藦澢鸂畹取?yōu)選地，所述第二表面113可為鋸齒狀、凹凸?fàn)?、波浪彎曲狀等，以預(yù)留空間，配合包覆所述led芯片12，避免壓制成型時(shí)，因過(guò)度擠壓所述led芯片12使所述led芯片12變形或損壞，以提高封裝良率。

所述led芯片12包括正極和負(fù)極，所述led芯片12的正極和負(fù)極設(shè)置于所述led芯片12靠近所述基板15一側(cè)。

多個(gè)所述led芯片12等間距呈直線設(shè)置在所述基板15上。請(qǐng)一并參閱圖7，以一led芯片12在基板15長(zhǎng)度方向上的尺寸為t，優(yōu)選地，相鄰兩led芯片12的間距d為(0.5-2.5)倍t值，進(jìn)一步優(yōu)選相鄰兩led芯片12的間距為(1.8-2.2)倍t值?；?5長(zhǎng)度方向上相對(duì)的兩端端面稱(chēng)為第一端和第二端，距離第一端最近的led芯片12與第一端距離為d，距離第二端最近的led芯片12與第二端距離同樣為d，d為(0.9-1.4)倍t值，d進(jìn)一步優(yōu)選為(1.1-1.3)倍t值。優(yōu)選地，距離d為0.5mm～1.5mm。進(jìn)一步優(yōu)選地，距離d為0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.15mm、1.2mm、1.25mm、1.3mm、1.35mm、1.4mm、1.41mm、1.42mm、1.43mm、1.44mm、1.45mm、1.46mm、1.47mm、1.48mm、1.49mm、1.5mm。優(yōu)選地，所述距離d大于等于所述距離d，以保證所述led芯片12光通率、顯示的光亮度及勻光效果等光學(xué)特征較好的情況下，減少所述led芯片12的使用量，從而節(jié)約生產(chǎn)成本。

優(yōu)選地，所述led芯片12可選用紅外、紅、黃、綠、藍(lán)、紫、紫外或近紫外光芯片。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述led芯片12為藍(lán)光芯片。

所述粘接層13回流焊制所述led芯片12靠近基板15的一側(cè)。優(yōu)選地，所述粘接層13可以選用錫膏或?qū)щ娔z，以電性連接led芯片12及基板15，并進(jìn)一步固定所述led芯片12。

所述基板15為一條狀的剛性或者柔性板材，優(yōu)選為剛性板材。具體材料可以是陶瓷，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)，聚酰亞胺(pi)，聚碳酸酯(pc)，聚醚醚酮(peek)，聚醚酰亞胺(pei)，聚乙烯(pe)，聚四氟乙烯(ptfe)或聚氯乙烯(pvc)等其任意兩者的復(fù)合物。優(yōu)選地，基板15形狀為長(zhǎng)方體。設(shè)定基板15長(zhǎng)為l，寬為w，長(zhǎng)寬比為(80-140)：(0.8-1)，進(jìn)一步優(yōu)選長(zhǎng)寬比為(110-130)：1。

請(qǐng)參閱圖3、圖8及圖9，所述導(dǎo)電電路設(shè)置于基板15部。所述導(dǎo)電電路將led芯片12電性連接為至少二led芯片組，每一led芯片組包括至少二串聯(lián)的led芯片12，至少部分led芯片組的一端連接在一起，另一端相互獨(dú)立。

所述導(dǎo)電電路包括第一導(dǎo)電單元14、第二導(dǎo)電單元151及導(dǎo)電線153。所述第一導(dǎo)電單元14設(shè)置于所述led芯片12及所述基板15之間，導(dǎo)電線153設(shè)置在所述基板15內(nèi)部和/或表面。第二導(dǎo)電單元151作為led芯片12與線路板16的連接點(diǎn)設(shè)置于所述第一導(dǎo)電單元14相對(duì)的基板15一側(cè)，即設(shè)置于基板15遠(yuǎn)離熒光膜層11的表面。所述導(dǎo)電線153電性連接第一導(dǎo)電單元14和第二導(dǎo)電單元151。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電線153為所述基板15內(nèi)部開(kāi)設(shè)的通孔，通孔內(nèi)灌注或鍍制等方式設(shè)置導(dǎo)電材料。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述導(dǎo)電材料為銅、銀或?qū)щ娔z等。第二導(dǎo)電單元151通過(guò)所述導(dǎo)電線153與所述基板15另一側(cè)的第一導(dǎo)電單元14電性連接，從而使led芯片12與第二導(dǎo)電單元151電性連接。

所述第一導(dǎo)電單元14為粘接性材料膜或片，呈一條直線等間距印制于所述led芯片12所在基板15表面。同一led芯片12正極和負(fù)極分別通過(guò)粘接層13與相鄰的兩第一導(dǎo)電單元14電性連接并通過(guò)粘接層13使led芯片12固定在基板15上。所述第一導(dǎo)電單元14將led芯片12電性連接為至少二led芯片組。具體為粘接層13電性連接led芯片12的正極與一第一導(dǎo)電單元14，led芯片12的負(fù)極與另一第一導(dǎo)電單元14。第一導(dǎo)電單元14將多個(gè)led芯片12電性連接成至少二led芯片組，每一led芯片組包括至少二個(gè)串聯(lián)的led芯片12，本實(shí)施例中l(wèi)ed芯片組的數(shù)量為2，每一led芯片組包括8個(gè)串聯(lián)的led芯片12。所述粘接層13在基板15表面的正投影面積小于等于所述led芯片12與一所述第一導(dǎo)電單元14接觸區(qū)域所在基板15表面的正投影面積，以避免所述粘接層13遮擋所述led芯片的出光區(qū)域。

所述led芯片12除了與粘接層13接觸的部位以外，其他部位可噴涂白色遮蔽層以保護(hù)第一導(dǎo)電單元14，或可以在第一導(dǎo)電單元14的位置設(shè)置銀層以提高光的反射作用來(lái)提升光的利用率。本發(fā)明中白色遮蔽層或銀層圖中未示出。

所述第二導(dǎo)電單元151包括正電極1511、至少兩個(gè)負(fù)電極1513及子電極1515。至少二led芯片組的一端均電性連接正電極1511，至少二led芯片組另一端電性連接不同的所述至少兩個(gè)負(fù)電極1513。請(qǐng)參閱圖10及圖11，本實(shí)施例中以?xún)蓚€(gè)led芯片組為例來(lái)進(jìn)行示例說(shuō)明，其連接方式可以為led芯片組的每個(gè)led芯片12的正極各自通過(guò)不同的導(dǎo)電線153或連在一起后通過(guò)一條導(dǎo)電線153連接到正電極1511。兩組led芯片組的每個(gè)led芯片12的負(fù)極分別通過(guò)不同的導(dǎo)電線153電性連接兩個(gè)負(fù)電極1513。

所述led芯片12分組與導(dǎo)電電路電性連接具體實(shí)施方式如下：

本實(shí)施例中以16個(gè)led芯片12(l1-l16)，兩個(gè)led芯片組為例來(lái)進(jìn)行示例說(shuō)明。所述led芯片12與所述基板15電性連接，所述基板15與所述線路板16電性連接。

所述led芯片12l1-l8的負(fù)極通過(guò)同一導(dǎo)電線153或不同導(dǎo)電線153串聯(lián)，形成一led芯片組，同樣的可以認(rèn)為，所述led芯片12l9-l16通過(guò)同一導(dǎo)電線153或不同導(dǎo)電線153串聯(lián)，形成另一led芯片組，所述兩led芯片組的正極均通過(guò)導(dǎo)電線153電性連接正電極1511。一組所述led芯片組的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電線153電性連接一個(gè)負(fù)電極1513，另一組所述led芯片組的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電線153電性連接另一個(gè)負(fù)電極1513。

請(qǐng)參閱圖12、圖13及圖14，所述線路板16整體呈“l(fā)”形。線路板16從上至下依次包括白色涂層165，第一絕緣層161，線路層162及第二絕緣層163，所述第一絕緣層161和第二絕緣層163貼合設(shè)置并將線路層162包覆于所述兩者之間。

白色涂層165設(shè)置于第一絕緣層161表面上，所述第一絕緣層161開(kāi)設(shè)多個(gè)窗口1611，以露出部分線路層162作為電連接區(qū)167，白色涂層165分布在以電連接區(qū)167為界線，靠近基板15一側(cè)區(qū)域。白色涂層165優(yōu)選為矩形。熒光膜層11及基板15設(shè)置在白色涂層165上。設(shè)置所述白色涂層165以提高光線的反射作用來(lái)提升條形發(fā)光元件1的出光效果。

所述電連接區(qū)167的位置和數(shù)量與第二導(dǎo)電單元151的位置及數(shù)量一一對(duì)應(yīng)，所述電連接區(qū)167沿基板15的長(zhǎng)度方向尺寸大于等于所述第二導(dǎo)電單元151的沿基板15的長(zhǎng)度方向尺寸。所述電連接區(qū)167和所述第二導(dǎo)電單元151通過(guò)焊料一一對(duì)應(yīng)連接，即所述正電極1511，子電極1515及至少兩個(gè)負(fù)電極1513通過(guò)焊料連接所述電連接區(qū)167，從而使所述led芯片12通過(guò)焊料作為電性連接點(diǎn)與所述線路板16電性連接，所述電性連接點(diǎn)位于基板15與線路板16的相交處。其中，所述子電極1515可以電性和/或機(jī)械連接電連接區(qū)167。其中，所述電性連接點(diǎn)與電連接區(qū)167電性連接。具體為所述電連接區(qū)167焊接適量導(dǎo)電材料，使導(dǎo)電材料部分或全部覆蓋所述第二導(dǎo)電單元151及電連接區(qū)167，從而使所述線路板16電性連接所述第二導(dǎo)電單元151。優(yōu)選地，所述焊料為錫、銀或銅等。采用在基板15側(cè)面焊接焊料能夠牢固焊接線路板16，相比導(dǎo)電粘膠等，具有更好的穩(wěn)定性和導(dǎo)熱散熱功能，長(zhǎng)期使用也不會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電粘膠等受熱變形或發(fā)黃老化等現(xiàn)象，避免因變形影響對(duì)基板15的支撐力不足，使基板15偏移從而改變出光區(qū)域，或者避免老化影響光通量及出光效果。

如圖13所示，本實(shí)施例中以?xún)蓚€(gè)led芯片組為例來(lái)進(jìn)行示例說(shuō)明。所述線路層162包括三條供電走線，分別為第一走線a，第二走線k1及第三走線k2。第二導(dǎo)電單元151通過(guò)焊料連接于電連接區(qū)167，第一走線a、第二走線k1及第三走線k2電性連接電連接區(qū)167。具體的，第一走線a，第二走線k1及第三走線k2中的其中兩條走線連接到電源負(fù)極，另一條連接電源正極，第一走線a，第二走線k1及第三走線k2相互之間電性絕緣。所述led芯片組連在一起的一端均連接于電源正極的走線，led芯片組的另一端連接不同的電源負(fù)極的走線。

優(yōu)選地，所述led芯片12的數(shù)量不作限定，導(dǎo)電電路將其電性連接成led芯片組的數(shù)量不作限制，所述led芯片組內(nèi)led芯片12的數(shù)量也不作限定。各led芯片組的端子之間可以相互獨(dú)立，也可以選擇部分相互獨(dú)立，部分連接在一起。

優(yōu)選地，所述線路板16省略，所述led芯片12和供電電源通過(guò)導(dǎo)電電路直接連接。

作為一種變形，線路層162的供電的走線可以多于3條，這些走線中的一條走線的供電極性為第一電源極性，剩余的其他走線的供電極性為第二電源極性，第一電源極性與第二極性電源極性相反，所述led芯片組連接在一起的一端均連接于具有第一電源極性的走線，led芯片組的另一端連接不同的具有第二電源極性的走線。第一電源極性可以是正極或負(fù)極。

優(yōu)選地，所述條形發(fā)光元件1還包括隔熱層，所述隔熱層設(shè)置于所述線路層162與白色涂層165相對(duì)的一側(cè)。該隔熱層可以降低從線路板16遠(yuǎn)離基板15一側(cè)傳遞過(guò)來(lái)的熱量，防止白色涂層165受熱融化。

本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種條形發(fā)光元件1的制造方法，其具體工藝流程如下：

步驟s1，提供基板15。

步驟s2，印刷及固晶：在所述基板15表面印制第一導(dǎo)電單元14，在所述第一導(dǎo)電單元14回流焊接錫膏，用于定位led芯片12。將所述led芯片12貼合于所述錫膏表面上，所述led芯片12呈陣列排布。

步驟s3，封裝：將所述熒光膜層11貼合在步驟s2中具有陣列排布led芯片12的基板15上。其中，熒光膜層11與基板15外圍尺寸相同。此時(shí)所述熒光膜層11包覆所述led芯片12，然后進(jìn)行壓制成型。所述壓制成型具體步驟如下：

步驟s31，低溫壓制：以真空度小于7torr，30～100攝氏度，預(yù)壓10min-15min。先進(jìn)行低溫預(yù)壓主要是初步確定所述熒光膜層11的位置，防止熒光膜層11移動(dòng)，或貼合過(guò)程出現(xiàn)偏移，可及時(shí)調(diào)整，以提高封裝良率。

步驟s32，高溫壓制：接著以120～180攝氏度，壓制10min-15min。

步驟s33，烘烤固化：最后烘烤固化10min-30min。

步驟s4，切割：將貼合有熒光膜層11，及陣列排布led芯片12的基板15進(jìn)行切割，獲得熒光膜層11覆蓋具有1×n排列l(wèi)ed芯片12的基板15，其中n為大于等于2的整數(shù)。優(yōu)選地，所述切割方式為激光切割。

步驟s5，焊接：控制氧氣含量占?xì)怏w總量小于0.05％，在所述第二導(dǎo)電單元151處回流焊接適量焊料，即在基板15遠(yuǎn)離所述led芯片12的側(cè)面焊接焊料，通過(guò)所述焊料覆蓋電連接區(qū)167，以焊接所述熒光膜層11、所述基板15在所述線路板16上，并使所述led芯片12與第一走線a、第二走線k1和第三走線k2電性連接。

優(yōu)選地，所述焊料為錫、銅或銀等金屬導(dǎo)電材料。采用側(cè)面焊接焊料能夠牢固焊接電連接區(qū)167，相比導(dǎo)電粘膠等具有更好的穩(wěn)定性和導(dǎo)熱散熱功能，長(zhǎng)期使用也不會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電粘膠等受熱變形或發(fā)黃老化等現(xiàn)象，避免因變形影響對(duì)基板15的支撐力，使基板15偏移從而改變出光區(qū)域，或者避免銀老化影響光通量及光效。

請(qǐng)一并參閱圖15，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種背光模組10，用于給電子顯示裝置提供背光源。背光模組10包括從下至上依次設(shè)置反光層101、條形發(fā)光元件1與導(dǎo)光層103、光學(xué)結(jié)構(gòu)層105。其中，所述條形發(fā)光元件1設(shè)置于所述導(dǎo)光層103端部，且所述條形發(fā)光元件1與所述導(dǎo)光層103共面。所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層105為擴(kuò)散膜，增光膜、反射膜、偏光膜、增透膜、濾光片、擴(kuò)散膜等中的一種或多種。光學(xué)結(jié)構(gòu)層105可以是一層或多層，設(shè)置在所述導(dǎo)光層103遠(yuǎn)離所述反光層101的一側(cè)。所述條形發(fā)光元件1發(fā)出光線，經(jīng)所述反光層101及導(dǎo)光層103多次反射，形成整面光源，透射經(jīng)過(guò)所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層105，并透過(guò)液晶面板顯示圖像信息。所述條形發(fā)光元件1包括熒光膜層11。優(yōu)選為導(dǎo)光層103與條形發(fā)光元件1平行的邊之長(zhǎng)度為條形發(fā)光元件1長(zhǎng)度的(1-1.2)倍，優(yōu)選1.1倍。

請(qǐng)參閱16(a)～(d)，所述反光層101表面設(shè)置一個(gè)或多個(gè)所述條形發(fā)光元件1，所述條形發(fā)光元件1整體呈“一”字形、l形、u形、“口”字形等。所述一個(gè)或多個(gè)所述條形發(fā)光元件1設(shè)置于所述導(dǎo)光層103的端部。

本發(fā)明第四實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)置包括從下至上設(shè)置的上述背光模組10及顯示屏(圖未示)，所述背光模組10包括上述條形發(fā)光元件1及導(dǎo)光層103。所述顯示屏的一側(cè)接收條形發(fā)光元件1發(fā)出的光線并經(jīng)導(dǎo)光層103反射后，按像素進(jìn)行處理，由顯示屏顯示。優(yōu)選地，所述電子設(shè)備包括液晶面板、電子紙、oled面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或元件。

所述背光模組及電子設(shè)備采用所述條形發(fā)光元件，不需要圍欄結(jié)構(gòu)，具有制程簡(jiǎn)單，制備成本低，且出光均勻無(wú)暗區(qū)，強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明條形發(fā)光元件、背光模組及電子設(shè)備具有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)通過(guò)設(shè)置所述線路板垂直于led芯片所在基板表面所在平面，以利于從基板側(cè)面連接外部供電電源或線路板，可以相對(duì)較大地減薄電子設(shè)備尺寸，以滿(mǎn)足電子設(shè)備輕薄化的發(fā)展需求，提高用戶(hù)體驗(yàn)。同時(shí)能夠避免遮擋led芯片發(fā)出的光，保證出光強(qiáng)度及均勻性。

(2)通過(guò)采用所述熒光膜層為預(yù)制膜層，不需要離心分散熒光粉及硅膠混合物然后固化等繁瑣的工序，只需將膜狀的熒光膜層壓制，或?qū)㈩A(yù)先制備的涂料噴涂或印刷在所述led芯片上，制程簡(jiǎn)化，操作方便，極大地提高了生產(chǎn)效率。采用所述熒光膜層為預(yù)制膜層，因而不需要圍欄結(jié)構(gòu)，使得所述led芯片發(fā)出的光不會(huì)被圍欄結(jié)構(gòu)遮擋，光強(qiáng)在180°范圍內(nèi)分布均勻，提高顯示的勻光效果，避免出現(xiàn)顯示亮度不均的暗區(qū)。

(3)通過(guò)設(shè)置線路板與led芯片的電性連接點(diǎn)位于基板與線路板的相交處，從而使基板與外部供電電源或線路板通過(guò)側(cè)面連接，能夠在一定程度上減薄電子設(shè)備尺寸，以滿(mǎn)足電子設(shè)備輕薄化的發(fā)展需求。

(4)通過(guò)設(shè)置至少三條供電走線，至少三條供電走線中的一條走線的供電極性為第一電源極性，剩余的其他走線的供電極性為第二電源極性，以使led芯片組連在一起的一端均連接于具有第一電源極性的走線，led芯片組的另一端連接不同的具有第二電源極性的走線，從而實(shí)現(xiàn)分區(qū)域控制led芯片組或整體發(fā)光。

(5)通過(guò)在絕緣層上設(shè)置有多個(gè)獨(dú)立的呈直線排列的窗口以露出電連接區(qū)，即可通過(guò)電連接點(diǎn)實(shí)現(xiàn)基板與線路板有效電性連接。

(6)設(shè)置所述白色涂層以提高光線的反射作用來(lái)提升條形發(fā)光元件的出光效果。

(7)設(shè)置所述隔熱層可以降低從線路板遠(yuǎn)離基板一側(cè)傳遞過(guò)來(lái)的熱量，防止白色涂層受熱融化。

(8)所述背光模組及電子設(shè)備采用所述條形發(fā)光元件，通過(guò)設(shè)置所述線路板垂直于led芯片所在基板表面所在平面，以利于從基板側(cè)面連接外部供電電源或線路板，能夠減薄電子設(shè)備尺寸，以滿(mǎn)足電子設(shè)備輕薄化的發(fā)展需求，且具有制程簡(jiǎn)單，制備成本低，且出光均勻無(wú)暗區(qū)，強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。

以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。