技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及對(duì)改進(jìn)型晶體管的源/漏延伸控制。提供一種不進(jìn)行暈環(huán)注入的晶體管，包括：柵極；源極區(qū)；漏極區(qū)；無(wú)摻雜外延生長(zhǎng)的溝道層，位于所述柵極下方，并且在所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)之間延伸；第一高摻雜層，位于所述溝道層下方，并且能夠與所述溝道層共同延伸；第二高摻雜層，位于所述第一高摻雜層下方，并且能夠與所述第一高摻雜層共同延伸；注入的源極/漏極延伸部，位于所述柵極下方，并且從所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)朝向彼此延伸。本發(fā)明能夠允許具有改進(jìn)布局的較小晶體管的制造，允許改進(jìn)型的可拉伸膜放置或源極/漏極應(yīng)變工程，簡(jiǎn)化了工藝流程，并消除或極大地減少了歸因于對(duì)準(zhǔn)不良或不正確的暈環(huán)注入所致的故障。

技術(shù)研發(fā)人員：P·拉納德;L·希弗倫;S·R·松庫(kù)沙萊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三重富士通半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2011.11.30
技術(shù)公布日：2017.08.11