技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種外延生長具有垂直磁各向異性的釔鐵石榴石納米薄膜的方法，該方法首先在襯底上外延生長一緩沖層，然后在所述緩沖層上外延生長釔鐵石榴石納米薄膜。所述緩沖層為晶格常數(shù)介于襯底和釔鐵石榴石之間的材料，如釤鎵石榴石等。襯底可以采用摻雜替代的釓鎵石榴石。進(jìn)一步可以在所述釔鐵石榴石納米薄膜上再外延生長一層晶格常數(shù)大于釔鐵石榴石的材料，以加大垂直方向的應(yīng)變程度。本發(fā)明利用緩沖層克服了面內(nèi)的應(yīng)力馳豫問題，獲得了較高的誘導(dǎo)磁各向異性，最終獲得了具有垂直磁各向異性的高質(zhì)量外延釔鐵石榴石納米薄膜。對于磁光器件，微波和自旋電子學(xué)器件的研究和應(yīng)用具有重大的意義。

技術(shù)研發(fā)人員：楊金波;付建波;王常生;劉順荃;杜紅林;韓景智
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
文檔號碼：201710070951
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.09
技術(shù)公布日：2017.06.23