技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，包括步驟：A、在襯底材料上制作外延層：B、在外延層上制作導(dǎo)電擴(kuò)展層：導(dǎo)電擴(kuò)展層的成分為銦錫氧化物，其成分比例為銦錫比95:5，膜層厚度為C、在外延層上刻蝕出相應(yīng)晶粒圖形，露出N型GaN層臺(tái)階：刻蝕深度1?2μm，切割道的寬度在10μm?30μm之間。本發(fā)明通過改變起導(dǎo)電作用的金屬電極的大小和寬度來減少對(duì)光的吸收，達(dá)到提升芯片外量子效率的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：徐平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號(hào)碼：201710061857
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.26
技術(shù)公布日：2017.05.31