技術(shù)編號(hào)：12479133
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體LED領(lǐng)域，特別地，涉及一種能提高半導(dǎo)體芯片發(fā)光亮度的芯片制作方法。背景技術(shù)相較于內(nèi)量子效率而言，GaN基LED的外量子效率和光提取效率還有待進(jìn)一步的技術(shù)突破來取得提高。光提取效率和外量子效率在本質(zhì)上是一致的，而造成GaN基LED外量子效率和光提取效率較低的原因主要包括晶格缺陷對(duì)光的吸收、襯底對(duì)光的吸收以及光在射出過程中的全反射、材料層中的波導(dǎo)效應(yīng)等。由目前的研究可知，影響光子逸出主要有以下原因：1、大部分光子在半導(dǎo)體與外部界面上由于全反射而回到半導(dǎo)體內(nèi)部，全反射光被活性層自身、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。