技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，其特征在于，包括步驟：

A、在襯底材料上制作外延層：

B、在外延層上制作導(dǎo)電擴(kuò)展層：導(dǎo)電擴(kuò)展層的成分為銦錫氧化物，其成分比例為銦錫比95:5，膜層厚度為

C、在外延層上刻蝕出相應(yīng)晶粒圖形，露出N型GaN層臺階：刻蝕深度1-2μm，切割道的寬度在10μm-30μm之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在N型GaN層臺階上制作N型電極，N型電極線的寬度3-10μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述N型電極厚度1-4μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟C中，用FeCl₃與HCl的混合溶液濕法蝕刻掉暴露的導(dǎo)電擴(kuò)展層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟A中，所述襯底材料為藍(lán)寶石、碳化硅、硅中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，電極制作完后，在芯片表面沉積一層絕緣保護(hù)膜，保護(hù)膜層厚度

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣保護(hù)膜的膜層材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁中的任意一種絕緣透明材料。