技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種高出光率、高可靠性的紫外半導(dǎo)體發(fā)光二極管，包括一LED芯片，所述LED芯片中在p型層上依次設(shè)有石墨烯透明導(dǎo)電層、金屬導(dǎo)電層和導(dǎo)電反射層，石墨烯透明導(dǎo)電層特征在于其由多次轉(zhuǎn)移的石墨烯堆疊而成，所述石墨烯透明導(dǎo)電層以及金屬導(dǎo)電層與p型層之間形成歐姆接觸。所述多次轉(zhuǎn)移的石墨烯透明導(dǎo)電層由單層或多層石墨烯多次轉(zhuǎn)移而成，所述金屬導(dǎo)電層形成于石墨烯層之上或者于多層石墨烯之間。本發(fā)明通過(guò)多次轉(zhuǎn)移堆疊石墨烯，降低了面電阻，提高發(fā)光效率；本發(fā)明的金屬導(dǎo)電層形成工藝，在氮?dú)狻⒀鯕饣旌蠚夥罩?00℃條件下退火2min使接觸電阻率降至4.3*10?4Ω·cm?2，同時(shí)使得Al反射層在450nm時(shí)反射率維持在90％。

技術(shù)研發(fā)人員：王安生;周玉剛;張榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710033552
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.13
技術(shù)公布日：2017.06.20