技術總結
本發(fā)明屬于半導體器件技術領域，具體為一種基于動態(tài)耦合效應的半導體光電傳感器及其制備方法。本發(fā)明傳感器建立在絕緣層上硅的襯底上，器件的源漏區(qū)域為金屬?半導體的肖特基接觸，無須任何摻雜；溝道為不摻雜或者低摻雜；正柵極覆蓋溝道的部分區(qū)域且一般在溝道中間，而襯底作為背柵極。此器件的工作機理基于絕緣層上硅的動態(tài)耦合效應，背柵施加電壓后會在溝道的背面形成導電的高載流子層；此時，正柵極在瞬態(tài)電壓偏置下，通過絕緣層上硅的動態(tài)耦合效應產(chǎn)生深度耗盡，夾斷背部的導電層；而光產(chǎn)生的載流子在正柵極下的溝道處聚集，從而隔絕正柵極對于背部導電溝道的耗盡，使得器件能被光觸發(fā)而導通。相較于普通的光電反偏二極管，此器件具有工作電流高和易于組成傳感陣列等優(yōu)點。

技術研發(fā)人員：萬景;邵金海;鄧嘉男;陸冰睿;陳宜方
受保護的技術使用者：復旦大學
文檔號碼：201710033236
技術研發(fā)日：2017.01.18
技術公布日：2017.06.20