本公開實(shí)施例涉及一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板。

背景技術(shù)：

在顯示裝置例如液晶顯示器的生產(chǎn)過程中，在如干燥、刻蝕、配向膜摩擦、切割和搬運(yùn)等的工藝過程都會產(chǎn)生靜電。為防止靜電對顯示裝置的損壞，通常例如在顯示裝置的陣列基板上設(shè)置靜電放電單元，以釋放因靜電積聚產(chǎn)生的高電平。

公開內(nèi)容

本公開至少一實(shí)施例提供一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板以解決上述問題。

本公開至少一實(shí)施例提供一種靜電放電單元，包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，其中，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的靜電放電單元中，在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的不同側(cè)。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的靜電放電單元中，在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。

本公開至少一實(shí)施例提供一種陣列基板，包括靜電放電單元，其中，所述靜電放電單元包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。

例如，本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板，還可以包括：第一信號線，與所述第一柵極以及所述第一電極電連接；以及第二信號線，與所述第二柵極以及所述第二電極電連接。

例如，本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板，其中，所述第一信號線包括柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種，以及所述第二信號線包括柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述第一信號線為柵線或數(shù)據(jù)線，所述第二信號線為公共電極線；或所述第一信號線為公共電極線，所述第二信號線為柵線或數(shù)據(jù)線。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，以及在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的不同側(cè)。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極，所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，所述第二柵極與所述像素電極同層且同材料設(shè)置。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，所述第二柵極與所述陽極或所述陰極同層且同材料設(shè)置。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，以及在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極，所述第一柵極和所述第二柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，所述第一柵極和所述第二柵極與所述陽極或所述陰極同層且同材料設(shè)置。

例如，在本公開至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，所述靜電放電單元設(shè)置在所述周邊區(qū)域中。

本公開至少一實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板可以包括上述任一的陣列基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1為一種雙向靜電釋放的電路圖；

圖2a為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的一種電路圖；

圖2b為圖2a所示靜電放電單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為圖2b所示靜電放電單元沿C-D的截面示意圖；

圖2d為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的另一種電路圖；

圖3為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本公開一個實(shí)施例提供的一種陣列基板的平面圖；

圖6為圖5所示陣列基板中M區(qū)域的截面示意圖；以及

圖7a～圖7g為本公開一個實(shí)施例提供的一種靜電放電單元的制備方法的過程圖。

附圖標(biāo)記：

1-第一端；2-第二端；100-有源層；101-第一有源層；102-第二有源層；210-第一電極；220-第二電極；300-柵電極；310-第一柵極；320-第二柵極；410-第一過孔；420-第二過孔；430-第三過孔；440-第四過孔；500-襯底基板；510-柵絕緣層；520-絕緣層；610-第一信號線；620-第二信號線；1000-顯示區(qū)域；2000-周邊區(qū)域。

具體實(shí)施方式

為使本公開實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開實(shí)施例的附圖，對本公開實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋竟_的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

當(dāng)前的靜電放電單元只能單向放電，所以在需要雙向放電的靜電釋放應(yīng)用中，通常需要設(shè)置至少兩個靜電放電單元。圖1為一種雙向靜電釋放的電路圖。如圖1所示，線L1和線L2之間設(shè)置有兩個靜電放電單元A1和A2，靜電放電單元A1和A2的每個包括有源層100’、第一電極210’、第二電極220’以及柵電極300’，其中，第二電極220’與柵電極300’電連接。例如，靜電放電單元A1和A2用于釋放線L1和線L2上的靜電。靜電放電單元A1可以設(shè)置為從線L2向線L1放電，線L2與靜電放電單元A1的柵電極300’和第二電極220’電連接，線L1與靜電放電單元A1的第一電極210’電連接；靜電放電單元A2可以設(shè)置為從線L1向線L2放電，線L1與靜電放電單元A2的柵電極300’和第二電極220’電連接，線L2與靜電放電單元A2的第一電極210’電連接。以靜電放電單元A1為例，當(dāng)線L2上因靜電積聚產(chǎn)生高電平時，柵電極300’導(dǎo)通有源層100’，第一電極210’和第二電極220’導(dǎo)通，線L2上的靜電釋放到線L1上，由此可以對線L2進(jìn)行靜電防護(hù)。但是在線L1上因靜電積聚產(chǎn)生高電平時，靜電不能夠由靜電放電單元A1釋放至線L2，所以必須設(shè)置靜電放電單元A2，靜電放電單元A2將線L1上的靜電釋放到線L2，其釋放靜電的原理與靜電放電單元A1相同。在圖1中，需要設(shè)置兩個靜電放電單元A1和A2才能實(shí)現(xiàn)雙向的靜電釋放，會額外占用產(chǎn)品例如顯示面板的布線空間，不利于產(chǎn)品的小型化。

本公開至少一實(shí)施例提供一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板。該靜電放電單元包括：有源層、第一柵極和第二柵極以及第一電極和第二電極，第一柵極和第二柵極彼此間隔開并與有源層相絕緣，第一電極和第二電極彼此間隔開并分別與有源層連接，并且第一柵極與第一電極和第二電極中的一方電連接，第二柵極與第一電極和第二電極中的另一方電連接。上述靜電放電單元在實(shí)現(xiàn)雙向靜電釋放的同時降低了靜電放電單元的占用空間。例如，在本公開的下述實(shí)施例中，以第一柵極與第一電極電連接以及第二柵極與第二電極電連接為例進(jìn)行說明。

在本公開的下述實(shí)施例中，各部件之間的連接方式可以為電連接。示例性的，以第一柵極和第一電極的連接方式為例，第一柵極和第一電極可以為電連接。

下面將結(jié)合附圖對根據(jù)本公開實(shí)施例的靜電放電單元、陣列基板和顯示面板進(jìn)行詳細(xì)的描述。

本公開至少一實(shí)施例提供一種靜電放電單元。圖2a為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的電路圖，圖2b為圖2a所示靜電放電單元的結(jié)構(gòu)示意圖。例如如圖2a和圖2b所示，靜電放電單元B可以包括：有源層100、第一柵極310、第二柵極320、第一電極210以及第二電極220，第一柵極310和第二柵極320彼此間隔開并與有源層100相絕緣，第一電極210和第二電極220彼此間隔開并分別與有源層100連接，第一電極210與第一柵極310電連接，第二電極220與第二柵極320電連接。當(dāng)?shù)谝粬艠O310或第二柵極320上為高電平時，第一柵極310或第二柵極320都可以導(dǎo)通靜電放電單元B中的有源層100。

如圖2a所示，例如靜電放電單元B連接在第一信號線L1和第二信號線L2之間。例如，當(dāng)?shù)谝恍盘柧€L1由于靜電積聚處于高電平時，第一柵極310導(dǎo)通有源層100，第一電極210和第二電極220之間電連通，第一信號線L1上的靜電可以釋放至第二信號線L2；當(dāng)?shù)诙盘柧€L2由于靜電積聚而處于高電平時，第二柵極320導(dǎo)通有源層100，第一電極210和第二電極220之間電連通，第二信號線L2上的靜電可以釋放至第一信號線L1。如此可以實(shí)現(xiàn)線L1和線L2之間雙向的靜電釋放。

如圖2b所示，靜電放電單元B中，有源層100、第一電極210、第二電極220、第一柵極310以及第二柵極320可以位于不同層，可以通過設(shè)置過孔以實(shí)現(xiàn)不同層的部件之間的彼此連接。例如，第一電極210與第一柵極310可以通過第一過孔410彼此連接，第二電極220與第二柵極320可以通過第二過孔420彼此連接。以靜電放電單元B用于線L1和線L2的靜電防護(hù)為例，線L1可以通過第三過孔430與第一電極210與第一柵極310電連接，線L2可以通過第四過孔440與第二電極220與第二柵極320電連接，如此可以在線L1和線L2之間進(jìn)行雙向的靜電釋放。

需要說明的是，在本公開所有實(shí)施例中，第一電極210與第一柵極310的電連接、第二電極220與第二柵極320的電連接、線L1與第一電極210和第一柵極310之間的電連接、線L2與第二電極220和第二柵極320之間的電連接，不限于圖2a和圖2b中所示的連接方法，也可以通過例如外接電路等其他方法實(shí)現(xiàn)電連接。圖2d為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的另一種電路圖。例如如圖2d所示，第一柵極310和第一電極210分別與線L1電連接，第二柵極320和第二電極220分別與線L2電連接，通過外接電路例如線L1和線L2，靜電放電單元B同樣可以實(shí)現(xiàn)第一柵極310和第一電極210之間的電連接，以及第二柵極320和第二電極220之間的電連接。

在本公開所有實(shí)施例中，只要第一電極210與第一柵極310、第二電極220與第二柵極320之間可以實(shí)現(xiàn)電連接，并且線L1與第一電極210和第一柵極310之間、線L2與第二電極220和第二柵極320之間也可以實(shí)現(xiàn)電連接即可，本公開對電連接的具體方式不做限制。為便于對本公開技術(shù)方案進(jìn)行說明，在本公開的下述實(shí)施例中，以圖2b所示的各連接方式為例進(jìn)行說明。

本公開實(shí)施例提供的靜電放電單元可以應(yīng)用于顯示面板領(lǐng)域，例如，可以應(yīng)用于對陣列基板上的信號線進(jìn)行靜電防護(hù)。如此，靜電放電單元的部分結(jié)構(gòu)可以在制備陣列基板的例如薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)時同步形成，不會增加陣列基板的制備工藝。圖2c為圖2b所示靜電放電單元沿C-D的截面示意圖。在本公開實(shí)施例的一個示例中，如圖2c所示，靜電放電單元可以包括依次設(shè)置在襯底基板500上的第一柵極310、有源層100、第一電極210和第二電極220、以及第二柵極320，第一柵極310和有源層100之間由柵絕緣層510間隔開，第二柵極320與有源層100之間由絕緣層520間隔開，第一電極210與第二電極220彼此間隔開并且分別與有源層100連接，第一電極210通過設(shè)置在柵絕緣層510中的第一過孔410與第一柵極310電連接，第二電極220通過設(shè)置在絕緣層520中的第二過孔420與第二柵極320電連接。

例如，在本公開實(shí)施例提供的靜電放電單元中，第一電極210可以為源電極和漏電極中的一方，第二電極220可以為源電極和漏電極中的另一方。

例如，在本公開實(shí)施例提供的靜電放電單元中，在垂直于有源層100的方向上，例如如圖2a、圖2b和圖2c所示，第一柵極310和第二柵極320可以位于有源層100的不同側(cè)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的靜電放電單元中，在垂直于有源層100的方向上，第一柵極310和第二柵極320也可以位于有源層100的同一側(cè)，下面通過幾個示例對其進(jìn)行說明。

圖3為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖，其為局部示意圖，其中圖3(a)為靜電放電單元的局部俯視圖，圖3(b)為圖3(a)中靜電放電單元沿E-F的截面示意圖。例如如圖3所示，在本公開實(shí)施例的一個示例中，靜電放電單元中可以設(shè)置有一個有源層100，第一電極210和第二電極220彼此間隔開并且分別與有源層100連接，第一柵極310和第二柵極320設(shè)置于有源層100的同一側(cè)并且彼此間隔開，而且第一柵極310和第二柵極320設(shè)置為都可以導(dǎo)通第一電極210和第二電極220之間的有源層100。如此，以第一柵極310和第一電極210上的電壓為高電平為例，第一柵極310導(dǎo)通有源層100以使得第一電極210和第二電極220電連接，第一柵極310和第一電極210上的高電平可以釋放至第二柵極320和第二電極220上。

圖4為本公開一個實(shí)施例提供的靜電放電單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，其為局部示意圖，其中圖4(a)為靜電放電單元的局部俯視圖，圖4(b)為圖4(a)中靜電放電單元沿G-H的截面示意圖。例如圖4所示，在本公開實(shí)施例的另一個示例中，靜電放電單元中的有源層100可以包括兩個間隔的第一有源層101和第二有源層102，第一電極210和第二電極220之間彼此間隔開并且都與第一有源層101和第二有源層102連接，第一柵極310和第二柵極320設(shè)置于有源層100的同一側(cè)并且彼此間隔開，而且第一柵極310可以與第一有源層101重疊設(shè)置并設(shè)置為可以導(dǎo)通第一電極210和第二電極220之間的第一有源層101，第二柵極320可以與第二有源層102重疊設(shè)置并設(shè)置為可以導(dǎo)通第一電極210和第二電極220之間的第二有源層102。如此，當(dāng)?shù)谝粬艠O310和第一電極210為高電平時，第一柵極310導(dǎo)通第一有源層101以使得第一電極210和第二電極220電連接，第一柵極310和第一電極210可以向第二柵極320和第二電極220放電；當(dāng)?shù)诙艠O320和第二電極220為高電平時，第二柵極320導(dǎo)通第二有源層102以使得第一電極210和第二電極220電連接，第二柵極320和第二電極220可以向第一柵極310和第一電極210放電。

需要說明的是，在上述示例中，在第一柵極310和第二柵極320位于有源層100的同一側(cè)的情況中，第一柵極310和第二柵極320可以位于有源層100的遠(yuǎn)離第一電極210和第二電極220的一側(cè)，也可以設(shè)置在有源層100的靠近第一電極210和第二電極220的一側(cè)；并且第一柵極310和第二柵極320可以設(shè)置于同一層，也可以設(shè)置于不同層。在本公開實(shí)施例中，只要第一柵極310和第二柵極320設(shè)置為可以分別導(dǎo)通有源層100即可，本公開對它們的具體設(shè)置位置不做限制。

為便于解釋本公開的技術(shù)方案，在本公開的下述所有實(shí)施例中，以如圖2c所示的第一柵極310和第二柵極320位于有源層100的不同側(cè)為例，對本公開的技術(shù)方案進(jìn)行說明。

本公開至少一實(shí)施例還提供一種陣列基板，該陣列基板包括靜電放電單元。靜電放電單元包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與有源層連接，第一柵極與第一電極和第二電極中的一方電連接，第二柵極與第一電極和第二電極中的另一方電連接。在本公開實(shí)施例的陣列基板中，靜電放電單元的結(jié)構(gòu)可以參考之前描述的靜電放電單元，在此不做贅述。

例如，根據(jù)本公開實(shí)施例的陣列基板包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域。該靜電放電單元可以設(shè)置在顯示區(qū)域和/或周邊區(qū)域中。考慮到陣列基板的開口率，例如靜電放電單元設(shè)置在周邊區(qū)域。

圖5為本公開一個實(shí)施例提供的一種陣列基板的平面圖。例如，如圖5所示，本公開一個實(shí)施例提供的陣列基板包括顯示區(qū)域1000和位于顯示區(qū)域1000外圍的周邊區(qū)域2000，周邊區(qū)域2000中設(shè)置有靜電放電單元B以對陣列基板中的電路進(jìn)行靜電防護(hù)。示例性的，陣列基板中設(shè)置有第一信號線610和第二信號線620，靜電放電單元B可以連接于第一信號線610和第二信號線620之間。例如第一信號線610可以與靜電放電單元B中的第一柵極310以及第一電極210和第二電極220中的一方電連接，第二信號線620可以與靜電放電單元B中的第二柵極320以及第一電極210和第二電極220中的另一方電連接。當(dāng)?shù)谝恍盘柧€610和第二信號線620中的一方因靜電積聚產(chǎn)生高電平時，靜電會通過靜電放電單元B釋放至第一信號線610和第二信號線620中的另一方，上述靜電釋放的具體過程可以參考之前的相關(guān)說明，在此不做贅述。

陣列基板中可以設(shè)置有多種的信號線。例如，在本公開實(shí)施例中，陣列基板中的信號線可以包括：柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線等。例如，如圖5所示，第一信號線610可以為柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種；第二信號線620可以為柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種。

例如，在本公開實(shí)施例中，第一信號線610和第二信號線620可以為不同種類的信號線，例如第一信號線610可以為柵線或數(shù)據(jù)線，第二信號線620可以為公共電極線；或者第一信號線610可以為公共電極線，第二信號線620可以為柵線或數(shù)據(jù)線。

例如，在本公開實(shí)施例中，第一信號線610和第二信號線620可以為相同種類的信號線，例如第一信號線610和第二信號線620都為公共電極線。

對于陣列基板中信號線(例如第一信號線610和第二信號線620)的種類，本公開實(shí)施例不做限制，只要該信號線能夠產(chǎn)生靜電或者具有可釋放的靜電即可。為便于解釋本公開的技術(shù)方案，在本公開下述實(shí)施例中，以第一信號線610為數(shù)據(jù)線，第二信號線620為公共電極線為例進(jìn)行說明。

例如，在本公開實(shí)施例提供的陣列基板中，在陣列基板的顯示區(qū)域中，多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元可以包括薄膜晶體管。例如，在本公開實(shí)施例中，靜電放電單元中的各結(jié)構(gòu)可以與陣列基板中的其它部件同層且同材料設(shè)置，如此，靜電放電單元可以在制備陣列基板的過程中同步形成，不會增加陣列基板的制備工藝。

本公開實(shí)施例的一個示例(示例一)提供一種陣列基板，圖6為圖5所示陣列基板中M區(qū)域的截面示意圖，其為陣列基板的局部示意圖，且靜電放電單元中的第一柵極310和第二柵極320設(shè)置于有源層100的不同側(cè)。

例如，如圖6所示，M區(qū)域的陣列基板可以包括依次設(shè)置在襯底基板500上的第一柵極310、有源層100、第一電極210和第二電極220、以及第二柵極320，第一柵極310和有源層100之間由柵絕緣層510間隔開，第二柵極320與有源層100之間由絕緣層520間隔開，第一電極210與第二電極220彼此間隔開并且分別與有源層100連接，第一電極210通過設(shè)置在柵絕緣層510中的第一過孔410與第一柵極310電連接，第二電極220通過設(shè)置在絕緣層520中的第二過孔420與第二柵極320電連接，陣列基板還包括第一信號線610和第二信號線620，第一信號線610可以通過第三過孔430與第一電極210和第一柵極310電連接，第二信號線620可以通過第四過孔440與第二電極220和第二柵線320電連接。

在本示例中，例如，第一柵極310可以與柵線以及薄膜晶體管中的柵極同層且同材料設(shè)置。

第一柵極310的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該第一柵極310的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等；例如，該第一柵極310的材料還可以為鋁或鋁合金等。

在本示例中，例如，有源層100可以與薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置。

有源層100的材料可以包括非晶硅、多晶硅、或者氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物等。

在本示例中，例如，第一電極210和第二電極220可以與薄膜晶體管中的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置。

第一電極210和第二電極220的材料可以包括鉬、鈦、銅和鉻等金屬材料或者由上述金屬形成的合金材料，例如，銅基合金材料包括銅鉬合金(CuMo)、銅鈦合金(CuTi)、銅鉬鈦合金(CuMoTi)、銅鉬鎢合金(CuMoW)、銅鉬鈮合金(CuMoNb)等，鉻基合金材料包括鉻鉬合金(CrMo)、鉻鈦合金(CrTi)、鉻鉬鈦合金(CrMoTi)等。

在本示例中，例如，每個像素單元還包括與薄膜晶體管連接的像素電極。第二柵極320可以與該像素電極同層且同材料設(shè)置。

第二柵極320和像素電極可以采用透明導(dǎo)電材料形成。例如，形成第二柵極320和像素電極的材料可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。

在本示例中，例如，每個像素單元還包括與薄膜晶體管連接的發(fā)光元件，發(fā)光元件可以包括陽極、陰極以及夾設(shè)在陽極和陰極之間的發(fā)光層。第二柵極320可以與陽極或陰極同層且同材料設(shè)置。

陽極的材料包括金屬鋁和導(dǎo)電氧化物(例如ITO、IGZO)等中的任意一種，陰極的材料包括金屬鉀、鋰、鈣、鎂、銦或鎂鋁合金、鎂銀合金、鋰鋁合金中的任意一種。

需要說明的是，在本示例中，第二柵極320不限于上述的設(shè)置方式，只要其設(shè)置在有源層100的遠(yuǎn)離襯底基板500的一側(cè)，并且與第二電極220電連接即可，本公開對其具體設(shè)置方式不做限制。

本公開實(shí)施例的另一個示例(示例二)提供一種陣列基板，該陣列基板中的第一柵極310和第二柵極320可以設(shè)置于有源層100的同一側(cè)。第一柵極310和第二柵極320可以同層設(shè)置也可以不同層設(shè)置，其相關(guān)內(nèi)容可以參考之前的實(shí)施例，在此不做贅述。在本示例中，為了簡化工藝，以第一柵極310和第二柵極320同層設(shè)置為例進(jìn)行說明。

在本示例提供的陣列基板中，每個像素單元還可以包括與薄膜晶體管連接的像素電極。例如，第一柵極310和第二柵極320可以與柵線及薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置或者第一柵極310和第二柵極320可以與像素電極同層且同材料設(shè)置；靜電放電單元中的有源層100與薄膜晶體管的有源層可以同層且同材料設(shè)置；第一電極210和第二電極220可以與數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置。

在本示例提供的陣列基板中，每個像素單元還可以包括與薄膜晶體管連接的發(fā)光元件，發(fā)光元件可以包括陽極、陰極以及夾設(shè)在陽極和陰極之間的發(fā)光層。例如，靜電放電單元中的有源層100可以與薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，第一電極310和第二電極220可以與數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，第一柵極310和第二柵極320可以與陽極或陰極同層且同材料設(shè)置或者第一柵極310和第二柵極320可以與柵線及薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置。

需要說明的是，示例二中的陣列基板的設(shè)置不限于上述所述內(nèi)容，其具體結(jié)構(gòu)可以參考示例一中所述相關(guān)內(nèi)容，在此不做贅述。

在本公開實(shí)施例提供的陣列基板中，靜電放電單元可以實(shí)現(xiàn)雙向的靜電釋放，在陣列基板中占用的空間小，有利于產(chǎn)品的小型化；而且在空間允許的情況下，可以在第一信號線和第二信號線之間設(shè)置兩個或兩個以上的靜電放電單元，在其中一個靜電放電單元發(fā)生損壞的情況下，另一個靜電放電單元仍然可以起到靜電防護(hù)的作用，可以提高靜電防護(hù)的安全性。

本公開至少一實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板可以包括上述任一實(shí)施例中的陣列基板。

該顯示面板的一個示例為液晶顯示面板，包括陣列基板和對置基板，二者彼此對置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個像素單元的像素電極用于施加電場以對液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。

該顯示面板的另一個示例為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板，其中，陣列基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的疊層，每個像素單元的陽極或陰極用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行顯示操作。

該顯示面板的再一個示例為電子紙顯示面板，其中，陣列基板上形成有電子墨水層，每個像素單元的像素電極作為用于施加驅(qū)動電子墨水中的帶電微顆粒移動以進(jìn)行顯示操作的電壓。

本公開至少一實(shí)施例還提供一種靜電保護(hù)單元的制備方法，該方法包括：形成有源層；形成第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及形成第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接。所述第一柵極與所述第一電極和所述第二電極中的一方連接，所述第二柵極與所述第一電極和所述第二電極中的另一方連接。在本公開實(shí)施例中，靜電放電單元的具體化結(jié)構(gòu)可以參考之前描述的相關(guān)內(nèi)容，在此不做贅述。

為便于解釋本公開實(shí)施例中靜電放電單元的制備方法，在本公開實(shí)施例的至少一個示例中對該制備方法的過程進(jìn)行說明，圖7a～圖7g為本公開一個實(shí)施例提供的一種靜電放電單元的制備方法的過程圖。以圖2c所示的靜電放電單元機(jī)構(gòu)為例，例如如圖7a～圖7g所示，圖2c本公開一個示例中的靜電放電單元的制備方法可以包括如下過程：

如圖7a所示，提供襯底基板500，在該襯底基板500上沉積柵金屬薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第一柵極310。

在本示例中，構(gòu)圖工藝?yán)缈梢钥梢园ǎ涸谛枰粯?gòu)圖的結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對光刻膠層進(jìn)行曝光，對曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影以得到光刻膠圖案，使用光刻膠圖案作為掩模對結(jié)構(gòu)層進(jìn)行蝕刻，然后可選地去除光刻膠圖案。

例如，第一柵極310的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該第一柵極310的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等；該第一柵極310的材料還可以為鋁或鋁合金等。

如圖7b所示，在形成有第一柵極310的襯底基板500上沉積一層?xùn)沤^緣層510。例如，制備該柵絕緣層510的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料等。

如圖7c所示，在柵絕緣層510上沉積一層半導(dǎo)體薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成有源層100。例如，制備該有源層100的材料可以包括非晶硅、多晶硅以及氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物等。

如圖7d所示，對所述柵絕緣層510進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第一過孔410，第一過孔410可以暴露出第一柵極310。

如圖7e所示，在形成有所述有源層100的襯底基板500上沉積一層金屬層并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第一電極210和第二電極220。第一電極210與第二電極220間隔開并分別與有源層100連接，而且第一電極210與第一柵極310通過第一過孔410連接。

例如，第一電極210和第二電極220的材料可以包括鉬、鈦、銅和鉻等金屬材料或者由上述金屬形成的合金材料，例如，銅基合金材料包括銅鉬合金(CuMo)、銅鈦合金(CuTi)、銅鉬鈦合金(CuMoTi)、銅鉬鎢合金(CuMoW)、銅鉬鈮合金(CuMoNb)等，鉻基合金材料包括鉻鉬合金(CrMo)、鉻鈦合金(CrTi)、鉻鉬鈦合金(CrMoTi)等。如圖7f所示，在襯底基板500上沉積一層絕緣層薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成絕緣層520和第二過孔420，第二過孔420位于絕緣層520中并且可以暴露第二電極420。例如，制備絕緣層520的材料可以包括氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等。

如圖7g所示，在絕緣層520上沉積一層導(dǎo)電層薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第二柵極320，第二柵極320可以通過第二過孔420與第二電極220連接。

例如，第二柵極320的制備材料可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。

需要說明的是，本公開實(shí)施了中的靜電放電單元的制備方法不限于上述示例中所述內(nèi)容，具體的制備方法依據(jù)靜電放電單元的具體結(jié)構(gòu)而定，靜電放電單元的具體結(jié)構(gòu)可以參考之前的相關(guān)說明，在此不做贅述。

本公開的實(shí)施例提供一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板，并且可以具有以下至少一項(xiàng)有益效果：

(1)該靜電放電單元可以實(shí)現(xiàn)雙向靜電釋放，占用空間小，有利于產(chǎn)品的小型化。

(2)該靜電放電單元可以在制備陣列基板的同時，與陣列基板的顯示區(qū)域中的薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)同步制備，不會增加陣列基板的制備工藝，節(jié)省成本。

對于本公開，還有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)本公開實(shí)施例附圖只涉及到與本公開實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見，在用于描述本公開的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本公開的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上，僅為本公開的具體實(shí)施方式，但本公開的保護(hù)范圍并不局限于此，本公開的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。