技術(shù)特征：

1.SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于包括以下步驟：

(1) 在硅片表面生長SiO₂薄膜后，進一步在SiO₂薄膜表面生長金屬薄膜，制得MIS器件；

(2) 對步驟（1）中得到的MIS器件進行C/V測試，獲取平帶電壓V_fb，進而計算得到總的電荷密度N_tot；

(3) 對經(jīng)過步驟（2）C/V測試的MIS器件進行深能級瞬態(tài)譜測試，獲取界面態(tài)的能級態(tài)密度隨能級的分布，將界面態(tài)的能級密度對能級進行積分后獲取總的界面態(tài)N_it；

(4) 根據(jù)公式N_tot = N_ot + N_it，獲得N_ot，實現(xiàn)SiO₂中電荷與SiO₂/ Si界面態(tài)的分離測試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：步驟(1)中所述硅片的電阻率介于0.1 – 50 Ω. cm之間，導(dǎo)電類型為n型或者p型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：步驟(1)中生長得到的SiO₂薄膜的厚度為30 – 300 nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：所述SiO₂薄膜的生長方法采用干氧氧化法，或者濕氧氧化，或者化學(xué)濺射法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：步驟(1)中所述的金屬薄膜為金薄膜，或者鋁薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：所述金屬薄膜的生長方法采用磁控濺射法，或者電子束蒸發(fā)法，或者熱蒸發(fā)法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：步驟(2)中所述C/V測試時的溫度為室溫。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiO₂中電荷與SiO₂/Si界面態(tài)的分離測試方法，其特征在于：步驟(3)中所述深能級瞬態(tài)譜測試中采用的填充時間是1 - 100 ms，測試的溫度范圍介于10 - 350 K之間。