本申請(qǐng)要求于2016年1月11日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0003082號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用包含于此。

本公開涉及一種包括薄膜晶體管陣列面板的顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

包括在諸如顯示裝置的各種電子裝置中的晶體管包括被提供柵極信號(hào)的柵電極、被提供電壓的源電極、面對(duì)源電極的漏電極以及電連接到源電極和漏電極的半導(dǎo)體。

當(dāng)晶體管是包括設(shè)置在基底上的多個(gè)薄膜的薄膜晶體管(tft)時(shí)，絕緣層設(shè)置在tft的電極層之間和tft上。這樣的絕緣層可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料中的至少一種。設(shè)置在tft的電極層之間的絕緣層通常包括無(wú)機(jī)絕緣材料。

對(duì)于將要從信號(hào)線或諸如另一tft的電子元件提供電壓或者將電壓傳輸?shù)叫盘?hào)線或諸如另一tft的電子元件的tft的每個(gè)電極，設(shè)置在tft的電極層之間或tft上的絕緣層包括用于連接設(shè)置在彼此不同的層處的電極的接觸孔。

在該背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)發(fā)明的背景的理解，因此，它可能包含不構(gòu)成在本國(guó)已被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在設(shè)置在tft的電極之間的絕緣層中形成接觸孔的制造工藝中，如果相對(duì)于基底設(shè)置在tft上以覆蓋tft的絕緣層的材料的至少一部分與設(shè)置在tft的電極之間的絕緣層的材料不同，那么覆蓋tft的絕緣層的一部分也被去除以暴露tft的電極。因此，在tft的暴露的電極上會(huì)剩余一層。這樣的剩余層增大了接觸孔處的接觸電阻，導(dǎo)致tft的特性的劣化。另外，如果覆蓋tft的絕緣層的一部分變薄，那么會(huì)暴露tft的電極并且會(huì)發(fā)生短路。

具體地，在覆蓋tff的絕緣層包括有機(jī)絕緣材料的情況下，由有機(jī)材料的剩余層產(chǎn)生的影響會(huì)更加嚴(yán)重。

因此，本公開的實(shí)施例旨在防止在tft陣列面板的制造工藝期間設(shè)置在tft上的絕緣層的損失，特別是包括有機(jī)絕緣材料的絕緣層的損失，因此，以防止在絕緣層的接觸孔處的接觸電阻的增大和tft的特性的劣化。

本公開的實(shí)施例還旨在防止在相對(duì)于tft上的絕緣層的上方和下方設(shè)置的電極之間的短路。

實(shí)施例提供了一種包括tft陣列面板的顯示裝置，tft陣列面板包括：第一基底；第一電極，設(shè)置在第一基底上；第一絕緣層，包括第一孔，第一絕緣層設(shè)置在第一電極上；第二絕緣層，設(shè)置在第一絕緣層上并且包括與第一孔對(duì)應(yīng)的第二孔；以及蓋層，包括第一內(nèi)部部分，蓋層設(shè)置在形成第二孔的內(nèi)側(cè)表面上，其中，第一內(nèi)部部分的設(shè)置在第二孔中的端部與第一電極分開。

第二孔的平面尺寸可以大于第一孔的平面尺寸。

蓋層可以包括設(shè)置在第二絕緣層的上表面上并且與第一內(nèi)部部分連接的上部部分。

tft陣列面板還可以包括設(shè)置在蓋層上并且通過第一孔和第二孔與第一電極連接的導(dǎo)體。

上部部分包括與導(dǎo)體疊置的至少一部分以及不與導(dǎo)體疊置的部分。

tft陣列面板還可以包括設(shè)置在第一絕緣層與第二絕緣層之間并且包括與第一孔和第二孔對(duì)應(yīng)的第三孔的第三絕緣層以及設(shè)置在第一絕緣層和第三絕緣層之間的第二電極，其中，第三絕緣層還包括設(shè)置在第二電極上的第四孔，其中，第二絕緣層還包括與第四孔對(duì)應(yīng)的第五孔，其中，蓋層還包括位于形成第五孔的內(nèi)側(cè)表面上的第二內(nèi)部部分。

蓋層可以包括設(shè)置在第二絕緣層的上表面上的切口。

第一內(nèi)部部分的設(shè)置在第二孔中的厚度可以不均勻。

第二絕緣層的形成第二孔的內(nèi)側(cè)表面可以包括其上設(shè)置有第一內(nèi)部部分的第一表面和面對(duì)第一表面的第二表面，其中，蓋層可以不設(shè)置在第二表面上。

第一內(nèi)部部分的厚度可以在更接近于第一基底處更薄。

蓋層還可以包括設(shè)置在第二絕緣層的上表面上并且與第一內(nèi)部部分連接的上部部分。

tft陣列面板還可以包括設(shè)置在蓋層上并且通過第一孔與第一電極連接的導(dǎo)體，其中，導(dǎo)體覆蓋上部部分的上表面。

蓋層可以不設(shè)置在第一絕緣層的形成第一孔的內(nèi)側(cè)表面上。

實(shí)施例提供了一種用于制造包括tft陣列面板的顯示裝置的方法，所述方法包括：在第一基底上形成第一電極；在第一電極上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成第二絕緣層；在第二絕緣層中形成第一孔；在第二絕緣層上形成蓋層；去除蓋層的設(shè)置在第一孔中的一部分；以及通過去除與蓋層的在第一孔中的去除部分對(duì)應(yīng)的第一絕緣層，形成與第一孔對(duì)應(yīng)的第二孔。

用于形成第一孔的光掩模和用于去除蓋層的設(shè)置在第一孔中的部分的光掩?？梢韵嗤?。

在去除蓋層的設(shè)置在第一孔中的部分時(shí)使用的光掩模可以包括具有彼此不同的透射率的三個(gè)區(qū)域。

在去除蓋層的設(shè)置在第一孔中的部分時(shí)，可以形成使第二絕緣層的上表面暴露的切口。

在第二絕緣層的形成第一孔的內(nèi)側(cè)表面上形成的蓋層的厚度可以不均勻。

第二絕緣層的形成第一孔的內(nèi)側(cè)表面可以包括其上不形成有蓋層的部分。

在第二絕緣層的內(nèi)側(cè)表面上形成的蓋層的厚度可以在更接近于第一基底處可以更薄。

所述方法還可以包括形成通過第一孔和第二孔與第一電極連接的導(dǎo)體。

可以去除蓋層的一部分，使得第二絕緣層的上表面暴露。

附圖說(shuō)明

圖1和圖2均是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的剖視圖，

圖3至圖7均是順序地示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖，

圖8和圖9均是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的剖視圖，

圖10至圖15均是順序地示出圖8或圖9中示出的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖，

圖16和圖17均是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的剖視圖，

圖18至圖23均是順序地示出圖16或圖17中示出的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖，

圖24和圖25均是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的剖視圖，

圖26至圖29均是順序地示出圖24或圖25中示出的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中將參照其中示出特定實(shí)施例的附圖更加充分地描述本公開。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種方式修改所描述的實(shí)施例。

在附圖中，為了清楚起見，可以夸大層、膜、面板和區(qū)域等的厚度。同樣的附圖標(biāo)記在整個(gè)說(shuō)明書中通常指示同樣的元件。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在另一元件上或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí)，則不存在中間元件。

貫穿此說(shuō)明書和權(quán)利要求書，當(dāng)描述元件(要素)“結(jié)合”到另一元件(要素)時(shí)，該元件(要素)可以“直接結(jié)合”到所述另一元件(要素)或者通過第三元件(要素)“電結(jié)合”到所述另一元件(要素)。另外，除非明確地相反描述，否則詞語(yǔ)“包括”、“包含”及其變形將被理解為意味著包括所陳述的元件(要素)，但是并不排除任何其它元件(要素)。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D1和圖2描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的薄膜晶體管(tft)陣列面板。

圖1和圖2均是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的剖視圖。

根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板1是可以在諸如以顯示裝置為例的電子裝置中包括的面板。tft陣列面板1包括設(shè)置在包括絕緣材料的第一基底110上的多個(gè)薄膜晶體管。在一些實(shí)施例中，tft陣列面板1可以是柔性面板。

這里，與圖1和圖2中示出的第一基底110的剖面平行且在圖1和圖2中沿上方向的方向?qū)⒈环Q為剖面方向，沿剖面方向觀察到的結(jié)構(gòu)或視圖將被稱為剖面結(jié)構(gòu)或剖視圖。這里，可以觀察到第一基底110的主表面所沿的方向?qū)⒈环Q為平面方向，沿平面方向觀察到的結(jié)構(gòu)或視圖將被稱為平面結(jié)構(gòu)或平面圖。當(dāng)描述剖視圖中的堆疊的結(jié)構(gòu)時(shí)，組成元件設(shè)置在另一元件上的描述在這里意味著所述組成元件沿剖面方向設(shè)置在所述另一組成元件上。

第一基底110可以包括諸如以塑料和玻璃為例的絕緣材料。

第二基底111可以設(shè)置在第一基底110上。第二基底111可以是包括諸如以聚酰亞胺(pi)為例的材料的柔性基底。

可以在一些實(shí)施例中省略第一基底110和第二基底111中的任何一個(gè)。例如，如果tft陣列面板1具有柔性，使得tft陣列面板1可以彎曲或彎折，則可以省略第一基底110。

緩沖層112可以設(shè)置在第二基底111上。緩沖層112可以防止雜質(zhì)從第一基底110或第二基底111流入到設(shè)置在緩沖層112上的元件(例如，流入到包括在tft中的半導(dǎo)體)，如下所述，使得緩沖層112可以保護(hù)半導(dǎo)體并改善tft的特性。

緩沖層112可以包括諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)或氧化釔(y2o3)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料。緩沖層112可以是單層或者兩個(gè)層或更多個(gè)層的多層。圖1和圖2描繪了緩沖層112是單層的示例。與圖1和圖2不同，可以去除緩沖層112的一部分?？蛇x擇地，可以省略緩沖層112。

多個(gè)tfttr1和tr2以及第一導(dǎo)體126設(shè)置在緩沖層112上。

tfttr1包括柵電極125a、半導(dǎo)體131a、源電極133a、漏電極135a以及設(shè)置在半導(dǎo)體131a與柵電極125a之間的第一絕緣層140a。tfttr2包括柵電極125b、半導(dǎo)體131b、源電極133b、漏電極135b以及設(shè)置在半導(dǎo)體131b與柵電極125b之間的第一絕緣層140a。

第一絕緣層140a可以包括諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sioxny)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料。第一絕緣層140a可以是單層或者兩個(gè)層或更多個(gè)層的多層。

在平面圖中，半導(dǎo)體131a和131b分別與柵電極125a和125b疊置，使第一絕緣層140a置于它們之間，在圖1和圖2中示出的剖視圖中，半導(dǎo)體131a和131b分別對(duì)應(yīng)于柵電極125a和125b設(shè)置。tfttr1和tr2的溝道分別形成在半導(dǎo)體131a和131b中的每個(gè)中。

根據(jù)實(shí)施例，在tfttr1中，源電極133a和漏電極135a相對(duì)于半導(dǎo)體131a設(shè)置在其背對(duì)側(cè)處并彼此分開；在tfttr2中，源電極133b和漏電極135b相對(duì)于半導(dǎo)體131b設(shè)置在其背對(duì)側(cè)處并彼此分開。源電極133a和133b以及漏電極135a和135b可以與半導(dǎo)體131a和131b設(shè)置在同一層處，并且可以與相應(yīng)的半導(dǎo)體131a和131b直接連接。然而，實(shí)施例不限于此，源電極133a和133b以及漏電極135a和135b可以設(shè)置在與半導(dǎo)體131a和131b不同的層處，并且可以分別電連接到半導(dǎo)體131a和131b。

在源電極133a和133b以及漏電極135a和135b與半導(dǎo)體131a和131b設(shè)置在同一層的情況下，源電極133a和133b、漏電極135a和135b以及半導(dǎo)體131a和131b可以包括相同的材料，例如，相同的氧化物。包括在半導(dǎo)體131a和131b、源電極133a和133b以及漏電極135a和135b中的氧化物可以包括諸如以鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)或鈦(ti)為例的金屬或者諸如以鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)或鈦(ti)為例的金屬的組合的氧化物。

作為導(dǎo)體的源電極133a和133b以及漏電極135a和135b的載流子濃度大于半導(dǎo)體131a和131b的載流子濃度。

源電極133a和133b以及漏電極135a和135b可以包括包含在形成tfttr1和tr2的溝道的半導(dǎo)體131a和131b中的氧化物半導(dǎo)體的還原材料。與包括在半導(dǎo)體131a和131b中的氧化物半導(dǎo)體一起，源電極133a和133b以及漏電極135a和135b還可以包括氟(f)、氫(h)和硫(s)中的至少一種?？梢酝ㄟ^使用諸如以等離子體處理為例的方法使氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)電來(lái)形成這樣的源電極133a和133b以及漏電極135a和135b。例如，氧化物半導(dǎo)體可以在腔中利用包括氟(f)、氫(h)和硫(s)中的至少一種的氣體來(lái)?yè)诫s，使得可以形成根據(jù)實(shí)施例的源電極133a和133b以及漏電極135a和135b。

源電極133a和133b、漏電極135a和135b以及半導(dǎo)體131a和131b的這樣的結(jié)構(gòu)是示例，tft的結(jié)構(gòu)不限于此。

源電極133a和133b、漏電極135a和135b以及半導(dǎo)體131a和131b設(shè)置在第一絕緣層140a與緩沖層112之間，柵電極125a和125b可以設(shè)置在第一絕緣層140a上方?？蛇x擇地，柵電極125a和125b可以設(shè)置在半導(dǎo)體131a和131b與第一基底110之間的層處。

在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)體126可以與柵電極125a和125b設(shè)置在同一層處。

第二絕緣層140b相對(duì)于第一基底110設(shè)置在tfttr1和tr2以及第一導(dǎo)體126上方。第二絕緣層140b可以包括諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sioxny)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料，并且可以是單層或者兩個(gè)層或更多個(gè)層的多層。

第二導(dǎo)體127可以設(shè)置在第二絕緣層140b上。第二導(dǎo)體127可以包括與柵電極125b疊置的部分，使第二絕緣層140b置于它們之間?？梢栽谝恍?shí)施例中省略第二導(dǎo)體127。在這樣的實(shí)施例中，也可以省略第二絕緣層140b。

第三絕緣層160相對(duì)于第一基底110設(shè)置在第二絕緣層140b和第二導(dǎo)體127上。第三絕緣層160可以包括有機(jī)材料。如果第三絕緣層160包括有機(jī)材料，則可以減少在彎曲tft陣列面板1時(shí)對(duì)第三絕緣層160的損壞，從而可以改善tft陣列面板1的柔性。

第三絕緣層160、第二絕緣層140b和第一絕緣層140a包括設(shè)置在tfttr1和tr2的電極中的至少一個(gè)上的接觸孔cnt1和cnt2、以及設(shè)置在第一導(dǎo)體126或第二導(dǎo)體127上的接觸孔cnt3。圖1和圖2示出接觸孔cnt1設(shè)置在tfttr1的源電極133a上、接觸孔cnt2設(shè)置在tfttr1的漏電極135a上以及接觸孔cnt3設(shè)置在第一導(dǎo)體126上的示例，但是其上設(shè)置有第三絕緣層160、第二絕緣層140b和第一絕緣層140a的接觸孔cnt1、cnt2和cnt3的電極不限于此，可以存在設(shè)置在第三絕緣層160與緩沖層112之間的各種不同的電極。

接觸孔cnt1包括位于第一絕緣層140a和第二絕緣層140b中的孔143、以及與孔143對(duì)應(yīng)并對(duì)準(zhǔn)的孔163。接觸孔cnt2包括位于第一絕緣層140a和第二絕緣層140b中的孔145、以及與孔145對(duì)應(yīng)并對(duì)準(zhǔn)的孔165。接觸孔cnt3包括位于第二絕緣層140b中的孔146、以及與孔146對(duì)應(yīng)并對(duì)準(zhǔn)的孔166。

第三絕緣層160的孔163在平面圖中的平面尺寸可以大于第一絕緣層140a和第二絕緣層140b在接觸孔cnt1處的孔143的平面尺寸。第三絕緣層160的孔165的平面尺寸可以大于第一絕緣層140a和第二絕緣層140b在接觸孔cnt2處的孔145的平面尺寸。第三絕緣層160的孔166的平面尺寸可以大于第二絕緣層140b在接觸孔cnt3處的孔146的平面尺寸。然而，第三絕緣層160的孔163、165和166的平面尺寸不限于此，可以分別與第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的與第三絕緣層160的各個(gè)孔163、165和166對(duì)應(yīng)的孔143、145和146的平面尺寸相似或小于該尺寸。

蓋層150設(shè)置在第三絕緣層160的上表面或側(cè)表面上。第三絕緣層160的上表面可以是與第一基底110的主表面基本上平行的表面。第三絕緣層160的側(cè)表面包括限定孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面。

蓋層150包括設(shè)置在限定第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面上的內(nèi)部部分153、155和156。在接觸孔cnt1、cnt2和cnt3中，內(nèi)部部分153、155和156設(shè)置在限定第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面上，接觸內(nèi)側(cè)表面，并且不設(shè)置在限定第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的孔143、145和146的內(nèi)側(cè)表面上。因此，設(shè)置在接觸孔cnt1、cnt2和cnt3中的內(nèi)部部分153、155和156的端部與其上設(shè)置有接觸孔cnt1、cnt2和cnt3的電極133a和135a以及第一導(dǎo)體126分開，分開距離可以與第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的沿剖面方向的厚度相似或者大于此厚度。

蓋層150的內(nèi)部部分153、155和156可以設(shè)置在限定第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面的整個(gè)區(qū)域上，但實(shí)施例不限于此，內(nèi)部部分153、155和156可以設(shè)置在限定第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面的一部分上。

參照?qǐng)D1和圖2，蓋層150的內(nèi)部部分153和155的下端部的邊緣可以與第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的設(shè)置在內(nèi)部部分153和155的下端部的邊緣的下方的孔143和145的邊緣對(duì)準(zhǔn)，蓋層150的內(nèi)部部分156的下端部的邊緣可以與第二絕緣層140b的設(shè)置在內(nèi)部部分156的下端部的邊緣的下方的孔146的邊緣對(duì)準(zhǔn)。蓋層150的內(nèi)部部分153、155和156以及第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的孔143、145和146的內(nèi)表面可以一起形成接觸孔cnt1、cnt2和cnt3。

蓋層150可以包括設(shè)置在第三絕緣層160的上表面上并且與內(nèi)部部分153、155和156連接的上部部分。上部部分可以與相鄰的內(nèi)部部分153、155和156連接。

蓋層150的材料不被具體地限制，而是可以包括例如無(wú)機(jī)絕緣材料或金屬。在蓋層150包括無(wú)機(jī)絕緣材料的實(shí)施例中，蓋層150的無(wú)機(jī)絕緣材料的刻蝕率可以與第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的絕緣材料的刻蝕率不同。

根據(jù)tfttr1的功能或類型，可以省略接觸孔cnt1和接觸孔cnt2中的至少一個(gè)，并且根據(jù)tfttr2的功能或類型，可以在第三絕緣層160、第二絕緣層140b和第一絕緣層140a中形成設(shè)置在tfttr2的電極上的接觸孔(未示出)。

多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176設(shè)置在蓋層150上。數(shù)據(jù)導(dǎo)體173通過接觸孔cnt1與tfttr1的源電極133a電連接，數(shù)據(jù)導(dǎo)體175通過接觸孔cnt2與tfttr1的漏電極135a電連接，數(shù)據(jù)導(dǎo)體176通過接觸孔cnt3與第一導(dǎo)體126電連接。

根據(jù)圖1中示出的實(shí)施例，蓋層150可以包括不被數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176覆蓋的表面。在這種情況下，由數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176包括的材料可以與由蓋層150包括的材料不同。具體地，數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176可以包括刻蝕率與蓋層150的材料的刻蝕率不同的材料。蓋層150可以覆蓋第三絕緣層160的除了接觸孔cnt1、cnt2和cnt3的內(nèi)表面之外的上表面。

根據(jù)圖2中示出的實(shí)施例，蓋層150與數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176可以一起暴露第三絕緣層160的上表面。在這種情況下，數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176以及蓋層150可以包括具有彼此相似的刻蝕率的材料。在蓋層150具有導(dǎo)電性的情況下，蓋層150可以與數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176中的每個(gè)一起形成電極。

鈍化層(未示出)可以設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176上。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D3至圖7以及圖1和圖2描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法。

圖3至圖7均是順序地示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖。

首先，參照?qǐng)D3，在第一基底110上形成第二基底111，通過使用諸如以化學(xué)氣相沉積(cvd)為例的方法在第二基底111上沉積諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)或氧化釔(y2o3)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料來(lái)形成緩沖層112。

然后，在緩沖層112上沉積半導(dǎo)體材料層并將其圖案化以形成半導(dǎo)體層(未示出)。例如，半導(dǎo)體材料可以包括諸如氧化鋅(zno)、氧化鋅錫(zto)、氧化鋅銦(zio)、氧化銦(ino)、氧化鈦(tio)、氧化銦鎵鋅(igzo)或氧化銦鋅錫(izto)等的氧化物半導(dǎo)體材料，但不限于此。在形成半導(dǎo)體層之后，通過還原半導(dǎo)體層的一部分或者用雜質(zhì)摻雜半導(dǎo)體層的一部分，半導(dǎo)體層的一部分可以變成源電極133a和133b以及漏電極135a和135b。半導(dǎo)體層的尚未變成源電極133a和133b以及漏電極135a和135b的剩余部分形成半導(dǎo)體131a和131b。

接下來(lái)，通過沉積諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sioxny)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料，在具有半導(dǎo)體層的情況下在第一基底110上形成第一絕緣層140a。

然后，在第一絕緣層140a上沉積諸如以金屬為例的導(dǎo)電材料，以形成導(dǎo)電層，將導(dǎo)電層圖案化以形成柵電極125a和125b以及第一導(dǎo)體126。

隨后，可以使用諸如熱處理或等離子體處理的方法處理在平面圖中沒有被柵電極125a和125b覆蓋的半導(dǎo)體層，以形成源電極133a和133b以及漏電極135a和135b。在這種情況下，可以省略在形成第一絕緣層140a之前還原半導(dǎo)體層的一部分或者用雜質(zhì)摻雜半導(dǎo)體層的一部分的步驟。

然后通過在第一基底110上沉積諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sioxny)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料來(lái)形成第二絕緣層140b。

然后，在第二絕緣層140b上沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電層，將導(dǎo)電層圖案化以形成第二導(dǎo)體127。

然后，在第二絕緣層140b和第二導(dǎo)體127上沉積絕緣材料，以形成第三絕緣層160。第三絕緣層160可以包括有機(jī)材料并且具有光敏性。

參照?qǐng)D4，通過使用諸如以光刻為例的工藝將第三絕緣層160圖案化，在第三絕緣層160中形成多個(gè)孔163、165和166?？?63對(duì)應(yīng)于源電極133a，孔165對(duì)應(yīng)于漏電極135a，孔166對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)體126。

當(dāng)源電極133a、漏電極135a和第一導(dǎo)體126上的接觸孔的目標(biāo)尺寸與如圖4中由虛線所示的虛擬接觸孔cnt_v相似時(shí)，第三絕緣層160的孔163、165和166的平面尺寸可以稍大于虛擬接觸孔cnt_v的平面尺寸。為此，在暴露于光之后，在顯影工藝中，可以將第三絕緣層160過度顯影，直至形成比虛擬接觸孔cnt_v的平面尺寸略大的孔163、165和166

參照?qǐng)D5，在第三絕緣層160上通過使用諸如以濺射法為例的方法沉積無(wú)機(jī)絕緣材料或者諸如金屬的導(dǎo)電材料，以形成蓋層150。

參照?qǐng)D6，使用諸如光刻的方法將蓋層150圖案化，以去除蓋層150的設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中的部分。蓋層150的去除部分大體上對(duì)應(yīng)于虛擬接觸孔cnt_v，并且可以是具有設(shè)置在孔163、165和166中的蓋層150中面向圖5中的上方向的表面的部分。這樣，形成了設(shè)置在第三絕緣層160的內(nèi)側(cè)表面上且與孔163、165和166中的內(nèi)側(cè)表面接觸的內(nèi)部部分153、155和156，并且暴露第二絕緣層140b的與孔163、165和166對(duì)應(yīng)的上表面的至少一部分。

在去除設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中的蓋層150的一部分的工藝中使用的光掩?？梢允窃谕ㄟ^將第三絕緣層160圖案化來(lái)形成多個(gè)孔163、165和166的工藝中使用的相同的光掩模。

接下來(lái)，參照?qǐng)D7，通過使用諸如以干蝕刻為例的方法來(lái)去除第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的不被圖案化的蓋層150覆蓋的部分，以形成暴露tfttr1和tr2的至少一個(gè)電極的孔143和孔145以及暴露第一導(dǎo)體126或第二導(dǎo)體127的孔146。在這個(gè)工藝中，圖案化的蓋層150可以用作對(duì)于第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻掩模。

這樣，蓋層150的內(nèi)部部分153、155和156以及第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的孔143、145和146一起形成暴露tfttr1和tr2的至少一個(gè)電極以及第一導(dǎo)體126或第二導(dǎo)體127的接觸孔cnt1、cnt2和cnt3。

在第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝中使用的蝕刻氣體的對(duì)于蓋層150的刻蝕率與對(duì)于第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的刻蝕率之間的差異可以相當(dāng)?shù)卮?。這樣，可以在第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間保留蓋層150的大部分。

因此，在用于形成接觸孔cnt1、cnt2和cnt3的第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間，第三絕緣層160的大部分由于被蓋層150覆蓋而可以被保護(hù)免受蝕刻。因此，包括在第三絕緣層160中的諸如以當(dāng)?shù)谌^緣層160包括有機(jī)材料時(shí)第三絕緣層160的有機(jī)材料為例的材料可以在第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間不被去除。因此，可以防止由被接觸孔cnt1、cnt2和cnt3暴露的電極上的有機(jī)材料產(chǎn)生剩余層。因此，可以防止在接觸孔cnt1、cnt2和cnt3處的接觸電阻的增大，并且可以防止tfttr1和tr2的特性的劣化。

由于在第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間不損壞或損失第三絕緣層160，所以可以保持第三絕緣層160的足夠的厚度。因此，可以防止諸如第二導(dǎo)體127的最靠近第三絕緣層160的上表面的導(dǎo)體暴露于外部，從而可以防止在第二導(dǎo)體127與在后續(xù)工藝中將要形成在第三絕緣層160上的導(dǎo)體之間的電連接和短路。

由于因?yàn)榈谌^緣層160的光刻工藝中的曝光技術(shù)的局限性，在第三絕緣層160的最大厚度方面存在限制，所以在去除第三絕緣層160時(shí)在分別設(shè)置在第三絕緣層160上和下方的不同導(dǎo)體之間會(huì)容易地產(chǎn)生短路。然而，根據(jù)實(shí)施例，在最大厚度方面具有這樣的限制的第三絕緣層160被蓋層150保護(hù)，因此防止被去除，因此可以防止分別設(shè)置在第三絕緣層160上和下方的不同導(dǎo)體之間的短路。

可以在第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝之后執(zhí)行使用諸如以氧氣為例的氣體的灰化工藝。即使在這樣的灰化工藝中，由于蓋層150覆蓋第三絕緣層160的大部分，所以可以防止第三絕緣層160的損失以及由第三絕緣層160的材料組成的剩余層的形成。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1和圖2，在蓋層150上沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料，然后將導(dǎo)電材料圖案化以形成多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176。如上所述，通過蓋層150防止由第三絕緣層160的材料在電極133a和135a或第一導(dǎo)體126上形成剩余層，其中，數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176接觸為與電極133a和135a或第一導(dǎo)體126電連接。因此，可以防止在數(shù)據(jù)導(dǎo)體173或175與電極133a或135a之間或者在數(shù)據(jù)導(dǎo)體176與第一導(dǎo)體126之間的接觸電阻的增大。

參照?qǐng)D1，在數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176的圖案化期間，可以不去除而保留蓋層150。在這樣的實(shí)施例中，蓋層150可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料。

參照?qǐng)D2，在數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176的圖案化中，蓋層150也可以與數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176一起被去除和圖案化。在這樣的實(shí)施例中，蓋層150可以包括諸如金屬的導(dǎo)電材料。

這樣，在第一基底110上形成所有的層之后，可以使第一基底110脫落。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D8和圖9描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板。如在先前描述的實(shí)施例中，同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件，并且將省略相同的描述，且將集中于差異，在下文中如此適用。

圖8和圖9均是根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板的剖視圖。

圖8和圖9中示出的根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板1與圖1和圖2中示出的實(shí)施例幾乎相同，但是蓋層150的形狀可以不同。蓋層150不存在于第三絕緣層160的上表面的整個(gè)區(qū)域上，而是被部分地去除以被圖案化。具體地，蓋層150圍繞接觸孔cnt1、cnt2和cnt3中的每個(gè)限制地形成，使得蓋層150的分別與不同的接觸孔cnt1、cnt2和cnt3對(duì)應(yīng)的部分可以彼此分開。

具體地，參照?qǐng)D9，蓋層150可以包括設(shè)置在第三絕緣層160的上表面上并且設(shè)置在相鄰的接觸孔cnt1、cnt2和cnt3之間的多個(gè)切口158。

參照?qǐng)D8，蓋層150可以包括暴露的且不被數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176覆蓋的表面。在這樣的實(shí)施例中，由數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176包括的材料可以與由蓋層150包括的材料不同。數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176以及蓋層150可以包括刻蝕率彼此不同的材料。

參照?qǐng)D9，數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176以及蓋層150可以一起暴露第三絕緣層160。在蓋層150具有導(dǎo)電性的情況下，蓋層150與數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176一起可以形成電極。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D10至圖15以及圖8和圖9描述根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板的制造方法。

圖10至圖15均是順序地示出圖8或圖9中示出的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖。

由于根據(jù)實(shí)施例的用于tft陣列面板的制造方法與根據(jù)之前描述的實(shí)施例的制造方法大部分相同，因此這里將主要描述差異。

首先，參照?qǐng)D10，在執(zhí)行如先前描述的圖3至圖5中示出的步驟之后，通過在蓋層150上沉積諸如光致抗蝕劑的光敏材料形成光敏層50。然后，在光敏層50上方設(shè)置光掩模80，然后光敏層50經(jīng)由光掩模80暴露于光。

光掩模80可以包括具有彼此不同的透射率的至少三個(gè)區(qū)域。例如，在光敏層50具有去除未被曝光的部分的負(fù)光敏性的情況下，光掩模80的透明區(qū)t對(duì)應(yīng)于光敏層50的應(yīng)當(dāng)是最厚的部分，光掩模80的半透明區(qū)h對(duì)應(yīng)于光敏層50的應(yīng)當(dāng)是比最厚部分薄的部分，光掩模80的不透明部o對(duì)應(yīng)于光敏層50的應(yīng)當(dāng)是被去除的部分。光掩模80的半透明區(qū)h對(duì)應(yīng)于第三絕緣層160的孔163、165和166。光掩模80的透射率按照透明區(qū)t、半透明區(qū)h和不透明部o的次序順序地減小。半透明區(qū)h是僅一部分的光可以通過其透射的部分，并可以具有狹縫、諸如以柵格為例的圖案或者用于控制光的透射程度的半透明膜。

在光敏材料具有正光敏性的情況下，光掩模80的透射率相對(duì)于負(fù)光敏性的情況是相反的。

接下來(lái)，參照?qǐng)D11，顯影經(jīng)由光掩模80暴露于光的光敏層50，去除光敏層50的與光掩模80的不透明部o對(duì)應(yīng)的部分，并保留光敏層50的與透明區(qū)t和半透明區(qū)h對(duì)應(yīng)的部分，以形成光敏層圖案50'。光敏層圖案50'包括與半透明區(qū)h對(duì)應(yīng)的第一部50a和與透明區(qū)t對(duì)應(yīng)的第二部50b，第一部50a的沿剖面方向的厚度小于第二部50b的沿剖面方向的厚度。第一部50a與第三絕緣層160的孔163、165和166中的每個(gè)對(duì)應(yīng)地設(shè)置。第一部50a的平面寬度可以小于第三絕緣層160的孔163、165和166中的每個(gè)的平面寬度。

參照?qǐng)D12，通過諸如使用光敏層圖案50'作為蝕刻掩模的蝕刻的方法去除蓋層150，以形成多個(gè)切口158。通過蓋層150的切口158暴露第三絕緣層160的上表面。切口158可以包括設(shè)置在第三絕緣層160的相鄰的孔163、165和166之間的部分。

接下來(lái)，參照?qǐng)D12和圖13，去除光敏層圖案50'的第一部50a以留下第二部50b。第二部50b的沿剖面方向的厚度可以變得更薄。通過去除第一部50a，暴露蓋層150的設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中的部分。蓋層150的在第三絕緣層160的孔163、165和166中的暴露部分的平面尺寸可以小于第三絕緣層160的孔163、165和166中的每個(gè)的平面尺寸。在蓋層150的設(shè)置在孔163、165和166中的部分中，可以暴露最靠近第一基底110的部分或者具有與第一基底110的表面基本上平行的表面的部分。

接下來(lái)，參照?qǐng)D14，使用第二部50b作為蝕刻掩模來(lái)去除暴露的蓋層150。因此，去除蓋層150的設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中的部分，從而暴露第二絕緣層140b，并且形成設(shè)置在孔163、165和166中的設(shè)置在第三絕緣層160的內(nèi)側(cè)表面上且與第三絕緣層160的內(nèi)側(cè)表面接觸的內(nèi)部部分153、155和156。

暴露的第二絕緣層140b設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中，并且可以具有比第三絕緣層160的對(duì)應(yīng)的孔163、165和166的平面尺寸小的尺寸，但是不限于此。

參照?qǐng)D15，通過使用諸如蝕刻的方法去除第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的不被圖案化的蓋層150覆蓋的部分，以形成暴露tfttr1和tr2的至少一個(gè)電極的孔143和孔145以及暴露第一導(dǎo)體126或第二導(dǎo)體127的孔146。圖15示出孔146暴露第一導(dǎo)體126的示例。

蓋層150的內(nèi)部部分153、155和156與第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的孔143、145和146一起形成暴露tfttr1和tr2的至少一個(gè)電極以及第一導(dǎo)體126的接觸孔cnt1、cnt2和cnt3。

這樣，在用于形成接觸孔cnt1、cnt2和cnt3的第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間，因?yàn)樵诘谝唤^緣層140a和第二絕緣層140b被蝕刻的部分周圍設(shè)置的第三絕緣層160被蓋層150覆蓋，所以可以保護(hù)第三絕緣層160免受蝕刻。

可以在第一絕緣層140a和第二絕緣層140b的蝕刻工藝之后執(zhí)行使用諸如以氧氣為例的氣體的灰化工藝。即使在這樣的灰化工藝中，由于蓋層150覆蓋第三絕緣層160的大部分，所以可以防止第三絕緣層160的損失以及包括第三絕緣層160的材料的剩余層的形成。

接下來(lái)，參照?qǐng)D8和圖9，在蓋層150上沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料，然后將導(dǎo)電材料圖案化，以形成多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176。參照?qǐng)D8，在數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176的圖案化期間，可以不去除而保留未被數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176覆蓋而被暴露的蓋層150。在這種情況下，蓋層150可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料。參照?qǐng)D9，在數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176的圖案化的步驟中，也可以去除蓋層150。在這種情況下，蓋層150可以包括諸如金屬的導(dǎo)電材料。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D16和圖17描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板。

圖16和圖17均是根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板的剖視圖。

圖16和圖17中示出的根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板1與圖1和圖2中示出的實(shí)施例幾乎相同，但是tfttr1和tr2的結(jié)構(gòu)可以不同。

絕緣體141a和141b可以設(shè)置在tfttr1和tr2的半導(dǎo)體131a和131b與柵電極125a和125b之間，絕緣體141c設(shè)置在第一導(dǎo)體126與緩沖層112之間，并且在平面圖中相鄰的絕緣體141a、141b和141c彼此分開。

絕緣體141a、141b和141c中的每個(gè)的平面形狀可以與相應(yīng)地疊置的柵電極125a和125b或第一導(dǎo)體126的平面形狀相同。也就是說(shuō)，絕緣體141a、141b和141c的上表面的邊緣可以與柵電極125a和125b或第一導(dǎo)體126的下表面的邊緣基本上平行。兩個(gè)邊緣基本上彼此平行意味著兩個(gè)邊緣彼此對(duì)齊或者即使不彼此對(duì)齊也以預(yù)定的距離基本上彼此平行。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體131a和131b的平面形狀可以與絕緣體141a和141b的平面形狀基本上相同。半導(dǎo)體131a和131b的上表面的邊緣可以與直接設(shè)置在半導(dǎo)體131a和131b上的絕緣體141a和141b的下表面的邊緣基本上平行。

絕緣體141a和141b覆蓋相應(yīng)的半導(dǎo)體131a和131b的大部分。

根據(jù)圖16中示出的實(shí)施例，與圖1中示出的實(shí)施例相似，可以不去除而保留覆蓋第三絕緣層160的上表面的蓋層150。

根據(jù)圖17中示出的實(shí)施例，與圖2中示出的實(shí)施例相似，蓋層150與數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176一起可以暴露第三絕緣層160的上表面。在蓋層150具有導(dǎo)電性的情況下，蓋層150可以與數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176一起形成電極。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D18至圖23以及圖16和圖17描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法。

圖18至圖23均是順序地示出在圖16或圖17中示出的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖面圖。

首先，參照?qǐng)D18，與有關(guān)圖3至圖7的描述相似，在第一基底110上順序地形成第二基底111和緩沖層112，然后在緩沖層112上沉積半導(dǎo)體材料層并將其圖案化以形成半導(dǎo)體層130。半導(dǎo)體材料層可以包括氧化物半導(dǎo)體材料。

接下來(lái)，通過沉積諸如以氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sioxny)為例的無(wú)機(jī)絕緣材料，在具有半導(dǎo)體層130的情況下在第一基底110上形成第一絕緣層140a。

然后在第一絕緣層140a上沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成諸如光致抗蝕劑的光敏層，通過使用光掩模對(duì)光敏層的曝光工藝形成光敏層圖案60。使用光敏層圖案60作為掩模，用諸如蝕刻的方法去除被光敏層圖案60暴露的導(dǎo)電層，以形成柵電極125a和125b以及第一導(dǎo)體126。

參照?qǐng)D19和圖20，使用光敏層圖案60作為掩模，然后用諸如蝕刻的方法去除第一絕緣層140a，以形成多個(gè)絕緣體141a、141b和141c。在這種情況下，可以使用干法蝕刻法蝕刻第一絕緣層140a。參照?qǐng)D20，在形成多個(gè)絕緣體141a、141b和141c的工藝期間，被絕緣體141a、141b和141c覆蓋的半導(dǎo)體層130由于包括在蝕刻氣體中的元素的摻雜效應(yīng)而保留為半導(dǎo)體131a和131b，半導(dǎo)體層130的其余部分改變?yōu)榫哂袑?dǎo)電性從而可以形成源電極133a和133b以及漏電極135a和135b。

在絕緣體141a、141b和141c的這樣的圖案化工藝期間或者在絕緣體141a、141b和141c的形成工藝之后，使用半導(dǎo)體層130作為掩模蝕刻緩沖層112，使得可以如由圖20中的緩沖層中的虛線所示的使緩沖層112圖案化。

不被絕緣體141a、141b和141c覆蓋而被暴露的半導(dǎo)體層130可以被額外地處理以形成源電極133a和133b以及漏電極135a和135b。處理方法可以包括在用于還原的氣氛中的熱處理或者使用諸如氫氣(h2)的氣體等離子的等離子體處理。

然后，去除光敏層圖案60?？梢栽趯?duì)半導(dǎo)體層130進(jìn)行處理之前執(zhí)行去除光敏層圖案60。

接下來(lái)，參照?qǐng)D21，在其上形成有柵電極125a和125b以及第一導(dǎo)體126的第一基底110上形成第二絕緣層140b，然后在第二絕緣層140b上沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電層，并將導(dǎo)電層圖案化以形成第二導(dǎo)體127。然后，在第二絕緣層140b和第二導(dǎo)體127上沉積絕緣材料以形成第三絕緣層160，并且將第三絕緣層160圖案化以形成多個(gè)孔163、165和166。

參照?qǐng)D22，在圖案化的第三絕緣層160上形成蓋層150，然后將蓋層150圖案化以去除設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中的部分。在這個(gè)工藝中，在蓋層150中，可以保留設(shè)置在形成第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面上的內(nèi)部部分153、155和156。第二絕緣層140b的設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166中的部分被去除的蓋層150暴露。

參照?qǐng)D23，蝕刻不被蓋層150覆蓋而被暴露的第二絕緣層140b，以形成暴露tfttr1和tr2的至少一個(gè)電極的孔143和孔145以及暴露第一導(dǎo)體126或第二導(dǎo)體127的孔146。由于下面的工藝與先前描述的實(shí)施例中的相同，所以省略對(duì)下面的工藝的詳細(xì)描述。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D24和圖25描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板。

圖24和圖25均是根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板的剖視圖。

圖24和圖25中示出的根據(jù)實(shí)施例的tft陣列面板1與先前描述的實(shí)施例幾乎相同，但是蓋層150可以不同。如圖24和圖25中示出的tfttr1和tr2的結(jié)構(gòu)被描述為與圖16和圖17中示出的實(shí)施例中的tfttr1和tr2的結(jié)構(gòu)相同，但是不限于此，因?yàn)榭梢愿淖僼fttr1和tr2的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本實(shí)施例的蓋層150包括設(shè)置在第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面上并與內(nèi)側(cè)表面接觸的內(nèi)部部分150b。內(nèi)部部分150b僅設(shè)置在形成第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面上，并且基本上不設(shè)置在形成第二絕緣層140b的孔143、145和146的內(nèi)側(cè)表面上。

蓋層150還可以包括設(shè)置在第三絕緣層160的上表面上的上部部分150a。上部部分150a與相鄰的內(nèi)部部分150b連接。

第三絕緣層160的孔163、165和166中的內(nèi)部部分150b的沉積厚度可以不是均勻的，而是根據(jù)其位置而變化。

具體地，第三絕緣層160的孔163、165和166中的內(nèi)部部分150b的沉積厚度可以根據(jù)平面位置而不同，并且可以在平面圖中是不對(duì)稱的。例如，蓋層150的內(nèi)部部分150b可以僅形成在第三絕緣層160的孔163、165和166中的每個(gè)的內(nèi)側(cè)表面的一部分上。當(dāng)?shù)谌^緣層160的孔163、165和166中的每個(gè)的內(nèi)側(cè)表面具有彼此面對(duì)的第一表面163a、165a和166a和第二表面163b、165b和166b時(shí)，蓋層150不形成在第一表面163a、165a和166a上，但是蓋層150的內(nèi)部部分150b形成在第二表面163b、165b和166b上。沉積厚度意味著在與其上形成有蓋層150的第三絕緣層160的表面垂直的方向上的厚度。

蓋層150的內(nèi)部部分150b的沉積厚度可以根據(jù)在接觸孔cnt1、cnt2和cnt3中的深度而不同。如圖24和圖25中所示，蓋層150的內(nèi)部部分150b的沉積厚度可以在更接近第一基底110處變得更薄。

上部部分150a的沉積厚度可以大于或等于內(nèi)部部分150b的最大沉積厚度。

這樣，根據(jù)本實(shí)施例，蓋層150的設(shè)置在接觸孔cnt1、cnt2和cnt3中的內(nèi)部部分150b在平面圖中和/或在剖視圖中不均勻。在平面圖中，內(nèi)部部分150b僅形成在第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面的一部分上，并且內(nèi)部部分150b的沉積厚度在剖視圖中不恒定。

圖24示出未被數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176覆蓋的蓋層150設(shè)置在第三絕緣層160上的示例，圖25示出數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176與蓋層150一起暴露第三絕緣層160的上表面的示例。在圖25的實(shí)施例的情況下，蓋層150的設(shè)置在第三絕緣層160的上表面上的幾乎整個(gè)的上表面可以被數(shù)據(jù)導(dǎo)體173、175和176疊置。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D26至圖29以及圖24和圖25描述根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的tft陣列面板的制造方法。

圖26至圖29均是順序地示出在圖24或圖25中示出的tft陣列面板的制造方法的工藝的剖視圖。

首先，參照?qǐng)D26，執(zhí)行如先前描述的圖18至圖21中所示出的步驟。

然后，參照?qǐng)D27和圖28，將第一基底110傾斜使得第一基底110的平面可以相對(duì)于參考方向ref形成角a，然后使用諸如以濺射法為例的方法來(lái)沉積用于蓋層的材料。在這個(gè)工藝中，如圖27中所示，用于蓋層的材料到來(lái)主要所沿的方向可以與參考方向ref形成大約80度至大約100度的角或者大約直角。參照?qǐng)D28，如果與第一基底110的表面平行的方向被稱作第一方向d1，并且與第一基底110的表面垂直的方向被稱作第二方向d2，那么由用于蓋層的材料到來(lái)主要所沿的方向與第二方向d2形成的角可以等于角a。

角a可以是大約60度至大約70度，但是不限于此，角a可以是大于0度且小于大約90度的合適的角。合適的角可以意味著在形成蓋層150時(shí)用于蓋層的材料不沉積在第二絕緣層140b的被第三絕緣層160的孔163、165和166暴露的上表面上的角。在這個(gè)工藝中，可以在被第三絕緣層160的孔163、165和166暴露的第二絕緣層140b上沉積少量用于蓋層的材料，但是在下面的工藝中，沉積角度應(yīng)當(dāng)是在保持蓋層150的同時(shí)可以充分地蝕刻被第三絕緣層160的孔163、165和166暴露的第二絕緣層140b的角度處。

由于角a大于0度，因此與第一基底110的表面垂直的方向與用于蓋層的材料的被濺射且主要到來(lái)的方向彼此不平行。

用于蓋層的材料可以包括諸如以氧化硅(siox)和氮化硅(sinx)等為例的無(wú)機(jī)絕緣材料或者金屬。

因此，在第一基底110上形成蓋層150，所述蓋層150包括沉積在第三絕緣層160的上表面上的上部部分150a和沉積在第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面上的內(nèi)部部分150b。

由于在使第一基底110傾斜的同時(shí)沉積用于蓋層的材料，所以僅在第三絕緣層160的孔163、165和166的內(nèi)側(cè)表面的一部分上形成蓋層150的內(nèi)部部分150b，在相對(duì)的表面的至少一部分上不形成蓋層150。另外，由于用于蓋層的到達(dá)材料的量根據(jù)在第三絕緣層160的孔163、165和166中的深度而變化，所以蓋層150的內(nèi)部部分150b的沉積厚度可以根據(jù)在第三絕緣層160的孔163、165和166中的深度而不同。內(nèi)部部分150b的沉積厚度可以在更接近第三絕緣層160的孔163、165和166中的第一基底110處更薄。另外，上部部分150a的沉積厚度可以大于或等于內(nèi)部部分150b的最大沉積厚度。

接下來(lái)，參照?qǐng)D29，通過諸如蝕刻的方法去除蓋層150以及未被第三絕緣層160覆蓋而暴露的第二絕緣層140b，以形成暴露tfttr1和tr2的至少一個(gè)電極的孔143和孔145以及暴露第一導(dǎo)體126或第二導(dǎo)體127的孔146。這樣，形成接觸孔cnt1、cnt2和cnt3。在這個(gè)工藝中，也蝕刻蓋層150的一部分，使得蓋層150的厚度可以更薄。

根據(jù)本實(shí)施例，由于在用于形成接觸孔cnt1、cnt2和cnt3的第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間，在第二絕緣層140b的被蝕刻的部分的周圍的第三絕緣層160的大部分被蓋層150覆蓋，所以可以不去除由第三絕緣層160包括的材料，具體地，當(dāng)?shù)谌^緣層160包括有機(jī)材料時(shí)第三絕緣層160的有機(jī)材料。因此，可以防止通過第三絕緣層160的材料在由接觸孔cnt1、cnt2和cnt3暴露的電極上產(chǎn)生剩余的層。因此，可以防止在接觸孔cnt1、cnt2和cnt3處的接觸電阻的增大，并且可以防止tfttr1和tr2的特性的劣化。

另外，用于形成蓋層150的額外的圖案化工藝不是必須的，使得制造工藝可以更加簡(jiǎn)單，并且可以進(jìn)一步減少制造時(shí)間和成本。

由于在第二絕緣層140b的蝕刻工藝期間不損壞或損失第三絕緣層160，所以可以防止在第三絕緣層160的上表面與第二導(dǎo)體127的最接近于第三絕緣層160的上表面的上表面之間的厚度w更薄。因此，可以防止在第二導(dǎo)體127與將要形成在第三絕緣層160上的導(dǎo)體之間的電連接和短路。

后續(xù)工藝可以與先前描述的根據(jù)各種實(shí)施例的制造方法相同。

根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置可以包括如上所述的各種實(shí)施例的tft陣列面板，顯示裝置的制造方法可以包括根據(jù)如上所述的實(shí)施例的tft陣列面板的制造方法的工藝。顯示裝置可以是液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器等中的一種。有機(jī)發(fā)光顯示器可以包括發(fā)光二極管、電連接到發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)tft以及連接到驅(qū)動(dòng)tft的至少一個(gè)開關(guān)tft，其中，驅(qū)動(dòng)tft可以具有如各種實(shí)施例的tfttr1的結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)開關(guān)tft可以具有如各種實(shí)施例的tfttr1或tfttr2的結(jié)構(gòu)。

雖然已經(jīng)結(jié)合特定實(shí)施例描述了此發(fā)明，但是將理解的是，發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是相反，意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。