本實(shí)用新型涉及IGBT模塊技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種IGBT模塊管殼。

背景技術(shù)：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊可應(yīng)用于大型海上風(fēng)電、深海裝備、國(guó)防軍工以及航天航空等特殊領(lǐng)域，當(dāng)應(yīng)用于航天航空領(lǐng)域時(shí)，環(huán)境中存在大量的宇宙射線，而現(xiàn)有的IGBT模塊管殼使用的常規(guī)金屬和非金屬材料的防宇宙射線能力很弱，為了防止高能射線對(duì)管殼內(nèi)的IGBT芯片頻繁轟擊造成IGBT芯片損傷，通常需要大幅增加管殼的厚度來(lái)提升管殼的防宇宙射線能力，這導(dǎo)致IGBT模塊的體積和重量成倍增加，給IGBT模塊的使用帶來(lái)了極大的不便。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種IGBT模塊管殼，可在提升防宇宙射線能力的前提下便于IGBT模塊的使用。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一種IGBT模塊管殼，包括本體，所述本體上設(shè)有防宇宙射線能力強(qiáng)于所述本體的防宇宙射線物質(zhì)。

進(jìn)一步的，所述本體包括頂壁、底壁以及位于所述頂壁和所述底壁之間的環(huán)狀側(cè)壁，所述頂壁、所述底壁以及所述側(cè)壁上均設(shè)有所述防宇宙射線物質(zhì)。

進(jìn)一步的，所述防宇宙射線物質(zhì)分散于所述頂壁、所述底壁以及所述側(cè)壁內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述頂壁、所述底壁以及所述側(cè)壁上均設(shè)有由所述防宇宙射線物質(zhì)制成的層狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述防宇宙射線物質(zhì)分散于所述頂壁和所述底壁內(nèi)，所述側(cè)壁上設(shè)有由所述防宇宙射線物質(zhì)制成的層狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，分散于所述頂壁和所述底壁內(nèi)的所述防宇宙射線物質(zhì)可導(dǎo)電。

進(jìn)一步的，位于所述側(cè)壁上的所述層狀結(jié)構(gòu)的表面絕緣。

進(jìn)一步的，位于所述頂壁和所述底壁上的所述層狀結(jié)構(gòu)可導(dǎo)電。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的IGBT模塊管殼，由于所述本體上設(shè)有防宇宙射線能力強(qiáng)于所述本體的防宇宙射線物質(zhì)，因此可提升本體的防宇宙射線能力，從而無(wú)需大幅增加本體的厚度，進(jìn)而緩解了IGBT模塊的體積和重量成倍增加的問(wèn)題，也就便于了IGBT模塊的使用。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例IGBT模塊管殼的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例IGBT模塊管殼的結(jié)構(gòu)示意圖之二。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

參照?qǐng)D1和圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種IGBT模塊管殼，包括本體1，本體1上設(shè)有防宇宙射線能力強(qiáng)于本體1的防宇宙射線物質(zhì)，示例的，所述防宇宙射線物質(zhì)可以為鉛。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的IGBT模塊管殼，由于本體1上設(shè)有防宇宙射線能力強(qiáng)于本體1的防宇宙射線物質(zhì)，因此可提升本體1的防宇宙射線能力，從而無(wú)需大幅增加本體1的厚度，進(jìn)而緩解了IGBT模塊的體積和重量成倍增加的問(wèn)題，也就便于了IGBT模塊的使用。

具體的，本體1包括頂壁11、底壁12以及位于頂壁11和底壁12之間的環(huán)狀側(cè)壁13，頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13上均設(shè)有所述防宇宙射線物質(zhì)，由此可使頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13的防宇宙射線能力均得到提升，從而使頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13的厚度均無(wú)需大幅增加，進(jìn)而進(jìn)一步緩解了IGBT模塊的體積和重量成倍增加的問(wèn)題。

在本實(shí)用新型的第一種實(shí)施例中，參照?qǐng)D1，所述防宇宙射線物質(zhì)分散于頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13內(nèi)，由此可無(wú)需設(shè)置額外的固定結(jié)構(gòu)，從而節(jié)省了成本；

另外，由于IGBT模塊管殼內(nèi)的IGBT芯片2需要通過(guò)頂壁11和底壁12進(jìn)行散熱，因此頂壁11和底壁12通常選用導(dǎo)熱能力較強(qiáng)的金屬銅制作，而防宇宙射線物質(zhì)的導(dǎo)熱能力相比金屬銅較弱，因此，本實(shí)施例中將防宇宙射線物質(zhì)分散于頂壁11和底壁12內(nèi)可減小防宇宙射線物質(zhì)的密度，從而減小了防宇宙射線物質(zhì)對(duì)頂壁11和底壁12導(dǎo)熱能力造成的影響，進(jìn)而減小了對(duì)IGBT芯片2正常散熱造成的影響。

在本實(shí)用新型的第二種實(shí)施例中，參照?qǐng)D2，頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13上均設(shè)有由所述防宇宙射線物質(zhì)制成的層狀結(jié)構(gòu)3，由此可增大防宇宙射線物質(zhì)的密度，從而提升了頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13的防宇宙射線能力。需要說(shuō)明的是，層狀結(jié)構(gòu)3可嵌入頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13內(nèi)，也可固定于頂壁11、底壁12以及側(cè)壁13的表面，本實(shí)用新型對(duì)此不作限定。

在本實(shí)用新型的第三種實(shí)施例中，所述防宇宙射線物質(zhì)分散于頂壁11和底壁12內(nèi)，側(cè)壁13上設(shè)有由所述防宇宙射線物質(zhì)制成的層狀結(jié)構(gòu)3，這種組合方式一方面可減小頂壁11和底壁12中的防宇宙射線物質(zhì)的密度，從而減小了防宇宙射線物質(zhì)對(duì)頂壁11和底壁12導(dǎo)熱能力造成的影響，進(jìn)而減小了對(duì)IGBT芯片2正常散熱造成的影響；另一方面可增大側(cè)壁13上的防宇宙射線物質(zhì)的密度，從而提升了本體1的防宇宙射線能力。當(dāng)然，在IGBT模塊管殼的加工過(guò)程中，也可根據(jù)工藝的難易程度，靈活采用其他組合方式。

IGBT模塊管殼中的頂壁11和底壁12需要導(dǎo)電，側(cè)壁13需要防止頂壁11和底壁12導(dǎo)通，因此分散于側(cè)壁13內(nèi)的所述防宇宙射線物質(zhì)必須絕緣，而分散于頂壁11和底壁12內(nèi)的所述防宇宙射線物質(zhì)既可以導(dǎo)電，也可以絕緣，本實(shí)施例中優(yōu)選分散于頂壁11和底壁12內(nèi)的所述防宇宙射線物質(zhì)可導(dǎo)電，以避免對(duì)頂壁11和底壁12的導(dǎo)電能力和導(dǎo)熱能力造成影響。

參照?qǐng)D2，位于側(cè)壁13上的層狀結(jié)構(gòu)3既可以導(dǎo)電，也可以絕緣，當(dāng)該層狀結(jié)構(gòu)3導(dǎo)電時(shí)，需要避免該層狀結(jié)構(gòu)3與頂壁11和/或底壁12接觸，以防止頂壁11和底壁12導(dǎo)通，但這樣仍然存在導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，為了完全規(guī)避該風(fēng)險(xiǎn)，本實(shí)施例中優(yōu)選位于側(cè)壁13上的層狀結(jié)構(gòu)3的表面絕緣。具體的，可直接選用絕緣的防宇宙射線物質(zhì)制作該層狀結(jié)構(gòu)3，或者選用導(dǎo)電的防宇宙射線物質(zhì)制作該層狀結(jié)構(gòu)3，而后對(duì)該層狀結(jié)構(gòu)3的表面進(jìn)行絕緣處理。

位于頂壁11和底壁12上的層狀結(jié)構(gòu)3既可以導(dǎo)電，也可以絕緣，本實(shí)施例優(yōu)選位于頂壁11和底壁12上的層狀結(jié)構(gòu)3可導(dǎo)電，以避免對(duì)頂壁11和底壁12的導(dǎo)電能力和導(dǎo)熱能力造成影響。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種用于制作上述實(shí)施例所述的IGBT模塊管殼的方法，所述方法包括：將用于制作本體1的材料加熱至熔融狀態(tài)；在所述熔融狀態(tài)的材料中按一定比例添加所述防宇宙射線物質(zhì)，并攪拌混合；用混合后的材料成型出所述IGBT模塊管殼。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種用于制作上述實(shí)施例所述的IGBT模塊管殼的方法，所述方法包括：將所述防宇宙射線物質(zhì)制作成板狀結(jié)構(gòu)；將所述板狀結(jié)構(gòu)固定于本體1上。

通過(guò)上述方法制作出來(lái)的IGBT模塊管殼的防宇宙射線能力可得到提升，因此無(wú)需大幅增加管殼的厚度，進(jìn)而緩解了IGBT模塊的體積和重量成倍增加的問(wèn)題，也就便于了IGBT模塊的使用。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。