本實(shí)用新型公開一種壓敏電阻器，特別是一種螺旋磁電極封裝全能脈沖MOA壓敏電阻器，其包含電子電路、脈動(dòng)電流、無(wú)源電子組件、封裝技術(shù)、MOV壓敏電阻過(guò)壓保護(hù)與防護(hù)技術(shù)、MOA霹雷器防雷技術(shù)等技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前電子產(chǎn)品中所用的元器件-分立式(引線插件)無(wú)源組件：電阻電容等都是采用“L”形狀的金屬引線接線方式連接到組件本芯片用以傳輸電路中工作的電流和能量來(lái)發(fā)揮組件其芯片本身電性能參數(shù)的作用以達(dá)到產(chǎn)品設(shè)計(jì)目的，尤其是這些引線插件式的無(wú)源組件中的金屬氧化鋅壓敏電阻(以下簡(jiǎn)稱MOV)，在電路中擔(dān)負(fù)著對(duì)電路中出現(xiàn)的過(guò)電壓大電流高能量的脈動(dòng)電流沖擊波起到降壓保護(hù)泄放電流，承受能量保護(hù)其電路后面的芯片元?dú)饧槐粨p傷起關(guān)鍵作用。在MOV行業(yè)制造廠家多年都是以“直來(lái)直去”金屬引線的連接芯片來(lái)制造產(chǎn)品，普通壓敏電阻用一條直導(dǎo)線從壓敏電阻表面將電流導(dǎo)入和引出，這種方式會(huì)導(dǎo)致壓敏的表面電流都在引線位置集中，造成局部電流密度過(guò)大的現(xiàn)象。壓敏電阻未導(dǎo)通前，其作用相當(dāng)于一個(gè)電容，交變電流漫流在陶瓷芯片與覆銀層界面上；電流密度的大小，以中間靠近引線處最大，它不僅造成芯片上漫流方向的溫度梯度，引發(fā)因熱膨脹量不同產(chǎn)生徑向或環(huán)向裂紋；而且還導(dǎo)致電流密度最大的中間部位表面晶界首先勢(shì)壘降低或受損，這降低了壓敏器件對(duì)沖擊電流的耐受性。在電涌沖擊下，壓敏器件導(dǎo)通，由于趨膚效應(yīng)的影響，電流會(huì)集中在芯片的周邊通過(guò)陶瓷晶體。電流通過(guò)閥片的實(shí)際截面積變小，電流所遇阻值變大，降在閥片上的電壓增加，能量消耗也隨著增加，閥片升溫加快，這時(shí)壓敏的損傷點(diǎn)就多發(fā)生在電流通過(guò)比較集中的閥片周邊部位。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的壓敏電阻器引腳都是呈“L”形設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型提供一種新的螺旋磁電極封裝全能脈沖MOA壓敏電阻器，其采用螺旋線形電極，解決L形電極帶來(lái)的各種問題。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：一種螺旋磁電極封裝全能脈沖MOA壓敏電阻器，壓敏電阻器包括芯片本體和螺旋線形電極，芯片本體兩側(cè)設(shè)有涂銀層，螺旋線形電極固定設(shè)置在芯片本體兩側(cè)得涂銀層上。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括：

所述的螺旋線形電極采用焊接的方式設(shè)置在涂銀層上。

所述的螺旋線形電極在芯片本體內(nèi)埋置。

所述的螺旋線形電極的引出端頭設(shè)置在芯片本體邊沿位置處或芯片本體的中心位置處，或設(shè)置在螺旋線形電極中的任意位置。

所述的螺旋線形電極采用平面等角螺旋線、平面等速螺旋線或無(wú)斷開端頭的雙螺旋線。

所述的芯片本體兩側(cè)的螺旋線形電極朝向同一方向旋轉(zhuǎn)，或者朝向不同方向旋轉(zhuǎn)。

所述的螺旋線形電極采用空心金屬螺旋線或者采用扁平金屬螺旋引線。

本實(shí)用新型的有益效果是：螺旋式壓敏電阻器其表現(xiàn)出來(lái)的電性能遠(yuǎn)比傳統(tǒng)壓敏電阻可以使用在不同的分類應(yīng)用中適用范圍更寬廣，實(shí)現(xiàn)了對(duì)不同脈沖電壓的適用與防護(hù)，即全能脈沖的適用使產(chǎn)品的生產(chǎn)線生產(chǎn)相對(duì)簡(jiǎn)單化高效化起來(lái)。

磁極螺旋式MOV脈動(dòng)處理器與稀土材料分別制作的壓敏電阻一起同比，傳統(tǒng)的同規(guī)格ZnO壓敏電阻在整體電性能上，磁極螺旋式MOV脈動(dòng)處理器是高出傳統(tǒng)3～4倍，稀土也高出傳統(tǒng)4～5倍，這也是磁極螺旋式MOV脈動(dòng)處理器可替代昂貴的稀土材料制成的稀土壓敏電阻地方。

下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型導(dǎo)通時(shí)芯片體表電流分布示意圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的壓敏電阻導(dǎo)通時(shí)芯片體表電流分布示意圖。

圖4為本實(shí)用新型導(dǎo)通時(shí)芯片體內(nèi)電流分布示意圖。

圖5為現(xiàn)有技術(shù)中的壓敏電阻導(dǎo)通時(shí)芯片體內(nèi)電流分布示意圖。

圖6為現(xiàn)有技術(shù)中的直線L式MOV電流導(dǎo)通路徑與長(zhǎng)度比較圖。

圖7為本實(shí)用新型中的螺旋形電極為梅花形電極的示意圖。

圖中，1-芯片本體，2-涂銀層，3-螺旋線形電極，4-電子分布。

具體實(shí)施方式

本實(shí)施例為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施方式，其它凡其原理和基本結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例相同或近似的，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。

請(qǐng)參看附圖1，本實(shí)用新型中的螺旋磁電極封裝全能脈沖MOA壓敏電阻器主要包括芯片本體1和螺旋線形電極3，螺旋線形電極3固定設(shè)置在芯片本體1兩側(cè)，本實(shí)施例中，在芯片本體1兩側(cè)設(shè)有涂銀層2，螺旋線形電極3固定設(shè)置在涂銀層2上，本實(shí)施例中，螺旋線形電極3采用焊接的方式設(shè)置在涂銀層2上，具體實(shí)施時(shí)，螺旋線形電極3也可以在芯片本體1內(nèi)埋置。

本實(shí)施例中，螺旋線形電極3的引出端頭設(shè)置在芯片本體1的中心位置處。

螺旋線形電極3的設(shè)置方式包括但不限于如下幾種：

實(shí)施例一：本實(shí)施例中，螺旋線形電極3采用平面等角螺旋線；

實(shí)施例二：本實(shí)施例中，螺旋線形電極3采用平面等速螺旋線；

實(shí)施例三：本實(shí)施例中，螺旋線形電極3采用無(wú)斷開端頭的雙螺旋線。

本實(shí)用新型中，設(shè)置在芯片本體1兩側(cè)的螺旋線形電極3朝向同一方向旋轉(zhuǎn)，或者朝向不同方向旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施例中，螺旋線形電極3采用空心金屬螺旋線或者采用扁平金屬螺旋引線。本實(shí)施例中，螺旋線形電極3的引出端設(shè)置在芯片本體1邊沿位置處，具體實(shí)施時(shí)，也可以將螺旋線形電極3的引出端設(shè)置在芯片本體1的中心位置，或者螺旋線形電極3中的任意位置。

請(qǐng)參看附圖2至附圖5，由圖中可以看到導(dǎo)通時(shí)芯片體表及體內(nèi)的電流分布可克服集膚效應(yīng)。請(qǐng)參看附圖6和附圖7，通過(guò)直線L式MOV與螺旋式MOV的電流導(dǎo)通路徑與長(zhǎng)度比較可知，顯然螺旋式MOV路徑長(zhǎng)度L’N>>直線L式MOV的路徑長(zhǎng)度L’N的長(zhǎng)度，在實(shí)際的組件尺寸中，半徑R>>厚度H，這也是螺旋式MOV在沖擊實(shí)驗(yàn)8/20us和工頻升壓實(shí)驗(yàn)中優(yōu)異表現(xiàn)的原因之一。

如圖7所示，其螺旋電極采用梅花型結(jié)構(gòu)，同樣為三瓣弧線形電極段組成梅花型結(jié)構(gòu)。

螺旋式壓敏電阻器其表現(xiàn)出來(lái)的電性能遠(yuǎn)比傳統(tǒng)壓敏電阻可以使用在不同的分類應(yīng)用中適用范圍更寬廣，實(shí)現(xiàn)了對(duì)不同脈沖電壓的適用與防護(hù)，即全能脈沖的適用使產(chǎn)品的生產(chǎn)線生產(chǎn)相對(duì)簡(jiǎn)單化高效化起來(lái)。