技術(shù)總結(jié)
本實用新型涉及一種低漏磁空心電抗器,包含上電抗器和下電抗器，上電抗器設(shè)置在下電抗器的上側(cè)，上電抗器上設(shè)置有上銅排，下電抗器上設(shè)置有下銅排；所述下電抗器的線圈外側(cè)設(shè)置有一圈導(dǎo)磁層，下電抗器的線圈的放置方向與導(dǎo)磁層垂直，上電抗器的線圈方向與下電抗器的線圈方向垂直；本實用新型的低漏磁空心電抗器,由上下兩個電抗器形成組合結(jié)構(gòu)，并在下電抗器的外圍設(shè)置一圈導(dǎo)磁層，導(dǎo)磁層采用高導(dǎo)磁硅鋼片，減小空心電感對外的漏磁，降低周邊磁敏感元器件的損傷，使空心電感感量增大，體積變小，又能保留空心電抗器不飽和特點。

技術(shù)研發(fā)人員：易志欣;俞志剛;楊瑞
受保護的技術(shù)使用者：蘇州騰冉電氣設(shè)備股份有限公司
文檔號碼：201620972615
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.29
技術(shù)公布日：2017.03.22