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一種低漏磁空心電抗器的制作方法

文檔序號:12120852閱讀:416來源:國知局

本發(fā)明涉及一種低漏磁空心電抗器。



背景技術:

電抗器在電子設備領域應用廣泛,其細分為串聯(lián)電抗器、并聯(lián)電抗器、限流電抗器、濾波電抗器、阻波器等,其型式有空心式、鐵芯式等;其中空心電抗器是電力系統(tǒng)中用于限制短路電流、無功補償和移相等的電感性高壓電器,磁通經空氣形成回路,故稱空心式電抗器;一般的空心電抗器空心電感感量較小,而且會對外漏磁,對周邊磁敏感元器件造成損傷。



技術實現要素:

針對上述存在的技術問題,本發(fā)明的目的是:提出了一種低漏磁空心電抗器。

本發(fā)明的技術解決方案是這樣實現的:一種低漏磁空心電抗器,包含上電抗器和下電抗器,上電抗器設置在下電抗器的上側,上電抗器上設置有上銅排,下電抗器上設置有下銅排;所述下電抗器的線圈外側設置有一圈導磁層,下電抗器的線圈的放置方向與導磁層垂直,上電抗器的線圈方向與下電抗器的線圈方向垂直。

優(yōu)選的,所述導磁層由高導磁硅鋼片組成,每兩片硅鋼片組成一層導磁單元,多層導磁單元交錯堆疊組成導磁層。

優(yōu)選的,所述下電抗器的線圈為空心結構,線圈中部通過直角狗骨支撐,并在線圈中部設置溫控開關和熱敏電阻。

優(yōu)選的,所述上電抗器中設置有3個線圈。

優(yōu)選的,所述上電抗器的頂部設置有吊裝環(huán)。

由于上述技術方案的運用,本發(fā)明與現有技術相比具有下列優(yōu)點:

本發(fā)明的低漏磁空心電抗器,由上下兩個電抗器形成組合結構,并在下電抗器的外圍設置一圈導磁層,導磁層采用高導磁硅鋼片,減小空心電感對外的漏磁,降低周邊磁敏感元器件的損傷,使空心電感感量增大,體積變小,又能保留空心電抗器不飽和特點。

附圖說明

下面結合附圖對本發(fā)明技術方案作進一步說明:

附圖1為本發(fā)明的一種低漏磁空心電抗器的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖來說明本發(fā)明。

如圖1所示,本發(fā)明所述的一種低漏磁空心電抗器,包含上電抗器1和下電抗器2,上電抗器1的框架安裝在下電抗器2的框架上,上電抗器1上設置有上銅排3,下電抗器2上設置有下銅排4;所述下電抗器2的線圈為空心結構,線圈中部通過直角狗骨支撐,并在線圈的空心部位中設置160℃常閉溫控開關和70℃常開溫控開關,以及兩個相應的熱敏電阻;所述下電抗器2的框架上,在線圈外側設置有一圈導磁層5,導磁層5由多片高導磁硅鋼片組成,每兩片硅鋼片組成一層導磁單元,多層導磁單元交錯堆疊組成導磁層5;下電抗器2的線圈的放置方向與導磁層5的方向垂直;所述上電抗器1的頂部設置有吊裝環(huán)6,上電抗器1中設置有3個線圈,上電抗器1的線圈方向與下電抗器2的線圈方向垂直。

以上僅是本實用新型的具體應用范例,對本實用新型的保護范圍不構成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術方案,均落在本實用新型權利保護范圍之內。

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