本實用新型涉及一種發(fā)光裝置，特別是有關于一種光場型趨于對稱的發(fā)光裝置。

背景技術：

照明的手段隨著時代的演進，從以燃燒物品的方式做為光源的火把、油燈及蠟燭等光源，演進成以通電方式發(fā)光的白熾燈泡、日光燈管、省電燈泡及發(fā)光二極管等光源。其中，發(fā)光二極管形的發(fā)光裝置由于體積小且耗電量低，故現(xiàn)在有許多相關業(yè)者投入相關領域的發(fā)展。

發(fā)光二極管的發(fā)光裝置中，可藉由對發(fā)光芯片的不同類型的半導體層通電，而令不同類型的半導體層之間的發(fā)光半導體層發(fā)出光線?，F(xiàn)有的發(fā)光裝置的結構中，第一類型的半導體層設置于基板上，第二類型的半導體層偏移設置于第一類型的半導體層的一側，介于二者之間的發(fā)光半導體層隨著第二類型的半導體層而偏于第一類型的半導體層的一側。二個電極分別覆蓋于發(fā)光芯片的兩側以分別電性連接于第一類型的半導體層及第二類型的半導體層。

然而，如此的發(fā)光裝置由于發(fā)光芯片的結構兩側不對稱，故所發(fā)出的光線的光場型亦不對稱。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于以上的問題，本實用新型提出一種發(fā)光裝置，其發(fā)出的光線的光場型可趨于對稱。

本新型提出一種發(fā)光裝置，其包括基板、第一半導體層、第二半導體層、第一電極及第二電極。第一半導體層設置于基板上。第一半導體層包括相連的本體部及周圍部，本體部凸出周圍部。周圍部以鏡像對稱的方式環(huán)繞本體部。第二半導體層設置于本體部上，且第二半導體層圖案與本體部實質相同。第一電極至少部分設置于周圍部上且電性連接于第一半導體層。第二電極至少部分設置于第二半導體層上且電性連接于第二半導體層。

其中，該第一電極的為光反射導電材質電極。

其中，該第二電極的為光穿透導電材質電極。

其中，該發(fā)光裝置更包括一絕緣層，覆蓋部分該第一半導體層，該第二電極經(jīng)由該絕緣層與該第一半導體層電性絕緣。

其中，該發(fā)光裝置更包括一絕緣層，覆蓋該第一半導體層、該第二半導體層及該第一電極，該絕緣層具有一開口，該開口露出至少部分該第二半導體層，該第二電極經(jīng)由該開口電性連接至該第二半導體層。

其中，該絕緣層的一部分位于該第一電極及該第二電極之間。

其中，該周圍部具有背向該基板的的一周圍部上表面，該周圍部上表面平行于該基板。

其中，該周圍部具有背向該基板的的一周圍部上表面，且該第一半導體層及該第二半導體層之間具有一交接面，該周圍部上表面與該交接面具有一夾角θ，45°≦θ≦70°。

其中，該基板具有一第一表面，該第一表面鄰接該第一半導體層，該第二半導體層具有一第二表面，該第二表面鄰接該第一半導體層，該周圍部上的該第一電極具有一第三表面及一第四表面，該第三表面鄰接該第一半導體層，該第四表面位于該第三表面對側，其中該第一電極的該第四表面至該基板的該第一表面的距離小于該第二半導體層的該第二表面至該基板的該第一表面的距離。

其中，該周圍部具有背向該基板的的一周圍部上表面，該周圍部上表面為一拋物面。

其中，該本體部為多邊形或圓形。

根據(jù)本新型的發(fā)光裝置，借由第一半導體層及第二半導體層的形狀為對稱配置，而使得形成于第一半導體層及第二半導體層之間的發(fā)光接面所所產生的光線亦可趨于對稱。此外，借由本體部凸出周圍部，沿發(fā)光接面的側向發(fā)散的光線中至少部分光線可經(jīng)由位于周圍部的第一電極的反射而遠離基板，以利此光線的應用，借此還可提升發(fā)光裝置的光取出率。

以上的關于本新型內容的說明及以下的實施方式的說明系用以示范與解釋本新型的精神與原理，并且提供本新型的專利申請范圍更進一步的解釋。

附圖說明

圖1A繪示依照本新型的一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

圖1B繪示圖1A的發(fā)光裝置沿B-B剖面的側視剖面示意圖。

圖1C繪示圖1A的發(fā)光裝置沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

圖2A至圖8A繪示制造圖1A的發(fā)光裝置的俯視流程示意圖。

圖2B至圖8B繪示圖2A至圖8A沿B-B剖面的制造發(fā)光裝置的側視流程示意圖。

圖2C至圖8C繪示圖2A至圖8A沿C-C剖面的制造發(fā)光裝置的側視流程示意圖。

圖9A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

圖9B繪示圖9A的發(fā)光裝置沿B-B剖面的側視剖面示意圖。

圖9C繪示圖9A的發(fā)光裝置沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

圖10A至圖15A繪示制造圖9A的發(fā)光裝置的俯視流程示意圖。

圖10B至圖15B繪示圖10A至圖15A沿B-B剖面的制造發(fā)光裝置的側視流程示意圖。

圖10C至圖15C繪示圖10A至圖15A沿C-C剖面的制造發(fā)光裝置的側視流程示意圖。

圖16A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

圖16B繪示圖16A的發(fā)光裝置沿B-B剖面的側視剖面示意圖。

圖16C繪示圖16A的發(fā)光裝置沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

圖17A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

圖17B繪示圖17A的發(fā)光裝置沿B-B剖面的側視剖面示意圖。

圖17C繪示圖17A的發(fā)光裝置沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

圖18A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

圖18B繪示圖18A的發(fā)光裝置沿B-B剖面的側視剖面示意圖。

圖18C繪示圖18A的發(fā)光裝置沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

圖19A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

圖19B繪示圖19A的發(fā)光裝置沿B-B剖面的側視剖面示意圖。

圖19C繪示圖19A的發(fā)光裝置沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

圖20繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置的俯視示意圖。

其中，附圖標記：

100、200、300、400、500、600、700 發(fā)光裝置

110 基板

1200 半導體組件

121、1210 第一半導體層

1211、7211 本體部

1212 周圍部

1212a、3212a、4212a、5212a、6212a 周圍部上表面

1212b 周圍部側表面

122、1220 第二半導體層

130、230、330、430、530、630 絕緣層

131 開口

141、241、341、441、541、641 第一電極

142、242、342、442、542、642 第二電極

150 抗蝕層

161、162 掩膜

231 開口

D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8 距離

L1 第一軸線

L2 第二軸線

P0 形狀中心

P1 第一點

P2 第二點

P3 第三點

P4 第四點

R1 中央部分

R2 周圍部分

S1 第一表面

S2 第二表面

S2’ 上表面

S3 第三表面

S4 第四表面

θ 夾角

具體實施方式

以下在實施方式中詳細敘述本新型的詳細特征以及優(yōu)點，其內容足以使本領域技術人員了解本新型的技術內容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所揭露的內容、申請專利范圍及圖式，任何本領域技術人員可輕易地理解本新型相關的目的及優(yōu)點。以下的實施例進一步詳細說明本新型的觀點，但非以任何觀點限制本新型的范疇。此外，本案的圖式中的組件比例關系僅為示意以便于說明，而非用以限制本新型的范疇。

請參照圖1A、圖1B及圖1C，圖1A繪示依照本新型的一實施例的發(fā)光裝置100的俯視示意圖，圖1B繪示圖1A的發(fā)光裝置100沿B-B剖面的側視剖面示意圖，圖1C繪示圖1A的發(fā)光裝置100沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

于本實施例中，發(fā)光裝置100包括基板110、第一半導體層121、第二半導體層122、絕緣層130、第一電極141及第二電極142?；?10具有第一表面S1，且可為導體或非導體。第一半導體層121設置于基板110的第一表面S1上，以令第一表面S1鄰接第一半導體層121。

其中，第一半導體層121包括相連的本體部1211及周圍部1212。第一半導體層121的周圍部1212形成于第一半導體層121的本體部1211周圍，且本體部1211凸出周圍部1212。亦即本體部1211相對于基板110的高度大于周圍部1212相對于基板110的高度。第一半導體層121的本體部1211于俯視時可為方形，但并非限定于此，亦可為矩形或其他邊長數(shù)量的多邊形。第一半導體層121的周圍部1212具有背向基板110的一周圍部上表面1212a以及位于第一半導體層121的周圍部1212外圍的一周圍部側表面1212b。

第一半導體層121的周圍部1212以鏡像對稱的方式環(huán)繞第一半導體層121的本體部1211。以圖1A為例，第一半導體層121的本體部1211具有對應于俯視時的形狀中心P0。第一軸線L1平行于X軸方向且穿越形狀中心P0。第一軸線L1與周圍部側表面1212b相交于第一點P1及第二點P2。形狀中心P0到第一點P1的距離為D1，形狀中心P0到第二點P2的距離為D2，其中D1＝D2。

于另一方向上，第二軸線L2不平行于第一軸線L1。第二軸線例如平行于Y軸方向且穿越形狀中心P0。第二軸線L2與周圍部側表面1212b相交于第三點P3及第四點P4。形狀中心P0到第三點P3的距離為D3，形狀中心P0到第四點P4的距離為D4，其中D3＝D4。因此，周圍部1212相對于穿過形狀中心P0且平行于XZ平面的對稱面可為鏡像對稱。周圍部1212相對于穿過形狀中心P0且平行于YZ平面的對稱面亦可為鏡像對稱。

第一半導體層121的周圍部上表面1212a傾斜于基板110的第一表面S1。周圍部上表面1212a接近本體部1211的位置至基板110的第一表面S1的距離D5小于周圍部上表面1212a的外圍至基板110的第一表面S1的距離D6。

第二半導體層122設置于本體部1211上，且第二半導體層122的圖案與本體部1211的圖案實質相同。第二半導體層122具有第二表面S2，第二表面S2鄰接第一半導體層121的本體部1211。詳細而言，第二半導體層122的第二表面S2位于第一半導體層121及第二半導體層122之間的交接面。第一半導體層121可為n型半導體及p型半導體的其中一者，第二半導體層122可為其中另一者。第一半導體層121的本體部1211以及第二半導體層122之間的第二表面S2可形成p-n接面(p-n junction)，以做為發(fā)光接面。周圍部上表面1212a與第二表面S2具有一夾角θ，且夾角θ的范圍可為45°≦θ≦70°。第二表面S2可實質上平行于基板110的第一表面S1。

絕緣層130覆蓋部分第一半導體層121。詳言的，于本實施例中，絕緣層130可覆蓋本體部1211未形成第二半導體層122的表面，以及覆蓋部分周圍部1212的周圍部上表面1212a及周圍部側表面1212b。絕緣層130還覆蓋第二半導體層122，且絕緣層130具有開口131以露出部分第二半導體層122，也就是露出部分第二半導體層122的上表面S2’，其中第二半導體層122的上表面S2’和第二半導體122的第二表面S2相對應。換句話說，第二表面S2在上表面S2’的對側。絕緣層130的材質可為光穿透絕緣材質。

第一電極141的一部分設置于未被絕緣層130所覆蓋的周圍部1212上，且電性連接至周圍部1212。第一電極141的此部分可設置于周圍部上表面1212a及周圍部側表面1212b。絕緣層130中斷第一電極141而使第一電極141并未圍繞第一半導體層121完整一周。也就是說，第一電極141部分覆蓋第一半導體層121。第一電極141的其他部分可延伸至基板110上，本新型不以此為限。第一電極141于周圍部上表面1212a的部分具有第三表面S3及第四表面S4。第三表面S3鄰接第一半導體層121。第四表面S4位于第三表面S3的對側。第一電極141的第四表面S4至基板110的第一表面S1的最大距離D7小于第二半導體層122的第二表面S2至基板110的第一表面S1的距離D8。第一電極141的材質可為光反射導電材質。

第二電極142的一部分設置于第二半導體層122上，且經(jīng)由開口131電性連接至第二半導體層122。第二電極142的其他部分可設置于絕緣層130上，且可延伸至基板110上。第一半導體層121及第二電極142可借由絕緣層130電性絕緣。第二電極142的材質可為光穿透導電材質。

利用第一電極141及第二電極142分別對于第一半導體層121及第二半導體層122施加偏壓時，第一半導體層121及第二半導體層122之間的發(fā)光接面可發(fā)出光線。由于第一半導體層121及第二半導體層122本身形狀為對稱，故發(fā)光接面所發(fā)出的光線亦趨于對稱。此外，發(fā)光接面所發(fā)出的光線中，除了沿遠離基板110的方向發(fā)散的光線可直接供使用者使用以外，沿發(fā)光接面的側向發(fā)散的光線中至少部分光線可經(jīng)由位于周圍部上表面1212a的第一電極141的反射而遠離基板110，以供使用者使用。借此可提升發(fā)光裝置100的光取出率。

請參照圖2A至圖8A、圖2B至圖8B及圖2C至圖8C，圖2A至圖8A繪示制造圖1A的發(fā)光裝置100的俯視流程示意圖，圖2B至圖8B繪示圖2A至圖8A沿B-B剖面的制造發(fā)光裝置100的側視流程示意圖，圖2C至圖8C繪示圖2A至圖8A沿C-C剖面的制造發(fā)光裝置100的側視流程示意圖。

如圖2A、圖2B及圖2C所示，于基板110上設置半導體組件1200。此半導體組件1200可由依序堆棧有第一半導體層1210及第二半導體層1220的半導體晶圓經(jīng)過晶圓切割(dicing)而獲得。故半導體組件1200亦可包括依序堆棧的第一半導體層1210及第二半導體層1220。其中，第一半導體層1210較第二半導體層1220接近基板110。

如圖3A、圖3B及圖3C所示或者如圖4A、圖4B及圖4C所示，于第二半導體層1220上設置用以形成抗蝕層150的光阻材料(photoresist)。使用者可利用掩膜161或掩膜162及特定波長的光線圖案化此光阻材料而形成具有指定圖案的抗蝕層150。掩膜161及掩膜162的圖案可為鏡像對稱。于圖3A、圖3B及圖3C的場合中，可將正性光阻材料均勻設置于第二半導體層1220上。掩膜161于中央部分R1即預計形成圖1B的第一半導體層121的本體部1211的位置為配置成遮避光線，于周圍部分R2即預計形成圖1B的第一半導體層121的周圍部1212的位置為配置成可供部分光線通過。掩膜161于周圍部分R2為漸層配置，其中于周圍部分R2的掩膜161愈接近中央部分R1則可供愈多光線通過，于周圍部分R2的掩膜161愈遠離中央部分R1則可供愈少光線通過。

因此，將掩膜161放置于光阻材料上方且照射特定波長的光線后，受遮光的光阻材料可被保留于第二半導體層1220上，受到愈多光線照射的光阻材料其保留于第二半導體層1220上的厚度愈薄，受到愈少光線照射的光阻材料其保留于第二半導體層1220上的厚度愈厚。因此由光阻材料形成的抗蝕層150中，相應于中央部分R1的厚度最厚，相應于周圍部分R2愈接近中央部分R1的厚度最薄，相應于周圍部分R2愈遠離中央部分R1的厚度則逐漸增厚。而抗蝕層150的抗蝕能力隨著厚度愈厚則愈強，厚度愈薄則愈弱。

另外，于圖4A、圖4B及圖4C的場合中，可將負性光阻材料均勻設置于第二半導體層1220上。掩膜162于中央部分R1即預計形成圖1B的第一半導體層121的本體部1211的位置為配置成不遮避光線而可令最多光線通過，于周圍部分R2即預計形成圖1B的第一半導體層121的周圍部1212的位置為配置成可供部分光線通過。掩膜161于周圍部分R2為漸層配置，其中于周圍部分R2的掩膜161愈接近中央部分R1則可供愈少光線通過，于周圍部分R2的掩膜161愈遠離中央部分R1則可供愈多光線通過。

因此，將掩膜162放置于光阻材料上方且照射特定波長的光線后，受到充足光線照射的光阻材料可被保留于第二半導體層1220上，受到愈少光線照射的光阻材料其保留于第二半導體層1220上的厚度愈薄，受到愈多光線照射的光阻材料其保留于第二半導體層1220上的厚度愈厚。因此與圖3B及圖3C相似地，由光阻材料形成的抗蝕層150中，相應于中央部分R1的厚度最厚，相應于周圍部分R2愈接近中央部分R1的厚度最薄，相應于周圍部分R2愈遠離中央部分R1的厚度則逐漸增厚。而抗蝕層150的抗蝕能力隨著厚度愈厚則愈強，厚度愈薄則愈弱。

如圖5A、圖5B及圖5C所示，借由抗蝕層150的抗蝕能力差異對圖2A、圖2B及圖2C中的半導體組件1200進行蝕刻，以將其加工為具有本實施例的形狀的第一半導體層121及第二半導體層122，且移除剩余的圖3B及圖3C或圖4B及圖4C中所示的抗蝕層150。所蝕刻而成的第一半導體層121及第二半導體層122中，相應于中央部分R1的半導體材料厚度最厚，相應于周圍部分R2愈接近中央部分R1的半導體材料厚度最薄，相應于周圍部分R2愈遠離中央部分R1的半導體材料厚度則逐漸增厚。

因此，所形成的第一半導體層121可包括相連的本體部1211及周圍部1212。周圍部1212可以鏡像對稱的方式形成于本體部1211周圍，且本體部1211凸出周圍部1212。周圍部上表面1212a為斜面。周圍部上表面1212a的外圍至基板110的距離大于周圍部上表面1212a接近本體部1211的位置至基板110的距離。第二半導體層122設置于本體部1211上，且其圖案與本體部1211實質相同。本體部1211以及第二半導體層122之間可形成發(fā)光接面。

如圖6A、圖6B及圖6C所示，形成絕緣層130覆蓋第一半導體層121及第二半導體層122。其中，絕緣層130可借由沉積絕緣材料而形成，亦可對于第一半導體層121及第二半導體層122本身的半導體材料進行鈍化而形成。

如圖7A、圖7B及圖7C所示，去除部分絕緣層130以露出部分周圍部1212，且于絕緣層130上形成開口131。開口131可露出部分第二半導體層122。詳細而言，開口131可露出部分第二半導體層122的上表面S2’。至少一部分的絕緣層130自第二半導體層122延伸至基板110。

如圖8A、圖8B及圖8C所示，形成第一電極141及第二電極142。第一電極141的一部分設置于周圍部1212上，且電性連接至周圍部1212。第一電極141的其他部分可延伸至基板110上。第二電極142的一部分設置于第二半導體層122上，且經(jīng)由開口131電性連接至第二半導體層122。第二電極142的其他部分可設置于絕緣層130上，且可延伸至基板110上。第一半導體層121及第二電極142可借由絕緣層130電性絕緣。

另外，請參照圖9A、9B及圖9C，圖9A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置200的俯視示意圖，圖9B繪示圖9A的發(fā)光裝置200沿B-B剖面的側視剖面示意圖，圖9C繪示圖9A的發(fā)光裝置200沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

本實施例的發(fā)光裝置200與圖1A、圖1B及圖1C所示的發(fā)光裝置100相似，因此針對相異處加以說明，且相同的符號代表相似的組件。

本實施例的發(fā)光裝置200與圖1A、圖1B及圖1C所示的發(fā)光裝置100的差異，在于本實施例中，第一電極241設置于周圍部1212上的部分可圍繞第一半導體層121完整一周，而非發(fā)光裝置100中，第一電極141并未圍繞第一半導體層121完整一周。絕緣層230覆蓋第一半導體層121、第二半導體層122及第一電極241。絕緣層230的一部分位于第一電極241及第二電極242之間。第一電極241及第二電極242可借由絕緣層230電性絕緣。于本實施例中，絕緣層230雖可覆蓋第一半導體層121及第一電極241及部分覆蓋第二半導體層122，但并非限定于此。于其他實施例中，絕緣層230亦可在第二電極242能夠電性絕緣第一半導體層121及第一電極241的前提下，僅覆蓋部分第一半導體層121及部分第一電極241。

請參照圖10A至圖15A、圖10B至圖15B及圖10C至圖15C，圖10A至圖15A繪示制造圖9A的發(fā)光裝置200的俯視流程示意圖，圖10B至圖15B繪示圖10A至圖15A沿B-B剖面的制造發(fā)光裝置200的側視流程示意圖，圖10C至圖15C繪示圖10A至圖15A沿C-C剖面的制造發(fā)光裝置200的側視流程示意圖。

其中，圖10A至圖11A、圖10B至圖11B及圖10C至圖11C的流程與圖2A至圖5A、圖2B至圖5B及圖2C至圖5C相似。如圖10A、圖10B及圖10C所示，于基板110上設置半導體組件1200。此半導體組件1200可包括依序堆棧的第一半導體層1210及第二半導體層1220。其中，第一半導體層1210較第二半導體層1220接近基板110。

如圖11A、圖11B及圖11C所示，對圖10A、圖10B及圖10C中的半導體組件1200進行蝕刻，以將具有本實施例的形狀的第一半導體層121及第二半導體層122。所蝕刻而成的第一半導體層121及第二半導體層122中，相應于中央部分R1的半導體材料厚度最厚，相應于周圍部分R2愈接近中央部分R1的半導體材料厚度最薄，相應于周圍部分R2愈遠離中央部分R1的半導體材料厚度則逐漸增厚。

如圖12A、圖12B及圖12C所示，形成第一電極241。第一電極241的一部分設置于周圍部上表面1212a上及周圍部側表面1212b上，且電性連接至周圍部1212。此部分的第一電極241可圍繞第一半導體層121的周圍部1212完整一周。第一電極241的其他部分可延伸至基板110上。

如圖13A、圖13B及圖13C所示，形成絕緣層230覆蓋第一半導體層121、第二半導體層122及第一電極241。其中，絕緣層230可借由沉積絕緣材料而形成。于此實施例中，絕緣層230雖覆蓋第一半導體層121、第二半導體層122及第一電極241，但并非限定于此。于其他實施例中，絕緣層230亦可覆蓋部分第一半導體層121及部分第一電極241相應于后續(xù)將形成第二電極241的位置。

如圖14A、圖14B及圖14C所示，于絕緣層230設置開口231，開口231可露出部分第二半導體層122，也就是露出部分第二半導體層122的上表面S2’。

如圖15A、圖15B及圖15C所示，形成第二電極242。第二電極242的一部分設置于第二半導體層122上，且經(jīng)由開口231電性連接至第二半導體層122。第二電極242的其他部分可設置于絕緣層230上，且可延伸至基板110上。第一半導體層121及第二電極242可借由絕緣層230電性絕緣。絕緣層230的一部分位于第一電極241及第二電極242之間，故第一電極241及第二電極242亦可借由絕緣層230電性絕緣。

另外，請參照圖16A、16B及圖16C，圖16A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置300的俯視示意圖，圖16B繪示圖16A的發(fā)光裝置300沿B-B剖面的側視剖面示意圖，圖16C繪示圖16A的發(fā)光裝置300沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

本實施例的發(fā)光裝置300與圖1A、圖1B及圖1C所示的發(fā)光裝置100相似，二者差異在于本實施例的發(fā)光裝置300的周圍部上表面3212a實質上平行于基板110的第一表面S1。因此使得位于周圍部上表面3212a的絕緣層330的一部分、位于周圍部上表面3212a的第一電極341的一部分及位于周圍部上表面3212a的第二電極342的一部分亦皆實質上平行于基板110的第一表面S1。

另外，請參照圖17A、17B及圖17C，圖17A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置400的俯視示意圖，圖17B繪示圖17A的發(fā)光裝置400沿B-B剖面的側視剖面示意圖，圖17C繪示圖17A的發(fā)光裝置400沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

本實施例的發(fā)光裝置400與圖9A、圖9B及圖9C所示的發(fā)光裝置200相似，二者差異在于本實施例的發(fā)光裝置400的周圍部上表面4212a實質上平行于基板110。因此使得位于周圍部上表面4212a的絕緣層430的一部分、位于周圍部上表面4212a的第一電極441的一部分及位于周圍部上表面4212a的第二電極442的一部分亦實質上平行于基板110。

另外，請參照圖18A、18B及圖18C，圖18A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置500的俯視示意圖，圖18B繪示圖18A的發(fā)光裝置500沿B-B剖面的側視剖面示意圖，圖18C繪示圖18A的發(fā)光裝置500沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

本實施例的發(fā)光裝置500與圖1A、圖1B及圖1C所示的發(fā)光裝置100相似，二者差異在于本實施例的發(fā)光裝置500的周圍部上表面5212a為弧面。其中此弧面可為拋物面，且此拋物面上的各拋物線的焦點可位于本體部1211及第二半導體層122之間的發(fā)光接面。因此使得位于周圍部上表面5212a的絕緣層530的一部分、位于周圍部上表面5212a的第一電極541的一部分及位于周圍部上表面5212a的第二電極542的一部分亦為弧面。且由于通常絕緣層530、第一電極541及第二電極542的厚度極薄，故三者的弧面為拋物面時，此些拋物面上的各拋物線的焦點亦可位于本體部1211及第二半導體層122之間的發(fā)光接面。

另外，請參照圖19A、19B及圖19C，圖19A繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置600的俯視示意圖，圖19B繪示圖19A的發(fā)光裝置600沿B-B剖面的側視剖面示意圖，圖19C繪示圖19A的發(fā)光裝置600沿C-C剖面的側視剖面示意圖。

本實施例的發(fā)光裝置600與圖9A、圖9B及圖9C所示的發(fā)光裝置200相似，二者差異在于本實施例的發(fā)光裝置600的周圍部上表面6212a為弧面。其中此弧面可為拋物面，且此拋物面上的各拋物線的焦點可位于本體部1211及第二半導體層122之間的發(fā)光接面。因此使得位于周圍部上表面6212a的絕緣層630的一部分、位于周圍部上表面6212a的第一電極641的一部分及位于周圍部上表面6212a的第二電極642的一部分亦為弧面。且由于通常絕緣層630、第一電極641及第二電極642的厚度極薄，故三者的弧面為拋物面時，此些拋物面上的各拋物線的焦點亦可位于本體部1211及第二半導體層122之間的發(fā)光接面。

另外，請參照圖20，繪示依照本新型的另一實施例的發(fā)光裝置700的俯視示意圖。本實施例的發(fā)光裝置700與圖1A、圖1B及圖1C所示的發(fā)光裝置100相似，二者的主要相異處，在于本實施例的發(fā)光裝置700的本體部7211于俯視時可為圓形，但并非限定于此，亦可為橢圓形、花形、星形或其他對稱圖形。

綜上所述，本新型的發(fā)光裝置，借由第一半導體層及第二半導體層的形狀為對稱配置，而使得形成于第一半導體層及第二半導體層之間的發(fā)光接面所所產生的光線亦可趨于對稱。此外，借由本體部凸出周圍部，沿發(fā)光接面的側向發(fā)散的光線中至少部分光線可經(jīng)由位于周圍部的第一電極的反射而遠離基板，以利此光線的應用，借此還可提升發(fā)光裝置的光取出率。

當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本實用新型作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本實用新型權利要求的保護范圍。