技術(shù)特征：

1.一種無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底為一具有溝槽的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體襯底形成有一表面膜層，所述表面膜層覆蓋所述溝槽的表面，所述表面膜層為非硅材料；

通過(guò)乙硅烷分解方式在所述表面膜層上沉積一種子層，所述種子層的材質(zhì)為硅，所述種子層的厚度小于

通過(guò)甲硅烷分解方式在所述種子層上沉積一無(wú)定形硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述種子層沉積時(shí)的溫度為350℃～410℃。

3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述種子層沉積時(shí)的壓力為0.5Torr～1.5Torr。

4.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述種子層的厚度為

5.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述無(wú)定形硅層沉積時(shí)的溫度為500℃～560℃。

6.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述無(wú)定形硅層沉積時(shí)的壓力為0.3Torr～0.7Torr。

7.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述無(wú)定形硅層的厚度為

8.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述溝槽的深度為2μm～4μm。

9.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形硅的沉積方法，其特征在于，所述表面膜層為氧化硅或者氮化硅。

10.一種3D-NAND閃存的制作方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的方法沉積無(wú)定型硅。