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技術(shù)編號(hào)：12477870

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無定形硅的沉積方法和3D-NAND閃存的制作方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種無定形硅的沉積方法和一種3D-NAND閃存的制作方法。背景技術(shù)3D-NAND閃存結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的2D-NAND閃存結(jié)構(gòu)截然不同，3D-NAND是立體結(jié)構(gòu)，以垂直半導(dǎo)體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極結(jié)構(gòu)形成多電柵級(jí)存儲(chǔ)器單元晶體管，可以有效降低堆棧間的干擾。3D-NAND閃存技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著提高，還使其功耗大幅降低。在3D-NAND閃存的制作中，溝槽上方沉積的無定形硅作為電流的通道，其均一性對(duì)半導(dǎo)體...
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