本發(fā)明的實施例涉及一種半導體元件。

背景技術：

隨著半導體技術的發(fā)展，半導體芯片/裸片變得越來越小。同時，更多功能需要集成到半導體裸片中。因此，半導體裸片需要使越來越大數(shù)目個i/o墊包裝到較小區(qū)域中且i/o墊的密度隨著時間迅速提高。結(jié)果，半導體裸片的封裝變得更困難，此不利地影響封裝的良率。

常規(guī)封裝技術可分成兩個類別。在第一類別中，在鋸切晶片上的裸片之前封裝裸片。此封裝技術具有一些有利特征部，例如，較大處理能力和較低成本。此外，需要較少側(cè)填料或模制化合物。此封裝技術遭受缺點。舉例來說，裸片的大小變得越來越小，且各自封裝可僅為其中各裸片的i/o墊限于直接在各自裸片的表面上方的區(qū)域的扇入型封裝。然而，在裸片面積有限的情況下，i/o墊的數(shù)目歸因于i/o墊的間距的限制而有限。如果減小墊的間距，那么焊料區(qū)域可能彼此橋接，從而導致電路故障。另外，在固定球大小要求下，焊球必須具有特定大小，此繼而限制裸片的表面上可包裝的焊球的數(shù)目。因此，已開發(fā)集成扇出(info)封裝。

info封裝不適合于制作用于某些應用(例如，無線充電)的線圈。歸因于info封裝的小的大小，如果在info封裝中制作線圈，那么線圈將小。info封裝中的線圈與info封裝外部的線圈之間的互感將低，且不可滿足透過磁共振的無線電力傳送的要求。另一方面，也不可通過增加線圈的匝數(shù)而增加互感，這是因為此將導致電阻增加，此繼而導致電力傳送的效率的大幅降低。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例具有一些有利特征。通過在金屬板中形成(若干)槽，電磁場可通過金屬板，且改善info線圈與外部線圈之間的互感。此外，可放大互感，導致無線充電效應的改善。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種結(jié)構(gòu)包含：囊封材料；和線圈，其包含貫穿導體。貫穿導體在囊封材料中，其中貫穿導體的頂面與囊封材料的頂面大體上共面，且貫穿導體的底面與囊封材料的底面大體上共面。金屬板下伏于囊封材料。槽在金屬板中且塡充有介電材料。槽具有與線圈重疊的部分。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種結(jié)構(gòu)包含：囊封材料；裝置裸片，其囊封于囊封材料中；和貫穿導體，其囊封于囊封材料中。貫穿導體形成電耦合到裝置裸片的線圈的部分。結(jié)構(gòu)進一步包含金屬板，其具有與線圈重疊的一部分，其中金屬板延伸超過線圈的邊緣。介電材料穿透通過金屬板。介電材料包含第一長形部分，所述第一長形部分具有平行于第一方向的第一縱向方向。第一長形部分包含與線圈重疊的第一部分和未與線圈重疊的第二部分。介電材料進一步包含第二長形部分，所述第二長形部分具有平行于第二方向的第二縱向方向，其中第二方向非平行于第一方向。第二長形部分接合到第一長形部分且與線圈重疊。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種結(jié)構(gòu)包含：囊封材料；裝置裸片，其囊封于囊封材料中；和貫穿導體，其囊封于囊封材料中。貫穿導體形成電耦合到裝置裸片的線圈的部分。結(jié)構(gòu)進一步包含金屬板，其具有與線圈重疊的部分。金屬板延伸超過線圈的邊緣。介電區(qū)域穿透通過金屬板。介電區(qū)域包含與線圈重疊的塊體部分和連接到塊體部分的長形部分。長形部分窄于塊體部分。長形部分包含與線圈重疊的第一部分和延伸超過線圈的邊緣的第二部分。

附圖說明

當與隨附圖一起閱讀時從以下詳細描述最佳理解本揭露的方面。應注意，根據(jù)業(yè)界中的標準方法，多種特征部未按比例繪制。事實上，為了清楚論述可任意增大或減小多種特征部的尺寸。

圖1繪示根據(jù)一些實施例的集成扇出(info)封裝的橫截面視圖。

圖2繪示根據(jù)一些實施例的包含密封氣隙的info封裝的橫截面視圖。

圖3和圖4繪示根據(jù)一些實施例的線圈和連接裝置裸片的俯視圖。

圖5、圖9、圖11、圖13和圖15繪示根據(jù)一些實施例的線圈和各自金屬板和金屬板中的介電區(qū)域的俯視圖。

圖6到圖8、圖10、圖12、圖14和圖16繪示根據(jù)一些實施例的用于模擬的結(jié)構(gòu)。

具體實施方式

以下揭示內(nèi)容提供用于實施本揭露的不同特征部的許多不同實施例或?qū)嵗?。在下文中描述組件和布置的具體實例以簡化本揭露。當然，其僅僅為實例且不旨在為限制性。舉例來說，在以下描述中，第一特征部形成在第二特征部上方或上可包含其中第一特征部和第二特征部直接接觸形成的實施例且也可包含其中額外特征部可形成于第一特征部與第二特征部之間使得第一特征部和第二特征部無法直接接觸的實施例。另外，本揭露可在多種實例中重復元件符號和/或字母。此重復是為了簡潔和清楚的目的且其自身不指示所論述的多種實施例和/或配置之間的關系。

此外，可為了容易描述而在本文中使用例如“下伏”、“下方”、“下”、“上覆”、“上”和類似者的空間相對術語以描述如圖中繪示的元件或特征部與其它(若干)元件或(若干)特征部的關系?？臻g相對術語旨在涵蓋除了圖中描繪的定向之外的裝置在使用中或操作中的不同定向。裝備可另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或成其它定向)且可同樣對應地解譯本文中使用的空間相對描述詞。

根據(jù)多項示范性實施例提供集成扇出(info)封裝和info封裝中的線圈。貫穿當前描述將info封裝中的線圈稱為info線圈。論述一些實施例的一些變動。貫穿多種視圖和闡釋性實施例，使用相同元件符號指定相同元件。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的info封裝100的橫截面視圖。info封裝100包含囊封于囊封材料26中的裝置裸片28。另外，也在囊封材料26中囊封形成info線圈30的部分的貫穿導體32。囊封材料26塡充鄰近貫穿導體32之間的間隙和貫穿導體32與裝置裸片28之間的間隙。囊封材料26可為聚合物基材料，且可包含模制化合物、模制側(cè)填料、環(huán)氧樹脂和/或樹脂。囊封材料26的頂面與裝置裸片28的頂端一樣高，此可透過(例如)化學機械拋光(cmp)達成。

info線圈30充當電感器，且可具有多種適用形狀。舉例來說，圖3和圖4繪示根據(jù)一些示范性實施例的示范性電感器/線圈的俯視圖。在圖3中，貫穿導體32形成多個同心環(huán)，其中外環(huán)包圍內(nèi)環(huán)。在圖3中，繪示兩個環(huán)，但也預期任何其它數(shù)目個環(huán)(例如，1、3或更多)。環(huán)為具有缺口的部分環(huán)，此容許外環(huán)透過(若干)橋35而連接到內(nèi)環(huán)。多個環(huán)串聯(lián)連接到兩個端口37。線圈30的端口連接到裝置裸片28。在圖4中，貫穿導體32為集成螺旋的部分，所述集成螺旋也具有端口37。圖4繪示左端口37與裝置裸片28斷開。在替代實施例中，左端口37也可(例如)透過如圖1和圖2中展示的重布線50和54而連接到裝置裸片28。

再次參考圖1，貫穿導體32具有與囊封材料26的頂面大體上共面的頂面和與囊封材料26的底面大體上共面的底面。貫穿當前描述，當使用術語“大體上共面”時，各自“平坦表面”可仍具有在各自制造過程的變動內(nèi)的高度差異。

裝置裸片28可透過裸片附接薄膜(daf)34而粘著到粘著薄膜24，所述daf34為粘著薄膜。也可省略daf34，且裝置裸片28直接粘著到粘著薄膜24。裝置裸片28可具有以下功能：從線圈30接收電流；整流電流；且對電池(未圖示)充電。雖然繪示一個裝置裸片28，但更多裝置裸片可放置于粘著薄膜24上方，所述裝置裸片可包含中央處理單元(cpu)裸片、微控制單元(mcu)裸片、輸入-輸出(io)裸片、基頻(bb)裸片和/或應用處理器(ap)裸片。

裝置裸片28可包含半導體襯底36，半導體襯底36可為硅襯底。集成電路裝置38形成于半導體襯底36上。集成電路裝置38可包含主動裝置(例如，晶體管和二極管)和/或被動裝置(例如，電阻器、電容器、電感器或類似者)。裝置裸片28可包含電耦合到集成電路裝置38的金屬柱46。金屬柱46可嵌入介電層40中，介電層40可由(例如)pbo或聚酰亞胺形成。也繪示鈍化層42，其中金屬柱46可延伸到鈍化層42中。鈍化層42可包含氮化硅、氧化硅或其多個層。

介電層48形成于囊封材料26上方。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，介電層48由聚合物(例如，pbo、聚酰亞胺或類似者)形成。根據(jù)本發(fā)明的替代實施例，介電層48由無機材料(例如，氮化硅、氧化硅或類似者)形成。

重布線(rdl)50經(jīng)形成以電耦合到金屬柱46和貫穿導體32。rdl50也可互連金屬柱46和貫穿導體32。另外，rdl50可用于形成電感器30的橋35(圖3)或為電感的一部份。rdl50包含介電層48上方的金屬跡線(金屬線)和延伸到介電層48中的通孔。rdl50中的通孔連接到貫穿導體32和金屬柱46。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，rdl50的形成包含：形成毯覆銅種子層；在毯覆銅種子層上方形成且圖案化掩模層；執(zhí)行電鍍以形成rdl50；去除掩模層；和蝕刻未由rdl50覆蓋的毯覆銅種子層的部分。rdl50可由金屬或金屬合金(包含鋁、銅、鎳、鎢和/或其合金)形成。

介電層52形成于介電層48和rdl50上方?？墒褂眠x自用于形成介電層48的相同候選材料的材料形成介電層52。rdl54經(jīng)形成以具有在介電層52內(nèi)部的某個部分和在介電層52上方的某些其它部分。rdl54也可由金屬或金屬合金(包含鋁、銅、鎢和/或其合金)形成。應了解，雖然在所繪示的示范性實施例中，形成兩層rdl(50和54)，但rdl可具有任何數(shù)目個層(例如，一層或兩層以上)。

介電層56形成于介電層52和rdl54上方。可(例如)使用pbo、聚酰亞胺或bcb形成介電層56。電連接器58具有在介電層56內(nèi)部的某個部分和在介電層56上方的某些其它部分。電連接器58經(jīng)形成以電連接到rdl54。電連接器58可包含凸塊下冶金(ubm)、金屬柱、焊料區(qū)域和/或類似者。根據(jù)一些示范性實施例，電連接器58電連接到撓曲印刷電路板(pcb(fpc)，未展示)。

根據(jù)一些實施例，可為預形成板的鐵氧體材料60粘著到頂面層(例如，層56)?？赏高^粘著薄膜62達成粘著。根據(jù)一些實施例，鐵氧體材料60可包含錳-鋅、鎳-鋅或類似者。鐵氧體材料60在高頻率下具有低損耗，且用于改善info線圈30的性能(例如，互感)。鐵氧體材料60與囊封材料26的一部分重疊。此外，鐵氧體材料60與info線圈30的至少一部分重疊，且可或可不延伸超過info線圈30的邊緣。

貫穿本發(fā)明實施例的描述，包含電連接器58、裝置裸片28、囊封材料26和貫穿導體32的粘著薄膜24上方的特征部組合地稱為info封裝100。含有槽的金屬板18下伏于info封裝100且與info封裝100重疊。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，info封裝100透過粘著薄膜24而粘著到含有槽的金屬板18。

含有槽的金屬板18包含金屬板22和金屬板22的槽中的介電材料20。貫穿當前描述，使用元件符號20以指含有槽的金屬板18中的槽和槽中的介電材料兩者。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，金屬板22由金屬或金屬合金形成，金屬合金由銅、鋁、鎳、鉻、陽極氧化金屬和/或類似者形成。介電材料20可完全或部分塡充金屬板22中的槽。根據(jù)一些實施例，介電材料20由有機材料(例如，塑料或聚合物)或無機介電材料(例如，玻璃、氧化物、陶瓷或類似者)形成。介電材料20可透明或不透明。

金屬板22和介電材料20可具有彼此大體上共面的頂面和/或彼此共面的底面。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，金屬板22和介電材料20組合地形成外殼的部分，所述外殼可為(例如)移動電話、平板計算機或計算機的外殼。外殼的所繪示部分為下部分且外殼可進一步包含上覆于所繪示部分的上部分和在所繪示部分的左側(cè)和右側(cè)的部分(未圖示)。

圖2繪示根據(jù)替代實施例的info封裝100和含有槽的金屬板18。含有槽的金屬板18包含其中的槽20，其中槽20為未塡充有固體介電材料的氣隙。換句話說，槽20塡充有空氣且因此形成介電區(qū)域。使用介電薄膜16覆蓋槽20，其中介電薄膜16和粘著劑24密封槽20。貫穿當前描述，當提及術語“介電材料20”時，其指示介電材料20可為固體介電材料或空氣。介電薄膜16也可由介電材料(例如，塑料、玻璃、陶瓷或類似者)形成。

圖5繪示根據(jù)一些示范性實施例的圖1和圖2中展示的結(jié)構(gòu)的部分的俯視圖，其中繪示線圈30和含有槽的金屬板18。未繪示例如介電層48、52和56、裝置裸片28和如圖1和圖2中展示的類似者的其它材料和區(qū)域，但其仍存在。介電材料20包含部分20a和20b(在下文中稱為介電部分或槽部分)。介電部分20a具有平行于第一方向(x方向)的縱向方向。部分20b具有非平行于部分20a的縱向方向的縱向方向。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，部分20b的縱向方向沿y方向，y方向垂直于部分20a的縱向方向。部分20a和20b也可既不彼此平行也不彼此垂直。此外，部分20a可長于部分20b。部分20a和部分20b彼此接合以形成交叉。

根據(jù)一些實施例，含有槽的金屬板18具有彼此相對的邊緣18a和18b。取決于含有槽的金屬板18的形狀和使用，邊緣18a和18b可或可不彼此平行。舉例來說，當含有槽的金屬板18用作移動電話的后蓋時，含有槽的金屬板18的形狀由移動電話的形狀確定，且邊緣18a與18b可彼此平行。槽部分20a具有長度l1和寬度w1。根據(jù)這些實施例，長度l1大于線圈30的長度l3且等于含有槽的金屬板18的長度。槽部分20a的寬度w1小于長度l1且可小于線圈30的寬度w3。

介電材料20的部分20b具有長度l2和寬度w2，寬度w2小于長度l2。此外，寬度w2可等于、大于或小于部分20a的寬度w1。根據(jù)本申請案的一些實施例，部分20b的長度l2小于線圈30的寬度w3，且部分20b的寬度w2小于線圈30的長度l3和寬度w3兩者。

此外，部分20a可在相反的x方向上延伸超過線圈30的邊緣。另一方面，部分20b可完全處在與線圈30重疊的區(qū)域中且不延伸超過線圈30的邊緣(如圖5中展示)。替代地，部分20b也可在y方向的一者或兩者上延伸超過線圈30的邊緣。根據(jù)一些示范性實施例，部分20a與20b的交叉區(qū)域?qū)视诰€圈30。交叉區(qū)域的中心可對準于線圈30的中心以最大化放大效應，如隨后段落中所論述。

如圖5中展示的info線圈30已改善與外部線圈14(圖1或圖2)的互感。如圖1和圖2中展示，線圈14放置于info封裝100的外部且可在info封裝100定位于其中的產(chǎn)品(例如，移動電話)的外部。線圈14可用作(例如)用于傳輸能量的傳輸器線圈而info線圈30用作用于接收由線圈14傳輸?shù)哪芰康慕邮掌骶€圈。

圖6、圖7和圖8繪示執(zhí)行模擬的結(jié)構(gòu)。圖6繪示線圈14和線圈30的透視圖。info線圈30在線圈14上方，其中info線圈30與線圈14之間無金屬板。此外，info線圈30在線圈14上方，且線圈30的中心對準于線圈14的中心。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為123.6nh。在此設定中，由線圈14產(chǎn)生的電磁場在不被阻擋的情況下傳輸?shù)絠nfo線圈30。

圖7繪示執(zhí)行模擬的線圈14和線圈30的透視圖。info線圈30在線圈14上方且對準于線圈14，其中大金屬板22在info線圈30與線圈14之間(且對準于info線圈30和線圈14)。金屬板22在其中不具有槽，且因此完全阻擋由線圈14產(chǎn)生的電磁場傳輸?shù)骄€圈30。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為0.1nh，其指示info線圈30與線圈14之間基本上不存在互感。因此，當info線圈30與線圈14之間放置無槽金屬板(例如，電話的無槽金屬后蓋)時，info線圈30和線圈14不可用于無線電力傳送。從圖6和圖7獲得的結(jié)果用作基準以比較根據(jù)本發(fā)明的多項實施例的其它結(jié)構(gòu)的性能。

圖8繪示執(zhí)行模擬的線圈14和線圈30的俯視圖。info線圈30在線圈14上方，其中含有槽的金屬板18(與圖5中展示的含有槽的金屬板18相同)放置于info線圈30與線圈14之間。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為192nh。應注意，此互感大于從圖6獲得的互感(123.6nh)。這指示如圖5中展示的十字形槽不僅容許電磁場的完全通過，而且也放大電磁場，這意味著無線充電的更佳效率。

再次參考圖5，如果槽20的寬度w1和/或w2太大(例如，等于或大于線圈30的寬度w3)，那么互感將被減小到從圖6獲得的互感(123.6nh)。因此，保持寬度w1和/或w2不太大對于增加互感是有利的。另一方面，寬度w1和/或w2不可太小，這是因為具有非常小的寬度w1和/或w2的槽不容許電磁場容易地通過，且互感可降級到圖7中獲得的互感。

圖9繪示根據(jù)一些示范性實施例的圖1和圖2中展示的結(jié)構(gòu)的部分的俯視圖，其中繪示線圈30和含有槽的金屬板18。介電材料20包含中心塊體部分20c和長形部分20d，長形部分20d接合到塊體部分20c以形成連續(xù)介電區(qū)域。塊體部分20c與線圈30重疊(當在橫截面視圖中觀看時)。根據(jù)一些示范性實施例，塊體部分20c小于線圈30(在如圖6中的俯視圖中)。此外，塊體部分20c的全部邊緣可從線圈30的各自邊緣撤回，且因此線圈30與塊體部分20c完全重疊。換句話說，線圈30延伸超過塊體部分20c的邊緣。根據(jù)一些示范性實施例，部分20a與20b的交叉區(qū)域的中心對準于線圈30的中心。線圈30的俯視圖可具有圓形形狀、矩形形狀、六邊形形狀、八邊形形狀或另一適用形狀。

長形部分20d具有連接到塊體部分20c的第一末端和延伸超過線圈14的各自邊緣(所繪示的上邊緣)的第二末端。根據(jù)一些實施例，如圖9中繪示，長形部分20d延伸到含有槽的金屬板18的邊緣18a。根據(jù)替代實施例，長形部分20d延伸超過線圈14的各自邊緣(所繪示的上邊緣)且不到達邊緣18a。根據(jù)一些實施例，長形部分的寬度w1小于線圈30的寬度w3。

圖10繪示執(zhí)行模擬的線圈14和線圈30的俯視圖。info線圈30在線圈14上方，其中含有槽的金屬板18(類似于圖9中展示的含有槽的金屬板18，且具有額外槽)放置于info線圈30與線圈14之間。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為240.4nh。結(jié)果與不添加額外槽的情況類似。應注意，此互感大于從圖6獲得的互感(123.6nh)。此指示如圖9中展示的槽具有放大電磁場的作用，此意味著無線充電的更佳效率。

再次參考圖9，如果部分20c太大，例如具有等于或大于線圈30的大小的大小，那么互感將接近從圖6獲得的互感。因此，使部分20c的大小保持小于線圈30的大小對于增加互感是有利的。

圖11繪示根據(jù)一些示范性實施例的圖1和圖2中展示的結(jié)構(gòu)的部分的俯視圖，其中繪示線圈30和含有槽的金屬板18。根據(jù)這些實施例，介電材料20的形狀類似于圖5中的形狀，惟不存在較短部分除外。介電材料20延伸到含有槽的金屬板18的邊緣18a和18b兩者。介電材料20在單一條狀槽中，所述單一條狀槽從含有槽的金屬板18的邊緣18a延伸到相對邊緣18b。介電材料20在相反的x方向上延伸超過線圈30的邊緣，且介電材料20的長度l1大于線圈30的長度l3。另一方面，介電材料20的寬度w1小于線圈30的寬度w3。

圖12繪示執(zhí)行模擬的線圈14和線圈30的俯視圖。info線圈30在線圈14上方，其中如圖11中展示的含有槽的金屬板18放置于info線圈30與線圈14之間。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為137.9nh。應注意，此互感大于從圖6獲得的互感(123.6nh)。此指示如圖11中展示的槽也具有放大電磁場的作用，此意味著無線充電的更佳效率。

再次參考圖11，如果介電材料20的寬度w1太大，例如，大于線圈30的寬度w3，那么互感將減小到從圖6獲得的互感。因此，使寬度w1保持小于線圈30的寬度w3對于增加互感是有利的。另一方面，寬度w1不可太小，這是因為具有非常小的寬度w1的槽不容許電磁場容易地通過，且互感可降級到圖7中獲得的互感。

圖13繪示根據(jù)一些示范性實施例的圖1和圖2中展示的結(jié)構(gòu)的部分的俯視圖，其中繪示線圈30和含有槽的金屬板18。根據(jù)這些實施例，介電材料20的形狀類似于圖11中的形狀，但介電材料20延伸到邊緣18b且不延伸到邊緣18a除外。類似地，介電材料20在兩個x方向上延伸超過線圈30的邊緣，且介電材料20的長度l1大于線圈30的長度l3。另一方面，介電材料20的寬度w1小于線圈30的寬度w3。

圖14繪示執(zhí)行模擬的線圈14和線圈30的俯視圖。info線圈30在線圈14上方，其中如圖13中展示的含有槽的金屬板18放置于info線圈30與線圈14之間。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為138.2nh。應注意，此互感大于從圖6獲得的互感(123.6nh)。此指示如圖13中展示的槽具有放大電磁場的作用，此意味著無線充電的更佳效率。介電材料20的寬度w1和長度l1具有如圖11中的類似要求。

圖15繪示根據(jù)一些示范性實施例的圖1和圖2中展示的結(jié)構(gòu)的部分的俯視圖，其中繪示線圈30和含有槽的金屬板18。根據(jù)這些實施例，介電材料20的形狀類似于圖11中的形狀，但介電材料20完全由金屬板18包圍且不延伸到邊緣18a和18b的任一者除外。類似地，介電材料20在兩個x方向上延伸超過線圈30的邊緣，且介電材料20的長度l1大于線圈30的長度l3。另一方面，介電材料20的寬度w1小于線圈30的寬度w3。

圖16繪示執(zhí)行模擬的線圈14和線圈30的俯視圖。info線圈30在線圈14上方，其中如圖15中展示的含有槽的金屬板18放置于info線圈30與線圈14之間。根據(jù)模擬結(jié)果，info線圈30與線圈14之間的互感為29.8nh。應注意，此互感小于從圖6獲得的互感(123.6nh)。此指示如圖13中展示的槽容許電磁場通過(雖然具有減小的量值)。進一步比較圖8、圖10、圖12、圖14和圖16中的結(jié)果，觀察到容許金屬板中的介電材料(槽)延伸到金屬板的邊緣可導致改善的互感，而不容許介電材料(槽)到達邊緣導致降級的互感。

本發(fā)明的實施例具有一些有利特征。通過在金屬板中形成(若干)槽，電磁場可通過金屬板，且改善info線圈與外部線圈之間的互感。此外，可放大互感，導致無線充電效應的改善。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種結(jié)構(gòu)包含：囊封材料；和線圈，其包含貫穿導體。貫穿導體在囊封材料中，其中貫穿導體的頂面與囊封材料的頂面大體上共面，且貫穿導體的底面與囊封材料的底面大體上共面。金屬板下伏于囊封材料。槽在金屬板中且塡充有介電材料。槽具有與線圈重疊的部分。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種結(jié)構(gòu)包含：囊封材料；裝置裸片，其囊封于囊封材料中；和貫穿導體，其囊封于囊封材料中。貫穿導體形成電耦合到裝置裸片的一線圈的部分。結(jié)構(gòu)進一步包含金屬板，其具有與線圈重疊的部分，其中金屬板延伸超過線圈的邊緣。介電材料穿透通過金屬板。介電材料包含第一長形部分，所述第一長形部分具有平行于第一方向的第一縱向方向。第一長形部分包含與線圈重疊的第一部分和未與線圈重疊的第二部分。介電材料進一步包含第二長形部分，所述第二長形部分具有平行于第二方向的第二縱向方向，其中第二方向非平行于第一方向。第二長形部分接合到第一長形部分且與線圈重疊。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種結(jié)構(gòu)包含：囊封材料；裝置裸片，其囊封于囊封材料中；和貫穿導體，其囊封于囊封材料中。貫穿導體形成電耦合到裝置裸片的線圈的部分。結(jié)構(gòu)進一步包含金屬板，其具有與線圈重疊的部分。金屬板延伸超過線圈的邊緣。介電區(qū)域穿透通過金屬板。介電區(qū)域包含與線圈重疊的塊體部分和連接到塊體部分的長形部分。長形部分窄于塊體部分。長形部分包含與線圈重疊的第一部分和延伸超過線圈的邊緣的第二部分。

前述概述若干實施例的特征使得所屬領域的技術人員可更好地理解本揭露的方面。所屬領域的技術人員應了解，其可容易使用本揭露作為用于設計或修改用于實施相同目的和/或達成本文中介紹的實施例的相同優(yōu)點的其它程序和結(jié)構(gòu)的基礎。所屬領域的技術人員也應意識到，這些等效構(gòu)造不應脫離本揭露的精神和范圍且其可在本文中做出多種改變、取代和更改而不脫離本揭露的精神和范圍。

符號說明

14外部線圈

16介電薄膜

18含有槽的金屬板

18a邊緣

18b邊緣

20介電材料/槽

20a部分

20b部分

20c中心塊體部分

20d長形部分(元件部分)

22金屬板

24粘著薄膜

26囊封材料

28裝置裸片

30集成扇出(info)線圈

32貫穿導體

34裸片附接薄膜(daf)

35橋

36半導體襯底

37端口

38集成電路裝置

40介電層

42鈍化層

46金屬柱

48介電層

50重布線

52介電層

54重布線

56介電層

58電連接器

60鐵氧體材料

62粘著薄膜

100集成扇出(info)封裝

l1槽部分長度

l2介電材料部分長度

l3線圈長度

w1槽部分寬度

w2介電材料部分寬度

w3線圈寬度