技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體基底及位于半導(dǎo)體基底之上的介電層。半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)還包括位于介電層之中的導(dǎo)電部件。導(dǎo)電部件包括觸媒層及導(dǎo)電構(gòu)件，且觸媒層介于導(dǎo)電構(gòu)件與介電層之間。觸媒層物理接觸導(dǎo)電構(gòu)件，且觸媒層連續(xù)地圍繞導(dǎo)電構(gòu)件的側(cè)壁及底部。觸媒層的材質(zhì)不同于導(dǎo)電構(gòu)件的材質(zhì)，且觸媒層具有降低導(dǎo)電構(gòu)件的一形成溫度的能力。

技術(shù)研發(fā)人員：李明翰;眭曉林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.08
技術(shù)公布日：2017.08.15