技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供了半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在襯底上方的第一溝道層、設(shè)置在襯底上方的第一源極/漏極區(qū)域、設(shè)置在每個第一溝道層上并且包裹每個第一溝道層的柵極介電層以及設(shè)置在柵極介電層上并且包裹每個第一溝道層的柵電極層。第一溝道層的每個均包括由第一半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體線。半導(dǎo)體線延伸至第一源極/漏極區(qū)域。第一源極/漏極中的半導(dǎo)體線由第二半導(dǎo)體材料包裹圍繞。

技術(shù)研發(fā)人員：陳奕升;吳政憲;葉致鍇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.22
技術(shù)公布日：2017.08.04