本申請(qǐng)要求韓國專利申請(qǐng)第10-2015-0163977號(hào)的優(yōu)先權(quán)以及所有權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引證結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，涉及能夠顯示高質(zhì)量圖像的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示裝置是在多個(gè)像素中的每一個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置。有機(jī)發(fā)光二極管包括像素電極、面向像素電極的相對(duì)電極、布置在像素電極和相對(duì)電極之間的中間層以及發(fā)射層。在這種有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，像素電極是在像素中的每一個(gè)內(nèi)圖案化的島型構(gòu)件，而相對(duì)電極是相對(duì)于多個(gè)像素共用的單體構(gòu)件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括能夠顯示高質(zhì)量圖像的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：互相間隔開的多個(gè)像素電極；像素限定層，與多個(gè)像素電極中的每一個(gè)的邊緣重疊；相對(duì)電極，布置為與多個(gè)像素電極及像素限定層共同重疊；多個(gè)發(fā)射層，設(shè)置在多個(gè)像素電極和相對(duì)電極之間，多個(gè)發(fā)射層分別與多個(gè)像素電極重疊；反射調(diào)節(jié)層，布置為與多個(gè)像素電極和像素限定層重疊，反射調(diào)節(jié)層具有導(dǎo)電性并且接觸相對(duì)電極；以及多個(gè)相位控制層，彼此間隔開地設(shè)置在相對(duì)電極和反射調(diào)節(jié)層之間。

反射調(diào)節(jié)層可以限定大于由相位控制層限定的消光系數(shù)的消光系數(shù)。

相位控制層可以直接布置在相對(duì)電極和反射調(diào)節(jié)層之間，在多個(gè)發(fā)射層中的每一個(gè)處，相位控制層的最大厚度可以限定第一厚度并且反射調(diào)節(jié)層的最大厚度可以限定第二厚度，在多個(gè)發(fā)射層中的每一個(gè)處，在入射到的反射調(diào)節(jié)層的光之中，可以由反射調(diào)節(jié)層的上表面反射第一光，并且可以由相對(duì)電極的上表面反射透射反射調(diào)節(jié)層和相位控制層的第二光，并且第一厚度和第二厚度的和可以引起第一光和第二光的相消干涉。

相位控制層可以直接布置在相對(duì)電極和反射調(diào)節(jié)層之間，在多個(gè)發(fā)射層中的每一個(gè)處，相對(duì)電極的上表面和反射調(diào)節(jié)層的上表面可以彼此以距離間隔，在多個(gè)發(fā)射層中的每一個(gè)處，在入射到反射調(diào)節(jié)層的光之中，可以由反射調(diào)節(jié)層的上表面反射第一光，并且可以由相對(duì)電極的上表面反射透射反射調(diào)節(jié)層和相位控制層的第二光，并且在多個(gè)發(fā)射層中的每一個(gè)處，相對(duì)電極的上表面和反射調(diào)節(jié)層的上表面之間的最大距離可以引起第一光和第二光的相消干涉。

反射調(diào)節(jié)層可以包括Ti、Mo、Mn、Cr、W、Ni、Co、Cu、CrN_x、TiN_x、TiAlN_x、NiS或TiC。

相位控制層可以包括SiN_x、SiO₂、SiCN、LiF、MgF₂、CaF₂、SiON、Ta_xO_y或TiO_x。

相位控制層可以包括彼此間隔開的部分以暴露相對(duì)電極的部分，并且具有導(dǎo)電性的反射調(diào)節(jié)層可以接觸在彼此間隔開的相位控制層的部分之間的相對(duì)電極的暴露的部分。

相位控制層可以包括彼此間隔開并且分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極的部分。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域內(nèi)布置了多個(gè)像素電極?？梢詫⒎瓷湔{(diào)節(jié)層設(shè)置為單體，與顯示區(qū)域內(nèi)的多個(gè)像素電極共同重疊。

與顯示區(qū)域內(nèi)的多個(gè)像素電極共同重疊的反射調(diào)節(jié)層可以對(duì)應(yīng)于相對(duì)電極，相對(duì)電極與多個(gè)像素電極和像素限定層共同重疊。

互相間隔開的多個(gè)像素電極可以限定介于其間的空間。有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括：薄膜封裝層，與多個(gè)像素電極和像素限定層共同重疊以覆蓋反射調(diào)節(jié)層；以及光吸收層，在薄膜封裝層上方，光吸收層限定其彼此間隔開的部分，以對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極。

互相間隔開的多個(gè)像素電極可以限定介于其間的空間。有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括：封裝基板，與多個(gè)像素電極和像素限定層共同重疊，以覆蓋反射調(diào)節(jié)層；以及光吸收層，在封裝基板上，光吸收層限定其彼此間隔開的部分，以對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極。光吸收層可以布置在封裝基板和反射調(diào)節(jié)層之間。

附圖說明

結(jié)合附圖，從下面實(shí)施方式的描述中，這些和/或其他特征將變得明顯并且更容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式的示意性截面圖；

圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性俯視平面圖；

圖3是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的另一個(gè)示意性平面圖；

圖4是根據(jù)比較例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性平面圖；

圖5是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的部分的放大了的示意性截面圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的另一個(gè)示例性實(shí)施方式的示意性截面圖；以及

圖7是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的再另一個(gè)示例性實(shí)施方式的示意性截面圖。

具體實(shí)施方式

盡管本發(fā)明考慮到各種改變以及許多的實(shí)施方式，但是將在附圖中示出并且將在書面描述中詳細(xì)描述具體的實(shí)施方式。然而，這些實(shí)施方式不旨在將本發(fā)明限制為具體的實(shí)踐模式，并且將理解，不背離精神和技術(shù)范圍的所有改變、等同物以及替代都包括在本發(fā)明中。在描述中，當(dāng)認(rèn)為相關(guān)技術(shù)的某些詳細(xì)解釋可能不必要地模糊本發(fā)明的本質(zhì)時(shí)，將其省略。

在下文中，將通過參考附圖解釋本發(fā)明的實(shí)施方式，詳細(xì)描述本發(fā)明。在附圖中，相同參考數(shù)字表示相同元件。

在下面的實(shí)例中，當(dāng)?shù)谝辉T如層、膜、區(qū)域或板是在第二元件上方時(shí)，這種配置包括第一元件直接在第二元件上的情況以及第三元件介于在第一元件和第二元件之間的情況。相反，當(dāng)層、膜、區(qū)域或板被稱為是“直接在”另一個(gè)層、膜、區(qū)域或板“上”時(shí)，不存在中間元件。為了解釋的方便，可以放大附圖中的部件的大小。換言之，由于為了解釋的方便，附圖中的部件的大小及厚度是任意示出的，所以下面的實(shí)施方式不限于此。

將理解，盡管術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，在不背離本文中的教導(dǎo)的情況下，以下論述的“第一元件”、“部件”、“區(qū)域”、“層”或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。

在下面的實(shí)例中，x軸、y軸和z軸不限于矩形坐標(biāo)系中的三個(gè)軸，并且可以以更廣泛的意義來解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以互相垂直，或可以表示不互相垂直的不同的方向。

本文中使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施方式目的，而并不旨在限制。除非內(nèi)容明確另外指示，否則如本文中使用的，單數(shù)形式“一(a)”、“一個(gè)(an)”以及“該”旨在包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一個(gè)”?！盎颉币馕吨昂?或”。如本文中使用的，術(shù)語“和/或”包括所列出的相關(guān)聯(lián)項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任何以及所有的組合。當(dāng)諸如“至少一個(gè)”的表達(dá)在元件的列表之前時(shí)，其修飾元件的整個(gè)列表而不是修飾列表中的單獨(dú)的元件。還將理解，當(dāng)在說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或“包含(includes)”和/或“包含(including)”指定存在所述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。

此外，如附圖所示，相對(duì)術(shù)語諸如“下”或者“底部”和“上”或者“頂部”可以在本文中用于描述一個(gè)元件與另一個(gè)元件的關(guān)系。將理解，除了附圖中描繪的方位以外，相對(duì)術(shù)語還旨在包括器件的不同的方位。例如，如果在一個(gè)附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其他元件的“下”側(cè)的元件將被定向?yàn)樵谄渌摹吧稀眰?cè)。因此，根據(jù)附圖的具體方位，示例性術(shù)語“下”可以包括“下”的方位和“上”的方位兩者。類似地，如果在一個(gè)附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為“在其他元件下方”或“在其他元件之下”的元件將被定向?yàn)椤霸谄渌戏健?。因此，示例性術(shù)語“在...下方”或“在...之下”可以包括在...上方的方位和在...下方的方位兩者。

考慮到測量問題以及與具體量的測量相關(guān)聯(lián)的誤差(即測量系統(tǒng)限制)，如本文中使用的“大約”或者“近似”包括所述值，并且意味著在如由本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所確定的具體值的偏差的能接受范圍內(nèi)。例如，“大約”可以意味著在所述值的一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)，或者在所述值的±30％、20％、10％或5％內(nèi)。

除非另外定義，否則本文中使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)與本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員通常所理解的具有相同的含義。將進(jìn)一步理解，術(shù)語(諸如在通常使用的詞典中定義的那些)應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本公開的背景下的含義一致的含義，并且將不以理想化或過度正式的意義來解釋，除非本文明確如此定義。

本文中參考理想化實(shí)施方式的示意圖的截面圖描述了示例性實(shí)施方式。因而，例如，預(yù)期會(huì)出現(xiàn)因制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的圖示的形狀的變化。因此，本文中描述的實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為局限于本文中所示的區(qū)域的具體形狀，而是應(yīng)包括由例如制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出或者描述為平坦的區(qū)域?qū)⑼ǔ？梢跃哂写植诤?或非線性特征。此外，示出的尖角可以是圓形的。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出區(qū)域的精確形狀，并且不旨在限制本權(quán)利要求的范圍。

在常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，電流電阻(IR)降即電壓降，出現(xiàn)在相對(duì)于多個(gè)像素共同布置的相對(duì)電極中，并且在多個(gè)像素之中可能出現(xiàn)非預(yù)期的亮度偏差。因此，期望一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在相對(duì)電極中的IR降(即電壓降)被有效防止或減小。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式的示意性截面圖，并且圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性俯視平面圖。

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式包括有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)R、有機(jī)發(fā)光二極管G和有機(jī)發(fā)光二極管B，相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B，以及反射調(diào)節(jié)層312。將反射調(diào)節(jié)層312布置為離有機(jī)發(fā)光顯示裝置的觀看側(cè)最近。如圖1中所示，可以將有機(jī)發(fā)光二極管R、有機(jī)發(fā)光二極管G和有機(jī)發(fā)光二極管B中的每一個(gè)布置在基板(基底)100上方，并且必要時(shí)可以包括薄膜晶體管TFT和/或電容器Cap。如圖1中所示，有機(jī)發(fā)光二極管R、有機(jī)發(fā)光二極管G和有機(jī)發(fā)光二極管B中的每一個(gè)包括像素電極。圖1示出了多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B。如圖2所示，像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B可以被包括在一個(gè)像素P內(nèi)。在圖1中布置了有機(jī)發(fā)光二極管的位置標(biāo)記R、位置標(biāo)記G和位置標(biāo)記B，其也可以分別稱為子像素R、子像素G和子像素B。

基板100可以包括各種材料，諸如玻璃材料、金屬材料以及塑料材料，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)以及聚酰亞胺?；?00可以包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，在顯示區(qū)域上設(shè)置多個(gè)像素并且顯示圖像，外圍區(qū)域包圍顯示區(qū)域并且在外圍區(qū)域不顯示圖像。

可以在基板100上方或上面設(shè)置多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B。像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B可以是反射電極。在示例性實(shí)施方式中，每一個(gè)像素電極可以包括反射層和包括氧化銦錫(“ITO”)、氧化銦鋅(“IZO”)、ZnO或In₂O₃的層，反射層包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物或其組合。像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的結(jié)構(gòu)和材料不限于此，就是說，可以對(duì)像素電極進(jìn)行各種修改。像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B可以位于基板100的顯示區(qū)域內(nèi)。

像素限定層180包括或者限定與像素P的子像素對(duì)應(yīng)的開口。開口暴露像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的各個(gè)中心部分。此外，布置在像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的端部或邊緣部附近的像素限定層180的相鄰側(cè)壁之間的距離沿著從像素電極210R、像素電極210G以及像素電極210B到相對(duì)電極250的方向增加，相對(duì)電極250沿厚度方向布置在像素電極210R、像素電極210G以及像素電極210B的上方，以防止在像素電極210R、像素電極210G以及像素電極210B的端部處的電弧的產(chǎn)生。

圖2是示出像素限定層180的俯視平面圖，像素限定層180覆蓋像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的邊緣。像素限定層180的邊緣由完全布置在像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的邊緣(虛線)內(nèi)的黑色實(shí)線表示。像素限定層180中的開口(黑色實(shí)線)的中心可以不同于像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的中心部分(虛線)，使得像素限定層180可以覆蓋像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的連接到或者接觸到薄膜晶體管TFT的部分。

薄膜晶體管TFT和/或電容器Cap可以位于基板100與像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間。此外，可以在基板100上方排列：緩沖層110，用于降低或有效防止雜質(zhì)滲透到薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層內(nèi)；柵極絕緣層130，用于使薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層與柵電極絕緣；夾層絕緣層150，用于使薄膜晶體管TFT的柵電極與其源電極和漏電極絕緣；平坦化層170，覆蓋薄膜晶體管TFT并且具有平坦上表面；以及其他元件?；?00，包括上至反射調(diào)節(jié)層312的那些元件，可以共同限定有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板。

除了多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B以外，有機(jī)發(fā)光二極管R、有機(jī)發(fā)光二極管G以及有機(jī)發(fā)光二極管B還分別包括多個(gè)發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B以及相對(duì)電極250。多個(gè)發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B分別位于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B的上方。就是說，發(fā)射層230R位于像素電極210R的上方，發(fā)射層230G位于像素電極210G的上方，并且發(fā)射層230B位于像素電極210B的上方。發(fā)射層230R可以發(fā)射紅光，發(fā)射層230G可以發(fā)射綠光并且發(fā)射層230B可以發(fā)射藍(lán)光。本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。就是說，可以允許各種變形，例如，多個(gè)發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B可以共同發(fā)射白光，使得進(jìn)一步布置濾色器(未示出)，以調(diào)節(jié)最終從每一個(gè)像素發(fā)出的光的波長。

參考圖1和圖2，可以設(shè)置多個(gè)參考其描述的有機(jī)發(fā)光二極管R、有機(jī)發(fā)光二極管G和有機(jī)發(fā)光二極管B、像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B、相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B、像素限定層180中的開口、發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B以及其他層，排列在俯視平面圖中。可以沿第一(x)方向和與第一方向相交的第二(y)方向排列像素P。第一方向和第二方向可以彼此垂直。

盡管圖中未示出，但是可以在多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B與多個(gè)發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B之間分別布置第一共用層(諸如空穴注入層、空穴傳輸層等)。第一共用層可以是相對(duì)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B(整體形成的)延伸布置的單個(gè)的整體層。此外，第二共用層(諸如電子傳輸層、電子注入層等)可以位于多個(gè)發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B上方，并且第二共用層可以是相對(duì)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B(整體形成的)單個(gè)的整體層。

相對(duì)電極250共用地位于發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B以及像素限定層180上方，并且可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G、和像素電極210B。相對(duì)電極250可以是遍及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的整個(gè)顯示區(qū)域的單體。相對(duì)電極250是可以傳輸至少一些光的導(dǎo)電材料層。導(dǎo)電材料層可以包括含有Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物或其組合的層。然而，相對(duì)電極250的組分或者結(jié)構(gòu)不限于此。

多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B位于相對(duì)電極250上方，以彼此間隔開。其中像素電極210R和像素電極210G在第一方向上間隔開，并且像素電極210R和像素電極210G各自與像素電極210B在圖2的第二方向上間隔開，在圖1中示出的多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B顯示其在第一方向和第二方向兩者上都分離。多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B可以各自包括SiN_x、SiO₂、SiCN、LiF、MgF₂、CaF₂、SiON、Ta_xO_y或TiO_x，并且可以使到達(dá)其處的入射光至少部分地透過。稍后將描述，多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B可以與反射調(diào)節(jié)層312合作減小外部光反射。

反射調(diào)節(jié)層312共用地位于多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B上方，同時(shí)接觸位于多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B下方的相對(duì)電極250。由于多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B彼此間隔開，通過多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B使相對(duì)電極250的部分暴露。反射調(diào)節(jié)層312與在多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B之中暴露的相對(duì)電極250的部分接觸。反射調(diào)節(jié)層312具有導(dǎo)電性并且包括導(dǎo)電材料。更詳細(xì)地，反射調(diào)節(jié)層312可以包括Ti、Mo、Mn、Cr、W、Ni、Co、Cu、CrN_x、TiN_x、TiAlN_x、NiS或TiC。例如，反射調(diào)節(jié)層312具有大約0.01微米(μm)或更少的厚度，以便使入射光中的一些透過。厚度可以是沿垂直于基板100(即垂直于第一方向和第二方向兩者)的方向所取。考慮到反射調(diào)節(jié)層312的外形，厚度也可以是在沿其外形的特定點(diǎn)處，沿反射調(diào)節(jié)層312的表面的法線方向所取。具體地，當(dāng)與相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B比較時(shí)，反射調(diào)節(jié)層312具有的或限定的消光系數(shù)大于由相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B具有的或限定的消光系數(shù)。

在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的上述示例性實(shí)施方式中，由于具有導(dǎo)電性的反射調(diào)節(jié)層312在相對(duì)電極250的暴露部分接觸相對(duì)電極250，所以可以有效防止或減小當(dāng)反射調(diào)節(jié)層312不存在時(shí)可能在相對(duì)電極250中發(fā)生的IR降。因而，可以降低或有效防止在多個(gè)像素之中的非預(yù)期的亮度偏差?；蛘呒词拱l(fā)生亮度偏差，該亮度偏差也能被顯著降低。

如上所述，為了使反射調(diào)節(jié)層312接觸相對(duì)電極250，多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B彼此間隔開。在圖1中，將多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B圖案化為分離的構(gòu)件，其分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B，像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B也可以是分離的構(gòu)件，但是本發(fā)明不限于此。例如，在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，在紅色子像素R和綠色子像素G中，相位控制層311R和相位控制層311G可以彼此不間隔開，而可以是(整體形成的)單個(gè)的整體構(gòu)件。其中相位控制層311R和相位控制層311G是單個(gè)的整體構(gòu)件(例如，其間沒有間隔)，反射調(diào)節(jié)層312可以接觸在綠色子像素G和藍(lán)色子像素B之間的相對(duì)電極250，或者可以接觸在紅色子像素R和藍(lán)色子像素B之間的相對(duì)電極250，而不接觸在形成單個(gè)的整體構(gòu)件的紅色子像素R和綠色子像素G之間的相對(duì)電極250。然而，在相位控制層彼此并不間隔開的情況下，由于反射調(diào)節(jié)層312，可以增加在反射調(diào)節(jié)層312和相對(duì)電極250之間的接觸區(qū)域，以便有效防止或減小在相對(duì)電極250中的IR降。因此，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式中，可以將多個(gè)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B圖案化為彼此間隔開，并且分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B。

圖3是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的另一個(gè)示意性俯視平面圖。如圖3中所示，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，在基板100上方或上面布置顯示區(qū)域DA，多個(gè)像素電極位于顯示區(qū)域DA內(nèi)。此外，在圍繞顯示區(qū)域DA延伸的區(qū)域(例如外圍區(qū)域或非顯示區(qū)域)中布置第一驅(qū)動(dòng)電路單元461和第二驅(qū)動(dòng)電路單元462以及電極電源線450，第一驅(qū)動(dòng)電路單元461和第二驅(qū)動(dòng)電路單元462將電信號(hào)傳遞至顯示區(qū)域DA。焊盤410、焊盤420、焊盤430以及焊盤440位于基板100的邊緣。焊盤420將從有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外施加的電信號(hào)傳遞給第一驅(qū)動(dòng)電路單元461，焊盤430將從有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外施加的電信號(hào)傳遞給第二驅(qū)動(dòng)電路單元462，并且焊盤410將從有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外施加的電信號(hào)傳遞給電極電源線450。焊盤440用于將電信號(hào)傳遞給未在圖3中示出但也可以位于基板100上方的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的其他元件。可以在圖3的整個(gè)顯示區(qū)域DA中布置圖1和圖2的結(jié)構(gòu)。

在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式中，相對(duì)電極250(參見圖1)覆蓋顯示區(qū)域DA并且進(jìn)一步從顯示區(qū)域DA延伸到顯示區(qū)域DA的外部(諸如到圍繞顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域)，以便與電極電源線450接觸。就是說，在俯視平面圖中，由于相對(duì)電極250延伸到與電極電源線450接觸，至少可以通過圖3中示出的顯示區(qū)域DA的邊界限定相對(duì)電極250的邊緣，而且相對(duì)電極250的邊緣可以限定為延伸到電極電源線450的邊界。為了到達(dá)電極電源線450，在顯示區(qū)域DA內(nèi)的相對(duì)電極250從顯示區(qū)域DA連續(xù)延伸，以與電極電源線450重疊。

類似地，反射調(diào)節(jié)層312可以覆蓋顯示區(qū)域DA并且進(jìn)一步從顯示區(qū)域DA延伸到顯示區(qū)域DA的外部(諸如到圍繞顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域)，以便對(duì)應(yīng)于相對(duì)電極250的平坦區(qū)域。在此，即使相對(duì)電極250和電極電源線450之間的接觸面積并不大，但是具有導(dǎo)電性的反射調(diào)節(jié)層312接觸相對(duì)電極250，并且因此，可以有效防止或顯著降低在相對(duì)電極250中的IR降的產(chǎn)生。

具體地，在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式中，由于在顯示區(qū)域DA中，反射調(diào)節(jié)層312和相對(duì)電極250之間的接觸面積相對(duì)大，所以可以改善有效防止或減小在相對(duì)電極250中的IR降的效果。如圖1所示，在示例性實(shí)施方式中，因?yàn)榇笾略谡麄€(gè)顯示區(qū)域DA內(nèi)，反射調(diào)節(jié)層312和相對(duì)電極250在每個(gè)相鄰的像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B對(duì)之間彼此接觸，所以放大了在顯示區(qū)域DA中的反射調(diào)節(jié)層312和相對(duì)電極250之間的接觸面積。反射調(diào)節(jié)層312可以是遍及整個(gè)顯示區(qū)域DA的單體，多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B位于顯示區(qū)域DA內(nèi)。同樣，如上所述，反射調(diào)節(jié)層312可以從覆蓋顯示區(qū)域DA延伸到布置在顯示區(qū)域DA的外部，以便對(duì)應(yīng)于相對(duì)電極250。

圖4是根據(jù)比較例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性平面圖。如圖4所示，在根據(jù)比較例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，在基板10上方布置顯示區(qū)域DA，多個(gè)像素電極位于顯示區(qū)域DA內(nèi)。此外，第一驅(qū)動(dòng)電路單元46a和第二驅(qū)動(dòng)電路單元46b位于顯示區(qū)域DA周圍，且在包圍顯示區(qū)域DA的非顯示區(qū)域內(nèi)，并且電極電源線45位于第一驅(qū)動(dòng)電路單元46a和第二驅(qū)動(dòng)電路單元46b之外的非顯示區(qū)域內(nèi)。焊盤41、焊盤42、焊盤43以及焊盤44位于基板10的邊緣。焊盤42將從比較的有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外施加的電信號(hào)傳遞給第一驅(qū)動(dòng)電路單元46a，焊盤43將從比較的有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外施加的電信號(hào)傳遞給第二驅(qū)動(dòng)電路單元46b，并且焊盤41將從比較的有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外施加的電信號(hào)傳遞給電極電源線45。焊盤44用于將電信號(hào)傳遞給比較的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的其他元件，該元件未在圖3中示出但可以位于基板10上方。

在根據(jù)比較例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，相對(duì)電極覆蓋顯示區(qū)域DA并且進(jìn)一步從顯示區(qū)域DA延伸到顯示區(qū)域DA的外部，以便與電極電源線45接觸。在此，如圖4所示，由于電極電源線45包圍顯示區(qū)域DA，并且與根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中的電極電源線450相比，電極電源線45占據(jù)更大的面積，因此在比較例中會(huì)增加相對(duì)電極和電極電源線45之間的接觸面積。同樣，如果相對(duì)電極被認(rèn)為是在遍及包圍顯示區(qū)域DA的最大面積上與電極電源線45接觸，那么在顯示區(qū)域DA內(nèi)的相對(duì)電極中的IR降可能被不期望地降低。

然而，在根據(jù)比較例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，增加了電極電源線45的總體面積，并且因此，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中增加了除了顯示區(qū)域DA的非顯示空間的面積。就是說，由于將電極電源線45布置為圍繞顯示區(qū)域DA，所以包圍顯示區(qū)域DA的總體面積增加了在其上布置電極電源線45的面積。然而，如圖3所示，在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式中，可以在大幅減小電極電源線450的面積同時(shí)防止或減小相對(duì)電極250中的IR降的發(fā)生，并且因此可以大幅減小無效區(qū)的面積。

此外，根據(jù)本發(fā)明，包括反射調(diào)節(jié)層312的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式可以大幅增加顯示的圖像的能見度，同時(shí)有效防止或減小相對(duì)電極250中的IR降并且減小外部光的反射。這將參考圖5來描述。圖5是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的放大了的部分的示意性截面圖。

如圖5所示，從有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外前進(jìn)至有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光中的一些，透過反射調(diào)節(jié)層312以進(jìn)入有機(jī)發(fā)光顯示裝置(指L1)，以及從有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外前進(jìn)至有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光的其余部分，由反射調(diào)節(jié)層312的上表面反射(指L2)。如上所述，反射調(diào)節(jié)層312具有導(dǎo)電性，并且因此，可以如上所述使入射光中的一些(指L1)透過。入射到反射調(diào)節(jié)層312中的光L1進(jìn)入相位控制層311R，并且然后由相對(duì)電極250的上表面反射，最終釋放到反射調(diào)節(jié)層312之外。

在此，在由相對(duì)電極250的上表面反射的光L1的光學(xué)路徑和由反射調(diào)節(jié)層312的上表面反射的光L2的光學(xué)路徑之間存在差異，并且因此，光L1與光L2彼此干涉?？梢愿鶕?jù)幾何結(jié)構(gòu)和斯涅耳定律確定以上光學(xué)路徑之間的差異，并且該差異可以通過在相對(duì)電極250的上表面和反射調(diào)節(jié)層312的上表面之間的距離的函數(shù)來表達(dá)。因此，通過調(diào)節(jié)在相對(duì)電極250的上表面和反射調(diào)節(jié)層312的上表面之間的距離，由相對(duì)電極250的上表面反射的光L1和由反射調(diào)節(jié)層312的上表面反射的光L2之間可以發(fā)生相消干涉，從而大幅降低外部光反射率。這可以使得提高圖像能見度。

如圖1所示，當(dāng)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B以及反射調(diào)節(jié)層312位于相對(duì)電極250上方，并且在相對(duì)電極250和反射調(diào)節(jié)層312之間沒有布置任何其他層(例如，在相對(duì)電極250和反射調(diào)節(jié)層312之間僅布置了相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B)時(shí)，相對(duì)電極250的上表面和反射調(diào)節(jié)層312的上表面之間的距離(圖5中的d)可以視為相位控制層311R、相位控制層311G或相位控制層311B的厚度(圖5中的d1)和反射調(diào)節(jié)層312的厚度(圖5中的d2)的和。對(duì)于反射調(diào)節(jié)層312與相位控制層311R、相位控制層311G或相位控制層311B重疊的區(qū)域，其厚度可以是上述特征中的最大距離。同樣，可以通過調(diào)節(jié)相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B的厚度(圖5中的d1)來調(diào)節(jié)相對(duì)電極250的上表面和反射調(diào)節(jié)層312的上表面之間的距離(圖5中的d)，其中相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B與反射調(diào)節(jié)層312相比，具有相對(duì)更低的消光系數(shù)和更高的反射率。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式可以具有各種效果，例如通過使用反射調(diào)節(jié)層312減小相對(duì)電極250中的IR降，并且此外，通過按照相對(duì)于彼此限定的厚度使用相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B和反射調(diào)節(jié)層312，顯著減小外部光反射率。

作為根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可替換的示例性實(shí)施方式，當(dāng)將反射調(diào)節(jié)層312設(shè)置為與相對(duì)電極250具有諸如直接關(guān)系時(shí)，可以省略相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B。在此，考慮到上述的光干涉，由于省略了相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B，所以僅能調(diào)節(jié)反射調(diào)節(jié)層312的厚度。然而，反射調(diào)節(jié)層312應(yīng)該具有足夠的導(dǎo)電性以便有效地防止或減小相對(duì)電極250中的IR降。要做到這一點(diǎn)，如果反射調(diào)節(jié)層312包括前述材料，隨著反射調(diào)節(jié)層312的厚度增加，通過反射調(diào)節(jié)層312的透射率迅速減小。如果反射調(diào)節(jié)層312的透射率迅速減小，將從發(fā)射層230R、發(fā)射層230G和發(fā)射層230B生成的光提取到外部的效率會(huì)降低。因此，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式中，將反射調(diào)節(jié)層312布置或形成為厚度相對(duì)小、并且在其之下包括調(diào)節(jié)厚度的相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B。

此外，盡管透射反射調(diào)節(jié)層312的外部光中的一些被相對(duì)電極250的上表面反射，但是外部光中的其余部分由反射調(diào)節(jié)層312的上表面反射，使得在由相對(duì)電極250的上表面反射的光和由反射調(diào)節(jié)層312的上表面反射的光之間可以發(fā)生相消干涉。因此，類似于相對(duì)電極250，反射調(diào)節(jié)層312具有金屬性質(zhì)。由于某層顯示了金屬性質(zhì)，即當(dāng)其消光系數(shù)增加時(shí)，反射調(diào)節(jié)層312可以比在反射調(diào)節(jié)層312之下的相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B具有更大的消光系數(shù)。

如上所述，調(diào)節(jié)光L1和光L2的光學(xué)路徑之間的差異，使得由相對(duì)電極250的上表面反射的光L1和由反射調(diào)節(jié)層312的上表面反射的光L2之間存在相消干涉。因此，可以通過相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B的厚度(圖5中的d1)與反射調(diào)節(jié)層312的厚度(圖5中的d2)、以上層的折射率以及光入射到反射調(diào)節(jié)層312的入射角的函數(shù)，表示光學(xué)路徑之間的差異。由于折射率根據(jù)形成層的材料變化，可替換地或更簡單地，可以通過層的厚度和入射角的函數(shù)表示光學(xué)路徑之間的差異。在示例性實(shí)施方式中，通過考慮將通常使用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的環(huán)境中的某入射角，可以制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

例如，在示例性實(shí)施方式中，在便攜式電子設(shè)備中使用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，用戶通常手抓便攜式電子設(shè)備的同時(shí)使用便攜式電子設(shè)備，并且照明一般位于用戶的上方。因此，考慮到照明位于用戶的上方，可以在光入射角為大約45°的假設(shè)下，設(shè)定在有機(jī)發(fā)光顯示裝置內(nèi)的相對(duì)電極250、反射調(diào)節(jié)層312以及相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B的厚度。如果在相對(duì)大的或非便攜的電子設(shè)備(諸如電視)中使用有機(jī)發(fā)光顯示裝置，可以在入射角為0°的假設(shè)下，設(shè)定相對(duì)電極250、反射調(diào)節(jié)層312以及相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B的厚度，以防止由于光垂直入射到有機(jī)發(fā)光顯示裝置而導(dǎo)致的圖像能見度下降。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的另一個(gè)示例性實(shí)施例的示意性截面圖。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式進(jìn)一步包括薄膜封裝層320和光吸收層330。將薄膜封裝層320和光吸收層330布置為最接近有機(jī)發(fā)光顯示裝置的觀看側(cè)。

薄膜封裝層320覆蓋反射調(diào)節(jié)層312，以減小外部雜質(zhì)(諸如氧氣或水分)滲入到有機(jī)發(fā)光顯示裝置中?？梢詫?duì)于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素(或子像素)共用地布置薄膜封裝層320。薄膜封裝層320可以包括無機(jī)層和有機(jī)層，并且可以具有無機(jī)層和有機(jī)層交替堆疊的多層結(jié)構(gòu)。

將光吸收層330圖案化為限定其彼此間隔開的部分，并且對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B，并且光吸收層330位于薄膜封裝層320的上方。例如，在示例性實(shí)施方式中，如圖2所示，在俯視平面圖中，光吸收層330可以具有與像素限定層180相似的形狀或布置。就是說，在俯視平面圖中，光吸收層330的形狀可以對(duì)應(yīng)于像素限定層180的形狀。

參考圖5，如上所述，通過使用相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B以及反射調(diào)節(jié)層312減小外部光反射，可以提高圖像能見度。然而，由于在像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間的空間上方不存在相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B，因此在這些空間處不能有效減小外部光反射。根據(jù)圖6中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式，設(shè)置光吸收層330，將光吸收層330圖案化為對(duì)應(yīng)于在多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間限定的空間，并且因此，通過使用光吸收層330可以減小在像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間的空間處的外部光反射。因而，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式可以大幅提高圖像能見度。例如，光吸收層330可以包括用于形成黑矩陣的材料。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的再另一個(gè)示例性實(shí)施方式的示意性截面圖。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式可以進(jìn)一步包括封裝基板340和光吸收層330。封裝基板340位于反射調(diào)節(jié)層312上方，并且通過密封構(gòu)件(未示出)，諸如密封件，將封裝基板340耦接至基板100。將密封構(gòu)件布置在圖7中示出的結(jié)構(gòu)之外，使得將圖7中的封裝基板340布置為與反射調(diào)節(jié)層312間隔開。將光吸收層330圖案化為限定其中彼此間隔開的部分并且對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B，并且光吸收層330位于面向反射調(diào)節(jié)層312的封裝基板340的表面(例如其下表面)。將封裝基板340布置為最接近有機(jī)發(fā)光顯示裝置的觀看側(cè)。

參考圖5如上所述，通過經(jīng)由相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B以及反射調(diào)節(jié)層312減小外部光反射，可以提高圖像能見度。然而，由于在像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間的空間上方不存在相位控制層311R、相位控制層311G和相位控制層311B，所以不能有效減小在這樣的空間處的外部光反射。根據(jù)圖7中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施方式，設(shè)置了光吸收層330，將光吸收層330圖案化為對(duì)應(yīng)于在多個(gè)像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間限定的空間，并且因此，通過使用光吸收層330也可以減小在像素電極210R、像素電極210G和像素電極210B之間的空間處的外部光的反射。因而，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式可以大幅提高圖像能見度。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，可以實(shí)現(xiàn)能夠顯示相對(duì)高質(zhì)量圖像的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

應(yīng)理解，本文中描述的實(shí)施方式應(yīng)僅被認(rèn)為是描述性含義而不用于限制的目的。在每個(gè)實(shí)施方式中的特征的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其他實(shí)施方式中的其他類似特征。

雖然參考附圖描述了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員將理解，可以在其中做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變而不背離由權(quán)利要求所限定的精神和范圍。