本發(fā)明涉及中空型電子器件密封用片、以及中空型電子器件封裝體的制造方法。

背景技術：

一直以來，在對電子器件和基板之間為中空結(jié)構的中空型電子器件進行樹脂密封而制作中空型電子器件封裝體時，作為密封樹脂，有時使用片狀密封樹脂(例如，參見專利文獻1)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-19714號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術問題

作為上述封裝體的制造方法，可舉出：在配置在被粘物上的一個或多個電子器件上配置片狀的密封樹脂，接著，朝著使電子器件與片狀密封樹脂靠近的方向進行加壓，將電子器件埋入片狀密封樹脂中，隨后，對片狀密封樹脂進行熱固化的方法。

在采用上述方法的情況下，密封樹脂的一部分進入到電子器件與被粘物之間的中空部。然而，存在在每個封裝體中該進入量的偏差大的問題。

本發(fā)明鑒于上述課題而完成，其目的在于，提供能夠抑制進入到電子器件與被粘物之間的中空部的樹脂的量在每個封裝體中發(fā)生偏差的中空型電子器件密封用片。

另外，本發(fā)明還提供能夠抑制進入到電子器件與被粘物之間的中空部的樹脂的量在每個封裝體中發(fā)生偏差的中空型電子器件封裝體的制造方法。

用于解決問題的手段

為了達成如上所述的目的，本發(fā)明人首先對進入到中空部的樹脂的量在每個封裝體中發(fā)生偏差的理由進行了深入研究。結(jié)果查明：在采用上述方法的情況下，將電子器件埋入密封樹脂后，在熱固化時，首先，密封樹脂的一部分會因熱而變成低粘度等，而流動到中空部并進入到其中，之后，隨著熱固化從而樹脂變成高粘度，從而樹脂的進入停止。而且查明：熱固化時的樹脂的流動量在每個封裝體中大不相同，因而難以對其進行控制。

本申請發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過采用下述構成能夠解決上述問題，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明的中空型電子器件密封用片的特征在于，

50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ為0.3以上且0.8以下，

50～90℃的范圍內(nèi)的儲存彈性模量為1.0×10⁵pa以下，

150℃下的損耗角正切tanδ為0.35以下，

150℃下的儲存彈性模量為1.0×10⁶pa以下。

根據(jù)上述構成，50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ為0.3以上，因此中空型電子器件密封用片在將電子器件埋入時是粘性的。因此，在埋入時可使樹脂進入電子器件與被粘物之間的中空部。

另外，由于50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ為0.8以下，因此在將電子器件埋入時可抑制樹脂過度進入中空部。

另外，由于50～90℃的范圍內(nèi)的儲存彈性模量為1.0×10⁵以下，因此在將電子器件埋入時可使樹脂進入電子器件與被粘物之間的中空部。

另外，由于150℃下的損耗角正切tanδ為0.35以下，因此中空型電子器件密封用片在熱固化時是彈性的。因此，可抑制熱固化時樹脂的流動。

另外，由于150℃下的儲存彈性模量為1.0×10⁶以下，因此在外壓下樹脂變得不易流動，且適當?shù)臉渲鲃邮强赡艿摹?/p>

即，根據(jù)上述構成，在容易控制樹脂向中空部的進入量的埋入時，可以使樹脂進入到中空部，并且可以抑制難以控制的熱固化時的樹脂的移動量。結(jié)果能夠進一步抑制進入到中空部的樹脂的量在每個封裝體中發(fā)生偏差的情形。

另外，本發(fā)明的中空型電子器件封裝體的制造方法的特征在于，包含：

準備電子器件經(jīng)由凸塊固定至被粘物上的層疊體的工序；

準備上述中空型電子器件密封用片的工序；

將上述中空型電子器件密封用片配置于上述層疊體的上述電子器件上的工序；

通過熱壓將上述電子器件埋入上述中空型電子器件密封用片的工序；以及

上述埋入工序之后，使上述中空型電子器件密封用片熱固化從而得到密封體的工序。

發(fā)明效果

根據(jù)上述構成，由于使用了上述中空型電子器件密封用片，因此可以在容易控制樹脂向中空部的進入量的埋入時使樹脂進入中空部，并且可以抑制難以控制的熱固化時的樹脂的移動量。

附圖說明

圖1是本實施方式的中空型電子器件密封用片的剖面示意圖。

圖2(a)是用于說明對進入量x1以及進入量y1進行測定的程序的剖面示意圖，(b)是其俯視圖。

圖3是用于說明對進入量x1以及進入量y1進行測定的程序的剖面示意圖。

圖4是用于說明對進入量x1以及進入量y1進行測定的程序的剖面示意圖。

圖5是用于說明對進入量x1以及進入量y1進行測定的程序的剖面示意圖。

圖6是圖5的部分放大圖。

圖7是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法的剖面示意圖。

圖8是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法的剖面示意圖。

圖9是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法的剖面示意圖。

圖10是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法的剖面示意圖。

圖11是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法的剖面示意圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。然而，本發(fā)明并不僅限定于這些實施方式。

(中空型電子器件密封用片)

圖1是本實施方式的中空型電子器件密封用片的剖面示意圖。如圖1所示，中空型電子器件密封用片11(以下，也稱為“密封用片11”)代表性地以層疊在聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜等隔片11a上的狀態(tài)來提供。需要說明的是，為了容易進行密封用片11的剝離，可以對隔片11a實施脫模處理。

需要說明的是，本實施方式中，對僅在中空型電子器件密封用片的一個面層疊有隔片的情況進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此例，也可以在中空型電子器件密封用片的兩面層疊隔片。此時，可以在即將使用前剝離一面的隔片來使用。另外，本發(fā)明的中空型電子器件密封用片也可以不層疊在隔片上，而以單獨的中空型電子器件密封用片的形式來提供。另外，在不違背本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，也可以在中空型電子器件密封用片上層疊其他層。

密封用片11在50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ為0.3以上且0.8以下，優(yōu)選為0.4以上且0.75以下，更優(yōu)選為0.5以上且0.7以下。由于50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ為0.3以上，因此密封用片11在將電子器件埋入時是粘性的。因此，在埋入時，可使樹脂進入電子器件與被粘物之間的中空部。另外，由于50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ為0.8以下，因此在將電子器件埋入時可抑制樹脂過度進入中空部。損耗角正切tanδ的具體測定方法按照實施例記載的方法。

密封用片11在50～90℃的范圍內(nèi)的儲存彈性模量為1.0×10⁵pa以下，優(yōu)選為8.0×10⁴pa以下，更優(yōu)選為7.0×10⁴pa以下。由于50～90℃的范圍內(nèi)的儲存彈性模量為1.0×10⁵以下，因此將電子器件埋入時可使樹脂進入電子器件與被粘物之間的中空部。另外，密封用片11的50～90℃的范圍內(nèi)的儲存彈性模量從得到適當?shù)闹锌彰芊鈽嬙斓挠^點出發(fā)，優(yōu)選為7.0×10²pa以上，更優(yōu)選為1.0×10³pa以上。儲存彈性模量的具體測定方法按照實施例記載的方法。

密封用片11在150℃下的損耗角正切tanδ為0.35以下，優(yōu)選為0.33以下，更優(yōu)選為0.3以下。由于150℃下的損耗角正切tanδ為0.35以下，因此中空型電子器件密封用片在熱固化時是彈性的。因此，可抑制熱固化時樹脂的流動。

密封用片11在150℃下的儲存彈性模量為1.0×10⁶pa以下，優(yōu)選為1×10⁵pa以下，更優(yōu)選為8×10⁴pa以下。由于150℃下的儲存彈性模量為1.0×10⁶以下，因此在外壓下樹脂變得不易流動。

作為密封用片11的50～90℃的范圍內(nèi)的損耗角正切tanδ、50～90℃的范圍內(nèi)的儲存彈性模量、150℃下的損耗角正切tanδ、以及150℃下的儲存彈性模量的控制方法，可舉出：調(diào)整下述的熱塑性樹脂的種類、含量、無機填充劑的含量等的方法；和通過用于形成密封用片11的清漆或混煉物制作時的攪拌條件進行調(diào)整的方法等。

密封用片11通過下述步驟a～步驟g的程序測定得到的進入量x1優(yōu)選為0μm以上且30μm以下，更優(yōu)選為3μm以上且25μm以下，進一步優(yōu)選為5μm以上23μm以下。另外，從進入量y1減去進入量x1所得的值(y1-x1)優(yōu)選為30μm以下，更優(yōu)選為15μm以下，進一步優(yōu)選為10μm以下。

步驟a：準備將下述規(guī)格的4片模型芯片經(jīng)由樹脂凸塊安裝到玻璃基板(縱6cm、橫10cm、厚度1.3mm)上后的模型芯片安裝基板；

步驟b：準備縱2cm、橫2cm、厚度210μm的尺寸的中空型電子器件密封用片的樣品；

步驟c：將上述樣品配置在上述模型芯片安裝基板的上述模型芯片上；

步驟d：在下述埋入條件下，將上述模型芯片埋入上述樣品中；

步驟e：上述步驟d之后，測定構成上述樣品的樹脂向上述模型芯片與上述玻璃基板之間的中空部的進入量x1；

步驟f：在上述步驟e之后，在170℃的熱風干燥機中放置2小時，使上述樣品熱固化得到密封體樣品；以及

步驟g：測定上述密封體樣品中進入到上述中空部的上述樹脂的進入量y1。

＜模型芯片的規(guī)格＞

芯片大小為縱3mm、橫3mm、厚度200μm，形成有高度50μm的樹脂凸塊。相鄰的芯片間的距離w：0.5mm

＜埋入條件＞

擠壓方法：平板擠壓(日文：平板プレス)

溫度：90℃

加壓力：1.2mpa

擠壓時的真空度：10torr

擠壓時間：1分鐘

以下，對求出進入量x1，以及從進入量y1減去進入量x1所得的值的方法進行說明。

圖2(a)是用于對測定進入量x1以及進入量y1的程序進行說明的剖面示意圖，(b)是其俯視圖。圖3～圖5是用于對測定進入量x1以及進入量y1進行說明的程序的剖面示意圖。圖6是圖5的部分放大圖。

(步驟a)

步驟a中，如圖2(a)和圖2(b)所示，準備將4片模型芯片113經(jīng)由樹脂凸塊113a安裝于玻璃基板112(縱6cm、橫10cm、厚度1.3mm)后的模型芯片安裝基板115。模型芯片113的規(guī)格如下所述。更具體而言，模型芯片安裝基板115通過實施例記載的方法來準備。

＜模型芯片113的規(guī)格＞

芯片大小為縱3mm、橫3mm、厚度200μm，形成了高度50μm的樹脂凸塊113a。相鄰的芯片間的距離w：0.5mm

(步驟b)

步驟b中，如圖3所示，準備縱2cm、橫2cm、厚度210μm的尺寸的樣品111。樣品111是使用與密封用片11相同的材料并制成縱2cm、橫2cm、厚度210μm的尺寸的樣品。本實施方式中，對將樣品111層疊在隔片111a上的情況進行說明。樣品111例如可以通過以下方式來制作：首先，制作縱10cm以上、橫10cm以上、厚220μm的密封用片11，之后，切割成縱2cm、橫2cm、厚210μm的尺寸。需要說明的是，密封用片11本身無需為縱2cm、橫2cm、厚210μm的尺寸。

(步驟c)

步驟c中，如圖4所示，將樣品111配置在模型芯片安裝基板115的模型芯片113上。例如，將模型芯片安裝基板115配置在下側(cè)加熱板122上，使模型芯片安裝基板115固定有模型芯片113的面朝上，同時在模型芯片113面上配置樣品111。該步驟中，可以先在下側(cè)加熱板122上配置模型芯片安裝基板115，其后，在模型芯片安裝基板115上配置樣品111，也可以先在模型芯片安裝基板115上層疊樣品111，其后，將層疊了模型芯片安裝基板115和樣品111的層疊物配置于下側(cè)加熱板122上。

(步驟d)

在步驟c之后的步驟d中，如圖5所示，在下述埋入條件下將模型芯片113埋入樣品111(密封)。具體而言，在下述埋入條件下，通過平板擠壓所具備的下側(cè)加熱板122和上側(cè)加熱板124進行熱壓，將模型芯片113埋入樣品111中。其后，在大氣壓、常溫(25℃)下放置。放置時間設為24小時以內(nèi)。

＜埋入條件＞

擠壓方法：平板擠壓

溫度：90℃

加壓力：1.2mpa

擠壓時的真空度：10torr

擠壓時間：1分鐘

(步驟e)

在步驟d之后的步驟e中，對進入到模型芯片113與玻璃基板112之間的中空部114的、構成樣品111的樹脂的進入量x1進行測定(參照圖6)。進入量x1設為從模型芯片113的端部進入到中空部114的樹脂的最大到達距離。

(步驟f)

上述步驟e之后，將在樣品111中埋入了模型芯片113的結(jié)構體在170℃的熱風干燥機中放置2小時，使樣品111熱固化得到密封體樣品。

(步驟g)

上述步驟f之后，對上述樹脂向上述密封體樣品的中空部114的進入量y1進行測定。進入量y1設為從模型芯片113的端部進入到中空部114的樹脂的最大到達距離。

其后，求出從進入量y1減去進入量x1所得的值。

如上上述，對求出進入量x1，以及從進入量y1減去進入量x1所得的值的方法進行說明。

密封用片11如上所述通過步驟a～步驟g的程序所測定的進入量x1優(yōu)選為0μm以上且30μm以下。另外，從進入量y1減去上述進入量x1的值優(yōu)選為30μm以下。

若上述進入量x1為0μm以上且30μm以下，則在實際的中空型電子器件封裝體的制造中，將電子器件埋入密封用片11時，可以使樹脂適度地進入電子器件與被粘物之間的中空部。

另外，若從上述進入量y1減去上述進入量x1的值為30μm以下，則在實際的中空型電子器件封裝體的制造中，使密封用片11熱固化時，可以抑制中空部中樹脂的流動。

需要說明的是，使用進入量x1以及從進入量y1減去上述進入量x1的值來評價密封用片11的物性是為了在設想的條件下對實際的中空型電子器件封裝體的制造進行評價。但是，這些評價的條件當然與實際的中空型電子器件封裝體的制造的條件存在差異。

另外，上述進入量y1優(yōu)選為90μm以下，更優(yōu)選為60μm以下。中空型電子器件封裝體中，形成于凸塊、電子器件的工作面大多設置在從電子器件的端部起沿中空部方向的距離為90μm以上的內(nèi)側(cè)。因此，只要上述進入量y1為60μm以下，就能夠作為中空型電子器件封裝體而使其可靠地發(fā)揮作用。

密封用片11優(yōu)選包含環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂。由此，得到良好的熱固化性。

作為環(huán)氧樹脂，沒有特別限定。例如，可以使用三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚線型酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、改性雙酚a型環(huán)氧樹脂、雙酚a型環(huán)氧樹脂、雙酚f型環(huán)氧樹脂、改性雙酚f型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、苯酚線型酚醛型環(huán)氧樹脂、苯氧基樹脂等各種環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用，也可以并用2種以上。

從確保環(huán)氧樹脂固化后的韌性和環(huán)氧樹脂反應性的觀點出發(fā)，優(yōu)選環(huán)氧當量為150～250、軟化點或者熔點為50～130℃的常溫下為固態(tài)的樹脂，其中，從成型性以及可靠性的觀點出發(fā)，更優(yōu)選雙酚f型環(huán)氧樹脂、雙酚a型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂等。

酚醛樹脂只要與環(huán)氧樹脂之間發(fā)生固化反應，就沒有特別限定。例如，可以使用苯酚線型酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯(lián)苯芳烷基樹脂、二環(huán)戊二烯型酚醛樹脂、甲酚線型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂等。這些酚醛樹脂可以單獨地使用，也可以并用2種以上。

作為酚醛樹脂，從與環(huán)氧樹脂的反應性的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用羥基當量為70～250、軟化點為50～110℃的樹脂，其中，從固化反應性高且價格低廉的觀點出發(fā)，可以適宜使用苯酚線型酚醛樹脂。另外，從可靠性的觀點出發(fā)，也可以合適地使用苯酚芳烷基樹脂、聯(lián)苯芳烷基樹脂之類的低吸濕性的酚醛樹脂。

從固化反應性的觀點出發(fā)，環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例優(yōu)選按照相對于環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基1當量而使酚醛樹脂中的羥基的合計達到0.7～1.5當量的方式來配合，更優(yōu)選為0.9～1.2當量。

密封用片11中的環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的合計含量的下限優(yōu)選為2重量％以上，更優(yōu)選為3重量％以上。若為5.0重量％以上，則得到良好的對電子器件、基板等的粘接力。另一方面，上述合計含量的上限優(yōu)選為25重量％以下，更優(yōu)選為20重量％以下。若為25重量％以下，則能夠使密封用片的吸濕性降低。

密封用片11優(yōu)選含有熱塑性樹脂。由此，可提高所得的密封用片的耐熱性、撓性、強度。

作為熱塑性樹脂，可舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、pet或pbt等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用，或者并用2種以上。其中，從容易得到撓性、與環(huán)氧樹脂的分散性良好的觀點出發(fā)，優(yōu)選丙烯酸類樹脂。

作為上述丙烯酸類樹脂，沒有特別限定，可舉出：以具有碳數(shù)30以下、特別是碳數(shù)4～18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1種或2種以上為成分的聚合物(丙烯酸類共聚物)等。作為上述烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。

上述丙烯酸類樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg)優(yōu)選為50℃以下，更優(yōu)選為-70～20℃，進一步優(yōu)選為-50～0℃。通過設為50℃以下，可使片帶有撓性。

上述丙烯酸類樹脂之中，優(yōu)選重均分子量為5萬以上的丙烯酸類樹脂，更優(yōu)選重均分子量為10萬～200萬的丙烯酸類樹脂，進一步優(yōu)選重均分子量為30萬～160萬的丙烯酸類樹脂。若在上述數(shù)值范圍內(nèi)，則可以進一步提高密封用片11的粘度和撓性。需要說明的是，重均分子量是利用gpc(凝膠滲透色譜)進行測定、并通過聚苯乙烯換算而算出的值。

另外，作為形成上述聚合物的其他單體沒有特別限定，例如可舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羥乙酯、丙烯酸羥戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或者巴豆酸等之類的含羧基單體，馬來酸酐或者衣康酸酐等之類的酸酐單體，(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或者(4-羥基甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯等之類的含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或者(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之類的含磺酸基單體，或2-羥基乙基丙烯?；姿狨サ戎惖暮姿峄鶈误w。其中，從與環(huán)氧樹脂反應、能夠提高密封用片11粘度的觀點出發(fā)，優(yōu)選包含含羧基單體、含縮水甘油基(環(huán)氧基)單體、含羥基單體中的至少一種。

密封用片11中的熱塑性樹脂的含量優(yōu)選為5重量％以上，更優(yōu)選為7重量％以上。若上述含量為5重量％以上，則可以得到密封用片的柔軟性、撓性。另外，若上述含量為5重量％以上，則樹脂變得有粘性而樹脂流動的控制變得更容易。

密封用片11中的熱塑性樹脂的含量優(yōu)選為20重量％以下，更優(yōu)選為18重量％以下。另外，若上述含量為18重量％以下，則密封用片對于電子器件、基板的粘接性為良好。

密封用片11中的有機成分的含量(環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和熱塑性樹脂的合計含量)優(yōu)選為20重量％以上，更優(yōu)選為25重量％以上。若上述含量為20重量％以上，則樹脂變得更有粘性，樹脂流動的控制變得容易。另外，密封用片11中的有機成分的含量優(yōu)選為60重量％以下，更優(yōu)選為55重量％以下，進一步優(yōu)選為50重量％以下。若上述含量為60重量％以下，則可確保固化后的密封強度。

密封用片11優(yōu)選含有無機填充劑。

上述無機填充劑沒有特別限定，可以使用以往公知的各種填充劑，例如可舉出石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮化硼的粉末。它們可以單獨使用，也可以并用2種以上。其中，從能夠良好地降低線膨脹系數(shù)的理由出發(fā)，優(yōu)選二氧化硅、氧化鋁，更優(yōu)選二氧化硅。

作為二氧化硅，優(yōu)選二氧化硅粉末，更優(yōu)選熔融二氧化硅粉末。作為熔融二氧化硅粉末，可舉出球狀熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，從流動性的觀點出發(fā)，優(yōu)選球狀熔融二氧化硅粉末。

密封用片11優(yōu)選含有40～60體積％的范圍內(nèi)的無機填充劑。上述含量更優(yōu)選為42體積％以上，進一步優(yōu)選為44體積％以上。若在40～60體積％的范圍內(nèi)含有無機填充劑，則樹脂流動控制變?nèi)菀住?/p>

在上述無機填充劑是二氧化硅的情況下，上述無機填充劑的含量也可以以“重量％“為單位來說明。密封用片11中的二氧化硅的含量優(yōu)選為50～75重量％，更優(yōu)選為60～70重量％。

優(yōu)選使用平均粒徑在20μm以下范圍的無機填充劑，更優(yōu)選使用0.1～15μm范圍的無機填充劑，特別優(yōu)選使用0.5～10μm范圍的無機填充劑。

另外，作為上述無機填充劑，可以使用2種以上平均粒徑不同的無機填充劑。使用2種以上平均粒徑不同的無機填充劑時，上述的“無機填充劑的平均粒徑為20μm以下”是指無機填充劑整體的平均粒徑為20μm以下。

上述無機填充劑的形狀沒有特別限定，可以是球狀(包括橢圓體狀。)、多面體狀、多角柱狀、扁平狀、不定形狀等任意形狀，但從中空結(jié)構附近的高填充狀態(tài)的實現(xiàn)、適度的流動性的觀點出發(fā)，優(yōu)選球狀。

密封用片11中含有的上述無機填充劑優(yōu)選在通過激光衍射散射法測定的粒度分布中具有兩個峰。這樣的無機填充劑例如可以通過混合兩種平均粒徑不同的無機填充劑來得到。若使用粒度分布中具有兩個峰的無機填充劑，則可以以高密度填充無機填充劑。結(jié)果能夠進一步增多無機填充劑的含量。

上述2個峰沒有特別限定，優(yōu)選使粒徑大的一側(cè)的峰處于3～30μm的范圍內(nèi)、并且使粒徑小的一側(cè)的峰處于0.1～1μm的范圍內(nèi)。若上述2個峰處于上述數(shù)值范圍內(nèi)，則能夠進一步增加無機填充劑的含量。

具體而言，上述粒度分布可以通過以下的方法得到。

(a)將密封用片11放入坩鍋中，在大氣氣氛下以700℃強熱2小時使其灰化。

(b)使得到的灰分分散至純水中，超聲波處理10分鐘，使用激光衍射散射式粒度分布測量裝置(beckmancoulter公司制，“l(fā)s13320”；濕式法)求出粒度分布(體積基準)。

需要說明的是，作為密封用片11的組成，除無機填充劑以外，還有有機成分，由于實質(zhì)上所有的有機成分都會因上述的強熱處理而燒失，因此將所得的灰分看作無機填充劑來進行測定。需要說明的是，平均粒徑的計算也可以與粒度分布同時進行。

密封用片11的無機填充劑優(yōu)選預先用硅烷偶聯(lián)劑進行表面處理。

作為上述硅烷偶聯(lián)劑，只要具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基且能夠進行無機填充劑表面處理，就沒有特別限定。作為上述硅烷偶聯(lián)劑的具體例子，可舉出3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三乙氧基硅烷。其中，從反應性和成本的觀點出發(fā)，優(yōu)選3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。

用硅烷偶聯(lián)劑處理無機填充劑的表面時，會產(chǎn)生逸出氣體(例如，甲醇)。因此，在制作密封用片11的前面階段，若預先用硅烷偶聯(lián)劑對無機填充劑進行表面處理，則可在此階段中排除一定程度的逸出氣體。結(jié)果在制作密封用片11時能夠抑制封閉在片材內(nèi)的逸出氣體的量，并且可以減少空隙的產(chǎn)生。

密封用片11含有預先被作為硅烷偶聯(lián)劑的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物進行了表面處理的無機填充劑時，相對于無機填充劑100重量份，上述無機填充劑優(yōu)選預先用0.5～2重量份的硅烷偶聯(lián)劑進行表面處理。

若用硅烷偶聯(lián)劑進行無機填充劑的表面處理，則可抑制密封用片11的粘度變得過大，但若硅烷偶聯(lián)劑的量多，則逸出氣體的產(chǎn)生量也增加。因此，即使預先對無機填充劑進行了表面處理，在制作密封用片11時產(chǎn)生的逸出氣體仍導致密封用片11的性能降低。另一方面，若硅烷偶聯(lián)劑的量少則有時粘度變得過大。因此，相對于無機填充劑100重量份，若通過0.5～2重量份的硅烷偶聯(lián)劑預先對無機填充劑進行表面處理，則在能夠適當降低粘度的同時，也能夠抑制由逸出氣體導致的性能降低。

密封用片11含有預先被作為硅烷偶聯(lián)劑的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物進行了表面處理的無機填充劑、并且使用混合有兩種平均粒徑不同的無機填充劑而成的無機填充劑作為上述無機填充劑時，優(yōu)選至少預先用硅烷偶聯(lián)劑對平均粒徑較小的無機填充劑進行表面處理。平均粒徑較小的無機填充劑的比表面積更大，因此更能抑制粘度的上升。

另外，使用混合有兩種平均粒徑不同的無機填充劑而成的無機填充劑作為上述無機填充劑時，更優(yōu)選預先用硅烷偶聯(lián)劑對平均粒徑較小的無機填充劑與較大的無機填充劑兩者進行表面處理。此時，能夠進一步抑制粘度的上升。

密封用片11優(yōu)選包含固化促進劑。

作為固化促進劑，只要是能使環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的固化進行的物質(zhì)就沒有特別限定，優(yōu)選為能使反應開始溫度為130℃以下的固化促進劑。作為這樣的固化促進劑，例如可舉出：2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪等。若使用能使反應開始溫度為130℃以下的固化促進劑，則由于在130℃以下開始熱固化，因此在埋入電子器件后到熱固化結(jié)束為止的期間，能夠進一步減少進入到電子器件與被粘物之間的中空部的樹脂的進入量(移動量)。其中，從反應溫度和保存性的觀點出發(fā)，優(yōu)選2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。

需要說明的是，本說明書中的反應開始溫度是指dsc測定中開始發(fā)熱的溫度(而不是從反應開始到峰為止的拐點處的切線與基線的交點的溫度)。

固化促進劑的含量相對于環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂的合計100重量份優(yōu)選為0.1～5重量份。

根據(jù)需要，密封用片11也可以含有阻燃劑成分。由此，可以減少因部件短路、發(fā)熱等而起火時的燃燒擴大。作為阻燃劑組成成分，例如可以使用：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、復合化金屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物；磷腈系阻燃劑等。

密封用片11優(yōu)選包含顏料。作為顏料沒有特別限定，可舉出炭黑等。

密封用片11中的顏料的含量優(yōu)選為0.1～2重量％。若為0.1重量％以上，則可得到良好的標記性。若為2重量％以下，則可以確保固化后的密封用片的強度。

需要說明的是，在樹脂組合物中，除了上述各成分以外，可以根據(jù)需要適當?shù)嘏浜掀渌砑觿?/p>

密封用片11的厚度沒有特別限定，例如為100～2000μm。若在上述范圍內(nèi)，則可以良好地密封電子器件。

密封用片11可以是單層結(jié)構，也可以是將2個以上的密封用片層疊而成的多層結(jié)構。

[中空型電子器件密封用片的制造方法]

密封用片11可以通過如下方式來形成：將用于形成密封用片11的樹脂等溶解、分散在適當溶劑中，制備清漆，以規(guī)定厚度在隔片11a上涂布該清漆而形成涂膜后，在規(guī)定條件下干燥該涂膜。作為涂布方法沒有特別限定，例如可舉出輥涂布、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，例如在干燥溫度70～160℃、干燥時間1～30分鐘的范圍內(nèi)實施。

另外，作為其他方法，也可以在支承體上涂布上述清漆形成涂膜后，使涂膜在上述干燥條件下干燥而形成密封用片11。其后，將密封用片11與支承體一起貼合到隔片11a上。特別是密封用片11包含熱塑性樹脂(丙烯酸類樹脂)、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂時，將它們?nèi)咳芙庵寥軇┲?，再進行涂布、干燥。作為溶劑，可舉出甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯等。

另外，密封用片11也可通過混煉擠出進行制造。作為通過混煉擠出進行制造的方法，可列舉例如：將用于形成密封用片11的各成分利用混煉輥、加壓式捏合機、擠出機等公知的混煉機進行熔融混煉，從而制備成混煉物，對所得的混煉物進行塑性加工而形成為片狀的方法等。

具體而言，通過在不對熔融混煉后的混煉物進行冷卻而直接以高溫狀態(tài)進行擠出成形，從而可以形成密封用片。作為這樣的擠出方法，沒有特別限制，可舉出t型模頭擠出法、輥壓延法、輥混煉法、共擠出法、壓延成型法等。作為擠出溫度，優(yōu)選為上述的各成分的軟化點以上，若考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性及成型性，則例如為40～150℃，優(yōu)選為50～140℃，進一步優(yōu)選為70～120℃。根據(jù)以上情況，可以形成密封用片11。

[中空型電子器件封裝體的制造方法]

本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法至少包含：

準備將電子器件經(jīng)由凸塊固定在被粘物上的層疊體的工序；

準備中空型電子器件密封用片的工序；

將上述中空型電子器件密封用片配置在上述層疊體的上述電子器件上的工序；

通過熱壓將上述電子器件埋入上述中空型電子器件密封用片的工序；以及

上述埋入工序之后，使上述中空型電子器件密封用片熱固化得到密封體的工序。

作為上述被粘物，沒有特別限定，例如，可舉出印刷布線基板、陶瓷基板、硅基板、金屬基板等。本實施方式中，通過密封用片11對搭載在印刷布線基板12上的saw芯片13進行中空密封，制作中空封裝體。需要說明的是，saw芯片13是指具有saw(surfaceacousticwave)濾波器的芯片。即，本實施方式中，對本發(fā)明的電子器件是具有saw(surfaceacousticwave)濾波器的芯片的情況進行說明。

圖7～圖11是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝體的制造方法的剖面示意圖。

(準備層疊體的工序)

本實施方式的中空封裝體的制造方法中，首先，準備在印刷布線基板12上搭載有多個saw芯片13(saw濾波器13)的層疊體15(參照圖7)。saw芯片13可以通過利用公知方法對形成有規(guī)定梳狀電極的壓電晶體進行切割使其單片化而形成。在將saw芯片13搭載到印刷布線基板12時，可以使用倒裝芯片接合機、芯片接合機等公知的裝置。saw芯片13與印刷布線基板12經(jīng)由凸塊13a進行電連接。另外，saw芯片13與印刷布線基板12之間維持有中空部14，而不會阻礙saw濾波器表面的表面彈性波的傳播。saw芯片13與印刷布線基板12之間的距離(中空部的寬度)可以適當設定，通常為10～100μm左右。

(準備中空型電子器件密封用片的工序)

另外，本實施方式的中空封裝體的制造方法中，準備密封用片11(參照圖1)。

(配置中空型電子器件密封用片的工序)

接著，如圖8所示，將層疊體15配置在下側(cè)加熱板22上，使層疊體15固定有saw芯片13的面朝上，并且在saw芯片13面上配置密封用片11。在該工序中，可以先在下側(cè)加熱板22上配置層疊體15，之后在層疊體15上配置密封用片11，也可以先將密封用片11層疊于層疊體15上，之后將層疊有層疊體15和密封用片11的層疊物配置于下側(cè)加熱板22上。

(將電子器件埋入中空型電子器件密封用片的工序)

接著，如圖9所示，利用下側(cè)加熱板22和上側(cè)加熱板24進行熱壓，將saw芯片13埋入密封用片11。下側(cè)加熱板22以及上側(cè)加熱板24可以是平板擠壓所具備的裝置。密封用片11作為用于保護saw芯片13及其附帶的元件免受外部環(huán)境影響的密封樹脂而發(fā)揮作用。

該埋入工序優(yōu)選按照如下方式進行，即，使構成密封用片11的樹脂的、進入到saw濾波器13與印刷布線基板12之間的中空部14的進入量x2達到0μm以上且40μm以下。上述進入量x2優(yōu)選為0μm以上且30μm以下。作為使上述進入量x2為0μm以上40μm以下的方法，可以通過調(diào)整密封用片11的粘度或者調(diào)整熱壓條件來實現(xiàn)。更具體而言，可列舉例如較高地設定壓力及溫度的方法。

具體而言，作為將saw芯片13埋入密封用片11時的熱壓條件，根據(jù)密封用片11的粘度等而不同，溫度優(yōu)選為40～150℃，更優(yōu)選為60～120℃；壓力例如為0.1～10mpa，優(yōu)選為0.2～5mpa；時間例如為0.3～10分鐘，優(yōu)選為0.5～5分鐘。作為熱壓方法，可舉出平行平板擠壓、輥擠壓。其中，優(yōu)選平行平板擠壓。通過將熱壓條件設在上述數(shù)值范圍內(nèi)，從而容易使進入量x2為上述數(shù)值范圍內(nèi)。

另外，若考慮提高密封用片11對saw芯片13和印刷布線基板12的密合性以及追隨性，則優(yōu)選在減壓條件下進行擠壓。

作為上述減壓條件，壓力為例如0～20torr，優(yōu)選為5～10torr，減壓保持時間(從減壓開始到擠壓開始的時間)為例如5～600秒，優(yōu)選為10～300秒。

(隔片剝離步驟)

接著，像本實施方式這樣，在直接以單面附有隔片的狀態(tài)使用密封用片11的情況下，剝離隔片11a(參照圖10)。

(使其熱固化而得到密封體的工序)

接著，使密封用片11熱固化得到密封體25。

得到該密封體的工序優(yōu)選按照如下方式進行，即，得到密封體25的工序之后的狀態(tài)的、上述樹脂向中空部14的進入量設為y2時，從上述進入量y2減去上述進入量x2所得的值達到30μm以下。從上述進入量y2減去上述進入量x2所得的值優(yōu)選為25μm以下。作為使從上述進入量y2減去上述進入量x2的值為30μm以下的方法，可以通過調(diào)整密封用片11固化前的粘度，或者調(diào)整密封用片11的構成材料使得加熱時的固化速度變快來實現(xiàn)。具體而言，例如，可通過選擇上述固化促進劑來實現(xiàn)。

具體而言，作為熱固化處理的條件，根據(jù)密封用片11的粘度、構成材料等而不同，加熱溫度優(yōu)選為100℃以上，更優(yōu)選為120℃以上。另一方面，加熱溫度的上限優(yōu)選為200℃以下，更優(yōu)選為180℃以下。加熱時間優(yōu)選為10分鐘以上，更優(yōu)選為30分鐘以上。另一方面，加熱時間的上限優(yōu)選為180分鐘以下，更優(yōu)選為120分鐘以下。另外，可以根據(jù)需要進行加壓，優(yōu)選為0.1mpa以上，更優(yōu)選為0.5mpa以上。另一方面，上限優(yōu)選為10mpa以下，更優(yōu)選為5mpa以下。

通過將熱固化處理的條件設在上述數(shù)值范圍內(nèi)，從而容易使從埋入工序后到熱固化工序后為止的期間的樹脂的流動距離、即從進入量y2減去上述進入量x2所得的值為30μm以下。

在僅密封1個作為電子器件的saw濾波器13的情況下，可以使密封體25成為1個中空型電子器件封裝體。另外，在將多個saw濾波器13一并密封的情況下，通過分割為單個saw濾波器，從而可以各自制成1個中空型電子器件封裝體。即，像本實施方式那樣，在將多個saw濾波器13一并密封的情況下，還可以進行下述的構成。

(切割工序)

熱固化工序之后，可以進行密封體25的切割(參照圖11)。由此，可以得到以saw芯片13為單位的中空封裝體18(中空型電子器件封裝體)。

(基板安裝工序)

根據(jù)需要，可以進行對中空封裝體18形成凸塊、再將其安裝到另外的基板(未圖示)的基板安裝工序。在中空封裝體18向基板的安裝中，可以使用倒裝芯片接合機、芯片接合機等公知的裝置。

上述的實施方式中，對本發(fā)明的中空型電子器件是作為具有可動部的半導體芯片的saw芯片13的情況進行了說明。然而，只要本發(fā)明的中空型電子器件在被粘物與電子器件之間具有中空部，則不限定于該例。例如，也可以是具有壓力傳感器、振動傳感器等mems(microelectromechanicalsystems)作為可動部的半導體芯片。

另外，上述的本實施方式中，對使用中空型電子器件密封用片并利用平行平板擠壓埋入電子器件的情況進行了說明，但是本發(fā)明并不限定于該例，也可以在真空狀態(tài)的真空腔室內(nèi)，用脫模膜將電子器件與中空型電子器件密封用片的層疊物密封后，向腔室內(nèi)導入大氣壓以上的氣體，將電子器件埋入中空型電子器件密封用片的熱固化性密封用片中。具體而言，可以通過日本特開2013-52424號公報中記載的方法將電子器件埋入中空型電子器件密封用片的熱固化性密封用片中。

實施例

以下，舉例對本發(fā)明的適合實施例進行詳細地說明。然而，該實施例中記載的材料、配合量等，只要沒有特別限定性的記載，就不能將本發(fā)明的范圍僅限定于這些材料、配合量。

對在實施例中使用的密封用片的成分進行說明。

環(huán)氧樹脂：新日鐵化學(株)制的yslv-80xy(雙酚f型環(huán)氧樹脂，環(huán)氧當量200g/eq.，軟化點80℃)

酚醛樹脂：群榮化學制的lvr8210dl(線型酚醛型酚醛樹脂，羥基當量104g/eq.，軟化點60℃)

固化促進劑：四國化成工業(yè)公司制的2p4mhz-pw(2-苯基-4-羥甲基-5-甲基咪唑)

熱塑性樹脂：根上工業(yè)公司制的hme-2006m(含羧基的丙烯酸酯共聚物，重均分子量：約60萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg)：-35℃)

炭黑：三菱化學公司制的#20

無機填充劑a：admatechs制的smcc5(平均粒徑5μm，未作表面處理)

無機填充劑b：電氣化學工業(yè)公司制的fb-5sdc(球形二氧化硅、平均粒徑5μm)

無機填充劑c：用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化學公司制，制品名：kbm-503)對admatechs公司制的sc220g-smj(平均粒徑0.5mm)進行表面處理而得到的無機填充劑。用相對于無機填充劑b的100重量份為1重量份的硅烷偶聯(lián)劑進行表面處理。

[實施例及比較例的電子器件密封用片的制作]

按照表1中記載的密封用片的配合比，使各成分溶解、分散在作為溶劑的甲乙酮中，得到濃度85重量％的清漆。將該清漆涂布在硅酮脫模處理過的隔片上后，在110℃下干燥5分鐘。由此，得到厚度52.5μm的片。將該片層疊4層從而制作厚度210μm的中空密封用密封用片。

(密封用片的損耗角正切tanδ，以及儲存彈性模量的測定)

使用流變儀(haake公司制、marsiii)，通過平行板法測定由實施例和比較例制作的密封用片的損耗角正切tanδ、以及儲存彈性模量。更詳細而言，在間隙0.8mm、平行板直徑8mm、頻率1hz、應變0.05％、溫度50℃至160℃的升溫速度10℃/分鐘的條件下進行3次測定，將此時的50℃、90℃、120℃、150℃下的值的平均值作為測定值。結(jié)果在表1中示出。

(向封裝體中空部的樹脂進入性評價)

＜步驟a＞

首先，準備將下述規(guī)格的4片模型芯片經(jīng)由樹脂凸塊安裝至玻璃基板(縱6cm、橫10cm、厚度1.3mm)的模型芯片安裝基板。玻璃基板與模型芯片之間的間隙寬度為50μm。

＜模型芯片的規(guī)格＞

芯片大小為縱3mm、橫3mm、厚度200μm，形成有高50μm、直徑10μm的樹脂凸塊(樹脂的材質(zhì)：丙烯酸類樹脂)。1個芯片的凸塊數(shù)為60個凸塊。凸塊的配置位置是25μm間隔。模型芯片的材質(zhì)為硅晶片。另外，相鄰的芯片間的距離w為0.5mm。

具體而言，在下述接合條件下將上述模型芯片安裝到上述玻璃基板，由此準備了模型芯片安裝基板。

＜接合條件＞

裝置：松下電工(株)制

接合條件：200℃、3n、1秒、超聲波輸出功率2w

＜步驟b＞

將上述實施例、比較例中制作的厚度210μm的密封用片切割為縱2cm、橫2cm，制成樣品。

＜步驟c＞

將上述樣品配置在上述模型芯片安裝基板的上述模型芯片上。

＜步驟d＞

在下述埋入條件下，將上述模型芯片埋入上述樣品中。

＜埋入條件＞

擠壓方法：平板擠壓

溫度：90℃

加壓力：1.2mpa

擠壓時的真空度：10torr

擠壓時間：1分鐘

＜步驟e＞

開放于大氣壓后，測定構成上述樣品的樹脂向上述模型芯片與上述玻璃基板之間的中空部的進入量x1。具體而言，通過keyence公司制、商品名“digitalmicroscopes”(200倍)，測定進入模型芯片與陶瓷基板之間的中空部的樹脂的進入量x1。關于樹脂進入量x1，測定從saw芯片的端部進入到中空部的樹脂的最大到達距離，將其設為樹脂進入量x1。需要說明的是，在樹脂沒有進入中空部、而中空部擴展至saw芯片的更外側(cè)的情況下，用負值表示樹脂進入量(本實施例、比較例中，沒有成為負值的情況)。

＜步驟f＞

上述步驟e之后，在170℃的熱風干燥機中放置2小時。由此，使上述樣品熱固化得到密封體樣品。

＜步驟g＞

其后，測定進入密封體樣品的中空部的樹脂的進入量y1。測定方法與進入量x1相同。

其后，求出從進入量y1減去進入量x1所得的值。結(jié)果在表1中示出。將從進入量y1減去進入量x1所得的值為25μm以下的情況評價為“○”，大于25μm的情況評價為“×”。結(jié)果在表1中示出。

[表1]

符號說明

11中空型電子器件密封用片(密封用片)

13saw濾波器(電子器件)

14中空部

15層疊體

18中空型電子器件封裝體

25密封體

112玻璃基板

113模型芯片

113a樹脂凸塊

114中空部

115模型芯片安裝基板