技術總結
本發(fā)明提供了一種鰭形半導體器件及其制備方法。鰭形半導體器件制備方法包括：在半導體基體上覆蓋氮化物層，圖案化蝕刻去除指定區(qū)域氮化物層；覆蓋第一氧化物層并磨平至氮化物層露出；圖案化蝕刻氮化物層、第一氧化物層及半導體基體形成第一鰭形結構和第二鰭形結構；覆蓋第二氧化物層以覆蓋第一鰭形結構和第二鰭形結構；對第二氧化物層執(zhí)行化學機械研磨以露出氮化物層；去除氮化物層；在去除氮化物層的位置進行外延生長以形成外延結構；完全去除第一氧化物層，減薄第二氧化物層，形成不同高度第一鰭形半導體結構和第二鰭形半導體結構；在垂直于鰭形溝道上依次覆蓋高介電常數材料層和柵極材料層；執(zhí)行化學機械研磨至外延結構露出。

技術研發(fā)人員：黃秋銘
受保護的技術使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號碼：201610947343
技術研發(fā)日：2016.10.26
技術公布日：2017.02.22