本發(fā)明涉及半導體制造領域，且特別涉及一種等離子刻蝕設備，具體為靜電吸附盤支撐架的結構設計。

背景技術：

等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是將暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。

請參考圖1，圖1所示為現有技術中采用懸臂支撐的等離子刻蝕設備結構示意圖。目前，12寸的LAM等離子刻蝕設備內部的腔體1是個正圓形的對稱腔，其目的是為了保證氣體流動導向的對稱均勻性，這種設計方法就使得靜電吸附盤3必須要有一個懸臂4將其支撐在整個腔體1的中間，但正是由于這個懸臂4的設計致使氣體從正上方往正下方流動時會被該懸臂4阻擋，造成局部的氣流速度偏慢，從而造成晶圓表面的這一部分的刻蝕速率較其他區(qū)域偏慢。參考圖2，圖2所示為現有技術中某刻蝕速率下的晶圓示意圖。

懸臂的區(qū)域局限性，也使得靜電吸附盤內的水/氣/電線路沒有合理的布線，導致后期維護保養(yǎng)時的不便以及可能存在的安全隱患。

技術實現要素：

本發(fā)明提出一種等離子刻蝕設備，改變現有的懸臂模式，使用支撐架來托舉靜電吸附盤，讓氣體自上向下流動時，走向更加的均勻?？招闹文_中可以將靜電吸附盤內的冷卻液管路，電線管路，氣動閥供氣管路獨立合理布線以起到維護維保，處置故障時方便快捷，安全有效的作用。

為了達到上述目的，本發(fā)明提出一種等離子刻蝕設備，包括：

反應腔體；

靜電吸附盤，設置于所述反應腔體內部；

多個支撐腳，設置于所述反應腔體內部，所述多個支撐腳連接并托舉所述靜電吸附盤。

進一步的，所述多個支撐腳均勻分布于所述靜電吸附盤下方。

進一步的，所述多個支撐腳傾斜設置于所述靜電吸附盤下方。

進一步的，所述多個支撐腳一端緊靠所述反應腔體底部內側，另一端連接于所述靜電吸附盤底部周邊。

進一步的，所述多個支撐腳的數量為3個。

進一步的，所述多個支撐腳內部為中空結構設置。

進一步的，所述多個支撐腳的中空結構內分別設置有電線管路，供氣管路，及冷卻液管路。

本發(fā)明提出的等離子刻蝕設備，改變現有的懸臂支撐靜電吸附盤的模式，改在靜電吸附盤的下方做三根空心支撐腳托舉靜電吸附盤讓氣流可以從上至下貫通腔體。支撐腳的主要作用是支撐靜電吸附盤，內部用來走靜電吸附盤所用的電線管路，供氣管路，及冷卻液管路，相比現有的傳統(tǒng)懸臂，支撐腳內部分路走線更加獨立安全方便后期維護維保，且腔體內氣流從上向下均勻流動，改善刻蝕工藝時的均一性，從而提高產品的良率。

附圖說明

圖1所示為現有技術中采用懸臂支撐的等離子刻蝕設備結構示意圖。

圖2所示為現有技術中某刻蝕速率下的晶圓示意圖。

圖3所示為本發(fā)明較佳實施例的等離子刻蝕設備結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖給出本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明不限于以下的實施方式。根據下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

請參考圖3，圖3所示為本發(fā)明較佳實施例的等離子刻蝕設備結構示意圖。本發(fā)明提出一種等離子刻蝕設備，包括：反應腔體100；靜電吸附盤200，設置于所述反應腔體100內部；多個支撐腳300，設置于所述反應腔體100內部，所述多個支撐腳300連接并托舉所述靜電吸附盤200。

根據本發(fā)明較佳實施例，所述多個支撐腳300均勻分布于所述靜電吸附盤200下方。進一步的，所述多個支撐腳300傾斜設置于所述靜電吸附盤200下方。所述多個支撐腳300一端緊靠所述反應腔體100底部內側，另一端連接于所述靜電吸附盤200底部周邊。腔體內氣流從上向下均勻流動，改善刻蝕工藝時的均一性，從而提高產品的良率。

根據本發(fā)明較佳實施例，所述多個支撐腳300的數量為3個。進一步的，所述多個支撐腳300內部為中空結構設置。所述多個支撐腳300的中空結構內分別設置有電線管路，供氣管路，及冷卻液管路。相比現有的傳統(tǒng)懸臂，支撐腳內部分路走線更加獨立安全方便后期維護維保。

綜上所述，本發(fā)明提出的等離子刻蝕設備，改變現有的懸臂支撐靜電吸附盤的模式，改在靜電吸附盤的下方做三根空心支撐腳托舉靜電吸附盤讓氣流可以從上至下貫通腔體。支撐腳的主要作用是支撐靜電吸附盤，內部用來走靜電吸附盤所用的電線管路，供氣管路，及冷卻液管路，相比現有的傳統(tǒng)懸臂，支撐腳內部分路走線更加獨立安全方便后期維護維保，且腔體內氣流從上向下均勻流動，改善刻蝕工藝時的均一性，從而提高產品的良率。

雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。