本說明書公開的技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如，涉及各種功率電子設(shè)備所使用的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

關(guān)于半導(dǎo)體裝置，作為基本構(gòu)造，在俯視觀察時(shí)呈長方形的殼體的內(nèi)部具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片。另外，具有用于將多個(gè)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱與外部的散熱單元進(jìn)行熱交換的散熱面。散熱面具有絕緣功能。并且，在與散熱面大致相對的位置具有與外部的電路進(jìn)行電連接的端子。

為了與外部的電路進(jìn)行電連接而露出的端子作為由導(dǎo)體構(gòu)成的電極而被引導(dǎo)至內(nèi)部。在內(nèi)部的散熱面的附近配置導(dǎo)體板，該導(dǎo)體板接合于由陶瓷等絕緣材料構(gòu)成的絕緣基板之上。通過將該導(dǎo)體板局部地進(jìn)行分離，從而形成電路圖案。

利用兼具導(dǎo)電和導(dǎo)熱的接合單元，將半導(dǎo)體芯片接合至電路圖案，該半導(dǎo)體芯片的與接合面相反的面通過鍵合導(dǎo)線等而與電路圖案或者電極電連接。

例如，如專利文獻(xiàn)1所公開的那樣，上述的基板之上的電路圖案由薄的導(dǎo)體箔形成。在該情況下，為了流過主電流，圖案寬度設(shè)定為殼體的窄邊方向(短邊方向)的圖案有效全寬的大致將近一半。沿殼體的長邊方向大致設(shè)置2個(gè)流過主電流的電路圖案，沿殼體的窄邊方向(短邊方向)架設(shè)鍵合導(dǎo)線而將半導(dǎo)體芯片和電路圖案進(jìn)行連接。利用它們的間隙而復(fù)雜地進(jìn)行主電極與電路圖案的連接。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2003-243610號公報(bào)

在導(dǎo)線鍵合裝置中進(jìn)行導(dǎo)線鍵合的臂部由于機(jī)械強(qiáng)度的關(guān)系，臂長受到限制。并且，關(guān)于比鍵合點(diǎn)高出(遠(yuǎn)離)一定程度以上的部分的臂部，在幾何學(xué)上，這部分的臂部變粗。該臂部的粗的部分會與作業(yè)對象物的周邊部分等相干涉，因此，例如對深且窄的殼體內(nèi)的導(dǎo)線鍵合作業(yè)的制約多。特別地，如果模塊寬度小于或等于50mm左右，則該制約變得顯著。

為了避免這樣的狀況，考慮在將殼體與基板嵌合之前預(yù)先完成盡可能多的導(dǎo)線鍵合。然而，在殼體設(shè)置的電極未必能夠采用這樣的方法。

即，如果在將殼體與基板嵌合之前，將在殼體設(shè)置的電極與電路圖案進(jìn)行連接，則在將殼體進(jìn)行嵌合時(shí)，會對該電極與電路圖案之間的接合部施加力，增加故障的可能性。因此，難以選擇焊接等脆弱的接合方法。

然而，在例如選擇了超聲波(ultra-sonic，即us)接合的情況下，因?yàn)殡姌O接合部的形狀等的制約而難以提高頻率，由于工具(焊頭；horn)變大，因此對深且窄的殼體內(nèi)的接合仍然存在配置上的限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本說明書公開的技術(shù)就是為了解決上述的問題而提出的，涉及能夠?qū)?dǎo)線鍵合作業(yè)的制約進(jìn)行抑制的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

本說明書公開的技術(shù)的一個(gè)方案涉及的半導(dǎo)體裝置具有：多個(gè)半導(dǎo)體芯片，它們在俯視觀察時(shí)由外框所包圍的殼體內(nèi)配置于電路圖案之上；鍵合導(dǎo)線，其將所述電路圖案與多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片之間電連接；以及主電極，其配置于所述殼體內(nèi)，多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片沿所述殼體的長邊方向而排列，所述鍵合導(dǎo)線沿所述殼體的長邊方向而架設(shè)，所述主電極配置于所述殼體的長邊方向的一個(gè)邊的附近，所述主電極與所述電路圖案之間的連接為超聲波接合、焊接(soldering)、或者釬焊(brazing)。

在本說明書公開的技術(shù)的一個(gè)方案涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在俯視觀察時(shí)由外框所包圍的殼體內(nèi)的、所述殼體的長邊方向的一個(gè)邊的附近，將主電極超聲波接合于電路圖案之上，在將所述主電極接合之后，利用沿所述殼體的長邊方向架設(shè)的鍵合導(dǎo)線，將在所述殼體內(nèi)的所述電路圖案之上沿所述殼體的長邊方向排列而配置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片與所述電路圖案電連接。

發(fā)明的效果

本說明書公開的技術(shù)的一個(gè)方案涉及的半導(dǎo)體裝置具有：多個(gè)半導(dǎo)體芯片，它們在俯視觀察時(shí)由外框所包圍的殼體內(nèi)配置于電路圖案之上；以及鍵合導(dǎo)線，其將所述電路圖案與多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片之間電連接,多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片沿所述殼體的長邊方向而排列，所述鍵合導(dǎo)線沿所述殼體的長邊方向而架設(shè)。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在寬度窄、且深度深的殼體內(nèi)，對導(dǎo)線鍵合作業(yè)的制約進(jìn)行抑制。

在本說明書公開的技術(shù)的一個(gè)方案涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在俯視觀察時(shí)由外框所包圍的殼體內(nèi)的、所述殼體的長邊方向的一個(gè)邊的附近，將主電極超聲波接合于電路圖案之上，在將所述主電極接合之后，利用沿所述殼體的長邊方向架設(shè)的鍵合導(dǎo)線，將在所述殼體內(nèi)的所述電路圖案之上沿所述殼體的長邊方向排列而配置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片與所述電路圖案電連接。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在寬度窄、且深度深的殼體內(nèi)，對導(dǎo)線鍵合作業(yè)的制約進(jìn)行抑制。另外，由于導(dǎo)線鍵合工序進(jìn)行1次即可，因此能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的削減或者節(jié)拍時(shí)間的縮短。

本說明書公開的技術(shù)涉及的目的、特征、技術(shù)方案、以及優(yōu)點(diǎn)通過下面所示的詳細(xì)的說明和附圖會變得更加清楚。

附圖說明

圖1是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖3是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)之中的、殼體內(nèi)的半導(dǎo)體芯片及其周邊的構(gòu)造的俯視圖。

圖4是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖5是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖6是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7是概略地例示實(shí)施方式涉及的主電極的彎曲部附近的構(gòu)造的剖視圖。

圖8是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖9是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)之中的、殼體內(nèi)的半導(dǎo)體芯片及其周邊的構(gòu)造的俯視圖。

圖10是概略地例示實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

標(biāo)號的說明

32、62鍵合點(diǎn)，33、34、65、66、93、94、113、114復(fù)合元件，35、67、95、115中轉(zhuǎn)電路圖案，71凹部，73殼體，81、82、104、200、201、202、203半導(dǎo)體芯片，91驅(qū)動電位基準(zhǔn)，100電極，101信號端子，102外框，103鍵合導(dǎo)線，105絕緣基板，106、106a、204、205、206主電極，107信號電極，108信號配線。

具體實(shí)施方式

下面，一邊參照附圖，一邊對實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，附圖是概略地示出的，在不同的附圖分別示出的圖像的大小和位置的相互關(guān)系未必記載得準(zhǔn)確，可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。另外，在下面所示的說明中，對相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，它們名稱和功能也都相同。因此，有時(shí)省略針對它們的詳細(xì)說明。

另外，在下面所示的說明中，有時(shí)使用“上”、“下”、“側(cè)”、“底”、“表”或者“背”等代表特定的位置和方向的用語，但這些用語是為了使實(shí)施方式的內(nèi)容容易理解，出于方便而使用的，與實(shí)際實(shí)施時(shí)的方向無關(guān)。

<第1實(shí)施方式>

下面，對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。為了便于說明，首先，對如專利文獻(xiàn)1所公開的那樣鍵合導(dǎo)線的架設(shè)方向沿殼體的外框的短邊方向的情況進(jìn)行說明。

圖10是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖10所例示的那樣，在殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部配置半導(dǎo)體芯片200、半導(dǎo)體芯片201、半導(dǎo)體芯片202、以及半導(dǎo)體芯片203。并且，將電路圖案和各半導(dǎo)體芯片連接的鍵合導(dǎo)線103是沿殼體的外框102的短邊方向而架設(shè)的。另外，在電路圖案之上分別配置主電極204、主電極205、以及主電極206。此外，電路圖案形成于絕緣基板105之上。另外，在殼體的外框102設(shè)置電極100和信號端子101。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖2是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖2所例示的那樣，在俯視觀察時(shí)殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部，在電路圖案之上配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片104。多個(gè)半導(dǎo)體芯片104沿殼體的外框102的長邊方向而排列。并且，鍵合導(dǎo)線103沿殼體的外框102的長邊方向而架設(shè)，該鍵合導(dǎo)線103將多個(gè)半導(dǎo)體芯片104與電路圖案連接。此外，鍵合導(dǎo)線103的架設(shè)方向與殼體的外框102的長邊方向所夾的角度優(yōu)選在20°左右以內(nèi)。另外，在殼體的外框102設(shè)置電極100和信號端子101。

在這里，上述的殼體例如為，長邊方向的長度大于或等于短邊方向的長度的2倍。另外，短邊方向的長度例如小于或等于50mm左右。

根據(jù)上述的構(gòu)造，全部鍵合導(dǎo)線103沿殼體的外框102的長邊方向而架設(shè)，因此能夠在寬度窄、且深度深的殼體內(nèi)，僅在移動自由度最高的長邊方向進(jìn)行鍵合作業(yè)。因此，即使在將殼體與基板嵌合之后，在殼體的內(nèi)部配置的半導(dǎo)體芯片與在殼體的內(nèi)部配置的電路圖案之間的接合也變得容易進(jìn)行。進(jìn)而，在殼體的外框102配置的電極與在殼體的內(nèi)部配置的電路圖案之間的接合變得容易進(jìn)行。

在這里，在實(shí)現(xiàn)上述的結(jié)構(gòu)的情況下，需要從半導(dǎo)體芯片104間向在殼體的外框102配置的電極形成電路圖案，但為了流過大電流而需要與之相匹配的圖案寬度。然而，如果使圖案寬度變大，則半導(dǎo)體芯片104彼此的間隔相應(yīng)地變大。作為結(jié)果，由于成為長邊方向長的模塊，因此電流值受到限制。

因此，能夠應(yīng)用將形成電路圖案的導(dǎo)體箔例如銅箔的厚度設(shè)為大于或等于0.4mm左右的、所謂的厚銅基板。

通過應(yīng)用厚銅基板，從而每單位圖案寬度的圖案剖面積變大。因此，即使圖案寬度窄也能夠流過大電流，對于在寬度窄的圖案方向也流過電流這一點(diǎn)不存在限制。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，關(guān)于以將半導(dǎo)體芯片104與電路圖案之間進(jìn)行電連接為目的的導(dǎo)線鍵合，能夠?qū)崿F(xiàn)向鉛垂方向的窄幅圖案、即電路圖案的側(cè)面的安裝。作為結(jié)果，由于導(dǎo)線鍵合或者導(dǎo)線鍵合間隔變短，因此能夠減少對于將多個(gè)半導(dǎo)體芯片104的導(dǎo)線鍵合大致直列地進(jìn)行配置的限制。

<第2實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖3是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖3所例示的那樣，在殼體的內(nèi)部，在電路圖案之上配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片。

如圖3所例示的那樣，從絕緣柵型雙極晶體管(insulatedgatebipolartransistor，即igbt)半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103、從二極管芯片的陽極引出的鍵合導(dǎo)線103與共通的電路圖案連接。然而，在將它們分別進(jìn)行連接的情況下，圖案面積的消耗、即占有面積變大，從裝置的小型化及制造成本的角度來看并不優(yōu)選。

在這里，在應(yīng)用上述的厚銅基板的情況下，沿寬度窄的圖案方向流過電流這點(diǎn)不會成為制約。因此，能夠設(shè)置寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案35，經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案35而將從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103、從二極管芯片的陽極引出的鍵合導(dǎo)線103在鍵合點(diǎn)32進(jìn)行連接，其中，中轉(zhuǎn)電路圖案35配置于俯視觀察時(shí)由這2個(gè)半導(dǎo)體芯片所夾著的位置。

另一方面，在殼體內(nèi)配置2個(gè)復(fù)合元件、即各自均由igbt半導(dǎo)體芯片和二極管芯片構(gòu)成的2個(gè)復(fù)合元件的情況下(串聯(lián)、共集電極、共發(fā)射極、或者ac開關(guān)等)，用于將2個(gè)復(fù)合元件連接的電路圖案的繞引會造成浪費(fèi)。為了消除該浪費(fèi)，一個(gè)復(fù)合元件33是經(jīng)由寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案35而與反向并聯(lián)二極管連接。另一個(gè)復(fù)合元件34是以不經(jīng)由寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案35的狀態(tài)與反向并聯(lián)二極管連接。

這是因?yàn)?，如果將雙方的復(fù)合元件都經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案而反向并聯(lián)連接，或者，將雙方的復(fù)合元件都以不經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案的狀態(tài)反向并聯(lián)連接，則例如2個(gè)igbt半導(dǎo)體芯片的間隔變寬，或者，2個(gè)igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極相對，因此電路圖案的路徑變長。

<第3實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖4是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖4所例示的那樣，在殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部配置絕緣基板105。另外，在絕緣基板105之上配置多個(gè)主電極106。此外，為了簡化，省略半導(dǎo)體芯片104的圖示。

對于寬度窄的模塊，為了提高與主電極106接合的接合部分的圖案面積效率，或者，為了提高散熱性，通常主電極106的端子與絕緣基板105之上的電路圖案之間的接合部分被分散地配置、或者配置于兩側(cè)的側(cè)方。然而，對于這樣的配置，存在電感增加、電極成本增加、并且用于消除與信號線的互感等的設(shè)計(jì)變得復(fù)雜等問題。

在這里，在應(yīng)用上述的厚銅基板的情況下，能夠期待由電路圖案實(shí)現(xiàn)的熱擴(kuò)散。因此，如果確保了圖案面積，則能夠確保散熱性。

另外，關(guān)于名片大小(例如85.60mm×53.98mm)的比較小的厚銅基板，制造成本得到了抑制的基板尺寸的選項(xiàng)少，在上述的通常的配置方法中優(yōu)勢小。因此，不如將圖案面積和無效面積視作熱擴(kuò)散單元，從而特意使主電極106的端子與電路圖案的接合部聚集于殼體的長邊方向的一邊附近，使作為磁通產(chǎn)生源的電極集中而提高磁阻，由此降低電感，其中，該圖案面積是使主電極106的端子與電路圖案的接合并非采用導(dǎo)線鍵合而是采用例如由us接合、焊接、或者釬焊等實(shí)現(xiàn)的接合所產(chǎn)生的，無效面積是使主電極106的端子與電路圖案的接合部聚集于殼體的長邊方向的一邊附近所產(chǎn)生的。另外，與此同時(shí)，將與信號線的距離拉開而減少互感。在這里，殼體的長邊方向的一邊附近例如為殼體的短邊方向的一邊的1/3左右以內(nèi)的范圍。

為了使主電極106的端子與電路圖案的接合部作為散熱單元而有效地發(fā)揮作用，需要沿這些接合部配置盡可能多的半導(dǎo)體芯片，因此，優(yōu)選為細(xì)長的殼體。

<第4實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖5是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖5所例示的那樣，在殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部配置絕緣基板105。另外，在絕緣基板105之上配置多個(gè)主電極106。

另外，在絕緣基板105之上配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片104。并且，在絕緣基板105之上配置多個(gè)信號電極107。各半導(dǎo)體芯片104通過鍵合導(dǎo)線103而與信號電極107接合。另外，各信號電極107分別配置于殼體的外框102的短邊方向的邊的附近，通過信號配線108而與信號端子101電連接。信號端子101配置于殼體的短邊方向的一側(cè)的外框102處。在這里，殼體的外框102的短邊方向的邊的附近例如為殼體的長邊方向的一邊的1/3左右以內(nèi)的范圍。

如果信號配線108受到來自主電路的互感，則會發(fā)生諸如引起反饋等問題。當(dāng)前，為了避免該問題，采用在盡可能靠近信號端子101的部位將信號電極107和電路圖案電連接的構(gòu)造。然而，在殼體的外形在俯視觀察時(shí)為長方形的情況下，由于一個(gè)igbt半導(dǎo)體芯片位于遠(yuǎn)離信號端子101處，因此位于遠(yuǎn)離信號端子101處的igbt半導(dǎo)體芯片與信號端子101之間的信號配線108會經(jīng)過電路構(gòu)造密集的區(qū)域。這樣，設(shè)計(jì)變得復(fù)雜，并且并未得到理想的配置。

作為其他方法，也有使信號端子自身配置得遠(yuǎn)的例子，但只不過是將問題轉(zhuǎn)移至外部配線側(cè)，大多并未根本性地解決問題。

根據(jù)本實(shí)施方式中的構(gòu)造，主電極106的端子僅集中于殼體的長邊的其中一個(gè)長邊而配置。因此，在與配置主電極106的端子的邊相反側(cè)的邊，不易受到互感。因此，通過將配置于遠(yuǎn)離信號端子101的位置處的信號電極107與信號端子101之間的信號配線108，配置在與配置主電極106的端子的邊相反側(cè)的邊的附近，從而不易受到由主電極106的端子引起的互感，并且實(shí)現(xiàn)將電路構(gòu)造密集的區(qū)域避開的配線。

此外，各連接既可以為直接形成于半導(dǎo)體芯片104之上，也可以為經(jīng)由電路圖案或者其他半導(dǎo)體芯片之上而形成。

另外，在與圖2或圖3所例示的構(gòu)造進(jìn)行組合的情況下，通過將2個(gè)復(fù)合元件的信號電極配置于相對的短邊，從而能夠得到包含復(fù)合元件與信號電極的導(dǎo)線鍵合在內(nèi)的導(dǎo)線鍵合的直線性。另外，能夠使導(dǎo)線鍵合終點(diǎn)位于殼體的長邊方向的中央附近，減輕向復(fù)合元件與信號端子之間的信號配線108的互感。

<第5實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖6是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖6所例示的那樣，在殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部配置絕緣基板105。另外，在絕緣基板105之上配置多個(gè)主電極106。

另外，在絕緣基板105之上配置復(fù)合元件65及復(fù)合元件66。

igbt模塊的igbt半導(dǎo)體芯片和反向并聯(lián)的二極管芯片不同時(shí)地進(jìn)行通電，但在將igbt半導(dǎo)體芯片置換為二極管芯片而形成并聯(lián)2個(gè)二極管的芯片的情況下，同時(shí)地進(jìn)行通電。

在該情況下，如果某一方的導(dǎo)線鍵合經(jīng)由其他半導(dǎo)體芯片，則在經(jīng)由部分流過2倍的電流，因此需要使導(dǎo)線鍵合數(shù)量很大，根據(jù)二極管芯片的尺寸，也會發(fā)生無法形成充足的數(shù)量的鍵合導(dǎo)線的情況。然而，如果使各二極管芯片獨(dú)立地與電路圖案連接，則會大幅地消耗圖案面積，對于殼體的尺寸或者制造成本而言是不利的。

在這里，在應(yīng)用上述的厚銅基板的情況下，沿寬度窄的圖案方向流過電流這點(diǎn)不會成為制約。因此，能夠設(shè)置寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案67，經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案67而將從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103、從二極管芯片的陽極引出的鍵合導(dǎo)線103在鍵合點(diǎn)62進(jìn)行連接，其中，該中轉(zhuǎn)電路圖案67配置于俯視觀察時(shí)由2個(gè)半導(dǎo)體芯片所夾著的位置。

然而，在配置2個(gè)復(fù)合元件的情況下，用于將2個(gè)復(fù)合元件連接的電路圖案的繞引會造成浪費(fèi)。為了消除該浪費(fèi)，一個(gè)復(fù)合元件65是經(jīng)由寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案67而與并聯(lián)二極管連接。另一個(gè)復(fù)合元件66是以不經(jīng)由寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案67的狀態(tài)與并聯(lián)二極管連接。

<第6實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖7是概略地例示主電極的彎曲部附近的構(gòu)造的剖視圖。在圖7中，以虛線例示的部分是例示主電極彎曲之前的狀態(tài)的部分。

如圖7所例示的那樣，主電極106a的端部從殼體73的上表面處的凹部71伸出一部分而配置。另外，主電極106a的端子在殼體73的上表面的凹部71處向遠(yuǎn)離殼體73的外框的方向、即殼體73的俯視觀察時(shí)的內(nèi)側(cè)方向彎曲。在這里，凹部71在主電極106a被彎曲的內(nèi)側(cè)方向?yàn)閏面。另外，在主電極106a以被彎曲的狀態(tài)配置時(shí)，凹部71在與主電極106a被彎曲的內(nèi)側(cè)方向相反的外側(cè)方向形成間隙。

在主電極106a與電路圖案接合后被彎曲的構(gòu)造中，在試圖確保模塊內(nèi)部空間盡可能寬闊的情況下，優(yōu)選主電極106a被彎曲前的主電極106a的端子在盡可能靠近外框的位置進(jìn)行配置。然而，如果主電極106a的端子以接近于外框的狀態(tài)而配置，則有時(shí)沿面距離不足。

因此，在本實(shí)施方式中，將主電極106a的端子的曲率半徑r設(shè)定得比較大，且主電極106a的端子在相對于殼體的上表面來說被埋沒的位置處彎曲。根據(jù)這樣的構(gòu)造，在主電極106a被彎曲前的主電極106a的端子配置于靠近外框102的位置的情況下，也能夠充分地確保主電極106a被彎曲后的主電極106a的端子的從外框102起的沿面距離。

此外，例如，如圖6所例示的那樣，在形成多個(gè)主電極的情況下，除去加工精度的波動，各主電極的彎曲部與相鄰的殼體的外框的距離大致相等。

<第7實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖8是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

如圖8所例示的那樣，在殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部配置半導(dǎo)體芯片81及半導(dǎo)體芯片82。

工序的節(jié)拍時(shí)間(takttime)中所包含的導(dǎo)線鍵合時(shí)間相對于導(dǎo)線鍵合裝置的折舊費(fèi)而言，成為無法忽視的成本。

另外，在多個(gè)工廠平行生產(chǎn)多種導(dǎo)線鍵合結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品的情況下，復(fù)雜的鍵合導(dǎo)線配線會使導(dǎo)線鍵合程序中的裝置停止時(shí)間變長，對初始成本造成影響。另外，復(fù)雜的導(dǎo)線鍵合也會使初始檢驗(yàn)變得復(fù)雜，容易產(chǎn)生由于針對疏漏進(jìn)行設(shè)計(jì)返工而造成的多余的成本。

根據(jù)本實(shí)施方式，同種的半導(dǎo)體芯片81排列的方向與半導(dǎo)體芯片81處的鍵合導(dǎo)線103的架設(shè)的方向之間的角度在20度以內(nèi)。另外，同種的半導(dǎo)體芯片82排列的方向與半導(dǎo)體芯片82處的鍵合導(dǎo)線103的架設(shè)的方向之間的角度在20度以內(nèi)。因而，由于能夠形成對稱性、連續(xù)性以及周期性高的導(dǎo)線鍵合，因此能夠消除上述的課題。

<第8實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖9是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)之中的、殼體內(nèi)的半導(dǎo)體芯片及其周邊的構(gòu)造的俯視圖。在圖9中，僅圖示了與復(fù)合元件94相對應(yīng)的信號配線108，省略了與復(fù)合元件93相對應(yīng)的信號配線108的圖示。

如果將從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103經(jīng)由二極管芯片而與電路圖案連接，則從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103變長。這樣，需要增加鍵合導(dǎo)線的根數(shù)來應(yīng)對發(fā)熱。從加工時(shí)間或者制造成本的角度來看，這樣是不利的。然而，如果將從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103以不經(jīng)由二極管芯片的狀態(tài)與電路圖案連接，則驅(qū)動發(fā)射極的導(dǎo)線的連接會變得局促。

因此，在本實(shí)施方式中，在均由igbt半導(dǎo)體芯片和二極管芯片構(gòu)成的復(fù)合元件93及復(fù)合元件94之中，在不經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案95的復(fù)合元件94處，使igbt半導(dǎo)體芯片的驅(qū)動電位基準(zhǔn)91即發(fā)射極驅(qū)動線經(jīng)由二極管芯片而與電路圖案或者信號電極進(jìn)行連接。

<第9實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。

通常，在不存在殼體或者電極等的物理性故障的范圍內(nèi)，盡可能地形成導(dǎo)線鍵合。然后，將主電極進(jìn)行us接合等，然后，進(jìn)一步地利用鍵合導(dǎo)線將殼體的信號電極和絕緣基板之上的電路圖案電連接。

在該方法中，需要在us接合的前后進(jìn)行導(dǎo)線鍵合，導(dǎo)線鍵合工序成為2次。然而，為了進(jìn)行us接合而使用的工具大，對于內(nèi)部空間狹小的模塊而言，難以將信號電極與電路圖案進(jìn)行us接合。因而，通過us接合工序?qū)π盘栯姌O進(jìn)行連接而削減第2次導(dǎo)線鍵合工序這一點(diǎn)成為大的設(shè)計(jì)阻礙。

因此，在尚未實(shí)施任何將半導(dǎo)體芯片和電路圖案進(jìn)行連接的導(dǎo)線鍵合的狀態(tài)下，進(jìn)行電極的全部us接合，然后，形成將半導(dǎo)體芯片和電路圖案進(jìn)行連接的導(dǎo)線鍵合。

<第10實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。

如果應(yīng)用厚銅基板，則電流的通電似然度過高，對于通常的si半導(dǎo)體芯片設(shè)備來說，在由熱損失散熱造成的限制下，不能充分地有效利用該優(yōu)勢。因此，采用使用了寬帶隙半導(dǎo)體的半導(dǎo)體芯片。

作為寬帶隙半導(dǎo)體，例如具有碳化硅(sic)、氮化鎵(gan)、c(金剛石)、ga2o3、aln、c3n4、si3n4、ge3n4、sn3n4、al4c3、ga4c3、或者gec等。在這里，寬帶隙半導(dǎo)體通常是指大致具有大于或等于2ev的禁帶寬度的半導(dǎo)體，已知氮化鎵(gan)等3族氮化物、氧化鋅(zno)等2族氧化物、硒化鋅(znse)等2族硫?qū)倩铩⒔饎偸约疤蓟璧取?/p>

與使用了si半導(dǎo)體的設(shè)備相比，使用了上述這樣的寬帶隙的半導(dǎo)體的開關(guān)設(shè)備通常每單位面積的熱損失量較低。因此，在使用了厚銅基板的情況下，也會緩和由熱損失散熱造成的限制。

<第11實(shí)施方式>

對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在下面，對與上述的實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)號而進(jìn)行圖示，適當(dāng)?shù)厥÷云湓敿?xì)說明。

<關(guān)于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>

圖1是概略地例示本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖1中，將在上述的各實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)組合而進(jìn)行例示。

如圖1所例示的那樣，在殼體的由外框102所包圍的內(nèi)部配置絕緣基板105。并且，在絕緣基板105之上配置復(fù)合元件113及復(fù)合元件114。并且，將各復(fù)合元件與電路圖案連接的鍵合導(dǎo)線103是沿殼體的外框102的長邊方向而架設(shè)的。

另外，在殼體的外框102設(shè)置電極100和信號端子101。

另外，在應(yīng)用厚銅基板作為電路圖案的情況下，沿寬度窄的圖案方向流過電流這點(diǎn)不會成為制約。因此，在復(fù)合元件113的各半導(dǎo)體芯片間設(shè)置寬度窄的中轉(zhuǎn)電路圖案115，能夠經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案115而將從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103、從二極管芯片的陽極引出的鍵合導(dǎo)線103進(jìn)行連接。

另外，在絕緣基板105之上配置多個(gè)主電極106。主電極106聚集于殼體的外框102的長邊方向的一邊的附近而配置。

另外，在絕緣基板105之上配置多個(gè)信號電極107。各信號電極107分別配置于殼體的外框102的短邊方向的邊的附近，通過信號配線108而與信號端子101連接。在這里，配置于遠(yuǎn)離信號端子101的位置處的信號電極107與信號端子101之間的信號配線108被配置在與配置主電極106的端子的邊相反側(cè)的邊的附近。

<關(guān)于由上述的實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的效果>

下面，例示由上述的實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的效果。此外，下面記載了基于上述的實(shí)施方式所例示的具體結(jié)構(gòu)的效果，但在產(chǎn)生相同的效果的范圍內(nèi)，也可以置換為本說明書所例示的其他的具體結(jié)構(gòu)。另外，該置換也可以橫跨多個(gè)實(shí)施方式而進(jìn)行。即，也可以是將在不同的實(shí)施方式中所例示的各結(jié)構(gòu)組合而產(chǎn)生相同的效果。

根據(jù)上述的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有鍵合導(dǎo)線103和多個(gè)半導(dǎo)體芯片104。并且，在俯視觀察時(shí)由外框102所包圍的殼體內(nèi)，多個(gè)半導(dǎo)體芯片104配置于電路圖案之上。另外，鍵合導(dǎo)線103將電路圖案與多個(gè)半導(dǎo)體芯片104之間電連接。另外，多個(gè)半導(dǎo)體芯片104沿殼體的長邊方向而排列。另外，鍵合導(dǎo)線103沿殼體的長邊方向而架設(shè)。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在寬度窄、且深度深的殼體內(nèi)，對導(dǎo)線鍵合作業(yè)的制約進(jìn)行抑制。

此外，除了這些結(jié)構(gòu)以外的本說明書所例示的其他結(jié)構(gòu)能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行省略。即，僅利用這些結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生上述的效果。然而，在將本說明書所例示的其他結(jié)構(gòu)之中的至少1個(gè)適當(dāng)?shù)刈芳又辽鲜龅慕Y(jié)構(gòu)的情況下，即，在將未作為上述的結(jié)構(gòu)而記載的、本說明書所例示的其他結(jié)構(gòu)追加至上述的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠相同地產(chǎn)生上述的效果。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，電路圖案由厚度大于或等于0.4mm的銅箔構(gòu)成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，每單位圖案寬度的圖案剖面積變大。因此，即使為窄的圖案寬度也能夠流過大電流，對于在寬度窄的圖案方向也流過電流這一點(diǎn)不存在限制。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有2個(gè)將2個(gè)半導(dǎo)體芯片反向并聯(lián)連接的第1復(fù)合元件。在這里，復(fù)合元件33及復(fù)合元件34對應(yīng)于第1復(fù)合元件。并且，在一個(gè)復(fù)合元件33處，經(jīng)由第1中轉(zhuǎn)電路圖案而將2個(gè)半導(dǎo)體芯片反向并聯(lián)連接，該第1中轉(zhuǎn)電路圖案配置于俯視觀察時(shí)由2個(gè)半導(dǎo)體芯片所夾著的位置。在這里，中轉(zhuǎn)電路圖案35對應(yīng)于第1中轉(zhuǎn)電路圖案。在另一個(gè)復(fù)合元件34處，直接將2個(gè)半導(dǎo)體芯片反向并聯(lián)連接，而不經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案35。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠減少用于將2個(gè)復(fù)合元件進(jìn)行連接的電路圖案的繞引的浪費(fèi)，抑制殼體的尺寸或者制造成本。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有信號電極，該信號電極配置于殼體內(nèi)，且與各半導(dǎo)體芯片104電連接。并且，2個(gè)第1復(fù)合元件之中的另一個(gè)第1復(fù)合元件由igbt半導(dǎo)體芯片和二極管芯片構(gòu)成。在這里，復(fù)合元件93及復(fù)合元件94對應(yīng)于第1復(fù)合元件。另外，復(fù)合元件94對應(yīng)于另一個(gè)第1復(fù)合元件。另外，igbt半導(dǎo)體芯片的驅(qū)動電位基準(zhǔn)91經(jīng)由二極管芯片而與電路圖案或者信號電極連接。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，從igbt半導(dǎo)體芯片的發(fā)射極引出的鍵合導(dǎo)線103不會變長，因此無需增加鍵合導(dǎo)線的根數(shù)來應(yīng)對發(fā)熱。因此，能夠減少加工時(shí)間或者制造成本。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有2個(gè)將2個(gè)二極管芯片即半導(dǎo)體芯片并聯(lián)連接的第2復(fù)合元件。在這里，復(fù)合元件65及復(fù)合元件66對應(yīng)于第2復(fù)合元件。并且，在一個(gè)復(fù)合元件65處，經(jīng)由第2中轉(zhuǎn)電路圖案而將2個(gè)半導(dǎo)體芯片并聯(lián)連接，該第2中轉(zhuǎn)電路圖案配置于俯視觀察時(shí)由2個(gè)半導(dǎo)體芯片所夾著的位置。在這里，中轉(zhuǎn)電路圖案67對應(yīng)于第2中轉(zhuǎn)電路圖案。另外，在另一個(gè)復(fù)合元件66處，直接將2個(gè)半導(dǎo)體芯片并聯(lián)連接，而不經(jīng)由中轉(zhuǎn)電路圖案67。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠減少用于將2個(gè)復(fù)合元件進(jìn)行連接的電路圖案的繞引的浪費(fèi)，抑制殼體的尺寸或者制造成本。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，多個(gè)半導(dǎo)體芯片104為使用了寬帶隙半導(dǎo)體的半導(dǎo)體芯片。與使用了si半導(dǎo)體的設(shè)備相比，使用了寬帶隙的半導(dǎo)體的開關(guān)設(shè)備通常每單位面積的熱損失量較低。因此，在使用了厚銅基板的情況下，也會緩和由熱損失散熱造成的限制。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有在殼體內(nèi)配置的主電極106。并且，主電極106配置于殼體的長邊方向的一個(gè)邊的附近。另外，主電極106與電路圖案之間的連接為超聲波接合、焊接、或者釬焊。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，通過使作為磁通產(chǎn)生源的電極集中于一個(gè)邊的附近而提高磁阻，能夠降低電感。另外，能夠降低電極的制造成本。另外，用于消除與信號配線108之間的互感等的設(shè)計(jì)變得容易。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有多個(gè)信號電極107和與信號電極107電連接的信號端子101。并且，多個(gè)信號電極107配置于殼體內(nèi)，且與各半導(dǎo)體芯片104電連接。另外，信號電極107分別配置于殼體的短邊方向的邊的附近。另外，信號端子101配置于殼體的短邊方向的一側(cè)的外框102處。另外，將信號端子101與下述的信號電極107之間連接的信號配線108經(jīng)過與對主電極106進(jìn)行配置的殼體的長邊方向的一個(gè)邊相反側(cè)的殼體的長邊方向的另一個(gè)邊的附近而進(jìn)行配線，該信號電極107配置于與配置信號端子101的外框102相反側(cè)的殼體的短邊方向的邊的附近。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，信號配線108不易受到由主電極106引起的互感的影響。另外，能夠在電路圖案之上的遠(yuǎn)離其他電路的位置配置信號配線。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，殼體在上表面具有凹部71。另外，主電極106a的端部從凹部71凸出，且在凹部71處向殼體的俯視觀察時(shí)的內(nèi)側(cè)方向彎曲而形成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在主電極106a被彎曲前的主電極106a的端子配置于靠近外框102的位置處的情況下，也能夠充分地確保主電極106a被彎曲后的主電極106a的端子的從外框102起的沿面距離。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，彼此為同種半導(dǎo)體芯片的多個(gè)半導(dǎo)體芯片沿殼體的長邊方向而排列。另外，多個(gè)半導(dǎo)體芯片排列的方向與該半導(dǎo)體芯片處的鍵合導(dǎo)線103的架設(shè)方向之間的角度在20度以內(nèi)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠形成對稱性、連續(xù)性以及周期性高的導(dǎo)線鍵合，因此能夠削減制造成本。

另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在俯視觀察時(shí)由外框102所包圍的殼體內(nèi)的、殼體的長邊方向的一個(gè)邊的附近，將主電極106超聲波接合于電路圖案之上，在將主電極106接合之后，利用沿殼體的長邊方向架設(shè)的鍵合導(dǎo)線103，將在殼體內(nèi)的電路圖案之上沿殼體的長邊方向排列而配置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片104與電路圖案電連接。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在寬度窄、且深度深的殼體內(nèi)，對導(dǎo)線鍵合作業(yè)的制約進(jìn)行抑制。另外，由于進(jìn)行1次導(dǎo)線鍵合工序即可，因此能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的削減或者節(jié)拍時(shí)間的縮短。

此外，除了這些結(jié)構(gòu)以外的本說明書所例示的其他結(jié)構(gòu)能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行省略。即，僅利用這些結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生上述的效果。然而，在將本說明書所例示的其他結(jié)構(gòu)之中的至少1個(gè)適當(dāng)?shù)刈芳又辽鲜龅慕Y(jié)構(gòu)的情況下，即，在將未作為上述的結(jié)構(gòu)而記載的、本說明書所例示的其他結(jié)構(gòu)追加至上述的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠相同地產(chǎn)生上述的效果。

<關(guān)于上述的實(shí)施方式的變形例>

在上述的實(shí)施方式中，有時(shí)對各結(jié)構(gòu)要素的材質(zhì)、材料、尺寸、形狀、相對配置關(guān)系或者實(shí)施條件等也進(jìn)行了記載，但這些在全部的方面均僅為例示，并不限于本說明書所記載的內(nèi)容。因此，在本說明書公開的技術(shù)的范圍內(nèi)，可以設(shè)想出未例示的無數(shù)的變形例。例如包含下述情況，即：將至少1個(gè)結(jié)構(gòu)要素進(jìn)行變形的情況、進(jìn)行追加的情況、或者進(jìn)行省略的情況，以及提取出至少1個(gè)實(shí)施方式中的至少1個(gè)結(jié)構(gòu)要素而與其他實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)要素進(jìn)行組合的情況。

另外，在未產(chǎn)生矛盾的范圍內(nèi)，在上述的實(shí)施方式中記載為具有“1個(gè)”的結(jié)構(gòu)要素也可以具有“大于或等于1個(gè)”。并且，各結(jié)構(gòu)要素為概念上的單位，包含1個(gè)結(jié)構(gòu)要素由多個(gè)構(gòu)造物構(gòu)成的情況、1個(gè)結(jié)構(gòu)要素對應(yīng)于某個(gè)構(gòu)造物的一部分的情況、以及1個(gè)構(gòu)造物具有多個(gè)結(jié)構(gòu)要素的情況。另外，在發(fā)揮相同的作用的范圍內(nèi)，各結(jié)構(gòu)要素包含具有其他構(gòu)造或者形狀的構(gòu)造物。

另外，關(guān)于本說明書中的說明，是為了本技術(shù)涉及的全部的目的而參閱的，均未承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。

另外，在上述的實(shí)施方式中，在記載了材料名等而未特別地進(jìn)行指定的情況下，在未產(chǎn)生矛盾的范圍內(nèi)，視作包括該材料含有其他添加物的情況，例如包括合金等。