1.一種近白光QLED的CdS量子點(diǎn)的改良方法，包括在常規(guī)熱化學(xué)方法制備CdS量子點(diǎn)的ZnO量子的基礎(chǔ)上，用hioglycolic acid(TGA)代替thiogelycerol(TG)作為封端劑，更好的保護(hù)發(fā)射近白光的CdS量子點(diǎn)，以提高CdS量子點(diǎn)量子產(chǎn)率；所述CdS量子點(diǎn)制備的水溶液中加入一定比例的Triton X-100作為活性劑，減小溶有超親水CdS量子點(diǎn)的去離子水的表面張力，使其能均勻附著于超疏水的PVK層之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種近白光QLED的CdS量子點(diǎn)的改良方法，其特征在于：所述溶有超親水CdS量子點(diǎn)的去離子水的鋪展在超疏水的PVK層上旋涂之后，以190℃退火，提高結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，提器件高發(fā)光效率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種近白光QLED的CdS量子點(diǎn)的改良方法，其特征在于：所述CdS量子點(diǎn)退火之后，用Mg:Ag作陰極，以提高器件性能。