技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種通過(guò)硅片自旋轉(zhuǎn)及振蕩機(jī)構(gòu)改善蝕刻率的測(cè)試方法，包括以下步驟：1)將蝕刻制程槽補(bǔ)液到規(guī)定液位，進(jìn)行制程槽化學(xué)液加熱，加熱時(shí)保證化學(xué)液在循環(huán)管路上利用石英在線(xiàn)式加熱器進(jìn)行加熱；2)從25片硅片中隨機(jī)抽取6片，在每一片上標(biāo)記13個(gè)測(cè)試點(diǎn)，測(cè)量蝕刻前的厚度；將測(cè)試片分別置于上貨區(qū)，自動(dòng)機(jī)械手臂夾取至蝕刻制程槽，蝕刻后移至DI清洗槽；3)在原先標(biāo)記的13個(gè)測(cè)試點(diǎn)測(cè)試硅片厚度，得硅片被蝕刻掉的厚度，計(jì)算得到每一點(diǎn)的蝕刻速率，從而計(jì)算得到每一片硅片的蝕刻均勻性，進(jìn)而計(jì)算6片測(cè)試片的蝕刻均勻性；本發(fā)明對(duì)蝕刻均勻性有比較明顯的改善，并且不同的上下振蕩速率及硅片旋轉(zhuǎn)速率對(duì)蝕刻均勻性有比較明顯的影響。

技術(shù)研發(fā)人員：趙晗;江獻(xiàn)茂
受保護(hù)的技術(shù)使用者：冠禮控制科技（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201610821134
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.13
技術(shù)公布日：2017.01.04