1.一種AMOLED顯示裝置，其特征在于，包括：襯底基板(10)、設(shè)于所述襯底基板(10)上的陰極連接層(11)、設(shè)于所述陰極連接層(11)上的緩沖層(12)、設(shè)于所述緩沖層(12)上的柵極(13)、設(shè)于所述柵極(13)及緩沖層(12)上的柵極絕緣層(14)、設(shè)于所述柵極絕緣層(14)上且對(duì)應(yīng)于所述柵極(13)上方的有源層(15)、設(shè)于所述有源層(15)及柵極絕緣層(14)上的刻蝕阻擋層(20)、設(shè)于所述刻蝕阻擋層(20)上且分別對(duì)應(yīng)于所述有源層(15)兩側(cè)的第一通孔(21)與第二通孔(22)、設(shè)于所述刻蝕阻擋層(20)上且分別經(jīng)由所述第一通孔(21)及第二通孔(22)與所述有源層(15)相接觸的源極(31)及漏極(32)、設(shè)于所述源極(31)、漏極(32)及刻蝕阻擋層(20)上的第一平坦層(40)、設(shè)于所述第一平坦層(40)上且對(duì)應(yīng)于所述漏極(32)上方的第三通孔(43)、設(shè)于所述第一平坦層(40)上且經(jīng)由所述第三通孔(43)與所述漏極(32)相接觸的陽極(50)、設(shè)于所述陽極(50)及第一平坦層(40)上的第二平坦層(60)、設(shè)于所述第二平坦層(60)上且對(duì)應(yīng)于所述陽極(50)上方的第四通孔(64)、設(shè)于所述第四通孔(64)內(nèi)且與所述陽極(50)相接觸的發(fā)光層(70)、以及設(shè)于所述發(fā)光層(70)與第二平坦層(60)上的陰極(80)；
所述緩沖層(12)、柵極絕緣層(14)、刻蝕阻擋層(20)、第一平坦層(40)及第二平坦層(60)上設(shè)有第五通孔(95)，所述陰極(80)經(jīng)由所述第五通孔(95)與所述陰極連接層(11)相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，每個(gè)發(fā)光層(70)對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素中均設(shè)有一個(gè)第五通孔(95)。
3.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陰極連接層(11)為連續(xù)不間斷的整面金屬層或者中間設(shè)有鏤空區(qū)域的金屬層；所述陰極連接層(11)的尺寸小于等于所述襯底基板(10)的尺寸。
4.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陰極連接層(11)的材料包括銀、鋁、銅及金中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陰極連接層(11)的厚度為0.3μm～1μm。
6.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陰極(80)為連續(xù)不間斷的整面金屬層，所述陰極(80)的尺寸為覆蓋所述AMOLED顯示裝置的整個(gè)顯示區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陰極(80)為由鎂層與鋁層疊加構(gòu)成的復(fù)合金屬層，或者為由鎂鋁合金制備的單一金屬層。
8.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陰極(80)的厚度為100nm～200nm。
9.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述陽極(50)為反射型電極。
10.如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，還包括一靜電放電金屬塊(35)，所述靜電放電金屬塊(35)與所述源極(31)及漏極(32)位于同一層，所述緩沖層(12)、柵極絕緣層(14)及刻蝕阻擋層(20)上設(shè)有第六通孔(96)，所述靜電放電金屬塊(35)經(jīng)由所述第六通孔(96)與所述陰極連接層(11)相連接。