本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

AMOLED通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽(yáng)極、設(shè)于陽(yáng)極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽(yáng)極和陰極，在一定電壓驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴分別從陰極和陽(yáng)極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

圖1為現(xiàn)有的一種AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，所述AMOLED顯示裝置包括襯底基板100、設(shè)于所述襯底基板100上的柵極200、設(shè)于所述柵極200及襯底基板100上的柵極絕緣層300、設(shè)于所述柵極絕緣層300上且對(duì)應(yīng)于所述柵極200上方的有源層400、設(shè)于所述有源層400及柵極絕緣層300上的刻蝕阻擋層500、設(shè)于所述刻蝕阻擋層500上的源極610與漏極620、設(shè)于所述源極610、漏極620及刻蝕阻擋層500上的第一平坦層710、設(shè)于所述第一平坦層710上且與所述漏極620相連的陽(yáng)極800、設(shè)于所述陽(yáng)極800及第一平坦層710上的第二平坦層720、設(shè)于所述第二平坦層720上的過孔725中的發(fā)光層900、以及設(shè)于所述發(fā)光層900及第二平坦層720上的陰極910；在該AMOLED顯示裝置中，所述陰極910為覆蓋整個(gè)AMOLED顯示裝置的顯示區(qū)域的整面電極，尺寸較大，這種AMOLED顯示裝置在正常顯示過程中，電流信號(hào)需要從所述陰極910的邊緣的某個(gè)位點(diǎn)傳導(dǎo)至所述陰極910的中心及其它區(qū)域，傳導(dǎo)路徑較長(zhǎng)，并且所述陰極910通常為厚度較薄的金屬電極，電阻較大，在電流信號(hào)傳導(dǎo)路徑較長(zhǎng)的情況下，整個(gè)顯示電路中很容易出現(xiàn)電壓降(IR Drop)的問題，即傳導(dǎo)到陰極910上的實(shí)際電壓比設(shè)定的電壓要低，從而導(dǎo)致顯示效果較差，且電能損耗較多。

針對(duì)上述問題，現(xiàn)有一種改善的方法，如圖2所示，在所述AMOLED顯示裝置內(nèi)部引入陰極連接線路，所述陰極連接線路包括與所述源極610及漏極620位于同一層的一金屬塊630，所述陰極910與所述金屬塊630之間的第一平坦層710與第二平坦層720上設(shè)有通孔750，所述陰極910與所述金屬塊630通過該通孔750相連接，這樣的陰極連接線路使得外部電流信號(hào)從每個(gè)像素內(nèi)部經(jīng)由所述金屬塊630引入到所述陰極910上，省去了電流信號(hào)從所述陰極910邊緣至中心的傳導(dǎo)，縮短了電流信號(hào)的傳導(dǎo)路徑，并且通常所述金屬塊630選用電阻率較低的材料并設(shè)置較大的厚度，因此所述金屬塊630的電阻較小，使得整個(gè)顯示電路的電阻降低，從而降低電壓降，改善顯示效果及電能損耗情況；但是，該方法依然存在一個(gè)問題，即，由于所述金屬塊630設(shè)置于每個(gè)像素的內(nèi)部，因此需要占用一部分像素布局空間，從而對(duì)AMOLED顯示裝置的整體像素布局造成影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED顯示裝置，可降低顯示電路中的電壓降，且不會(huì)影響AMOLED顯示裝置的整體像素布局。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種AMOLED顯示裝置，包括：襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的陰極連接層、設(shè)于所述陰極連接層上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的柵極、設(shè)于所述柵極及緩沖層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上且對(duì)應(yīng)于所述柵極上方的有源層、設(shè)于所述有源層及柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層、設(shè)于所述刻蝕阻擋層上且分別對(duì)應(yīng)于所述有源層兩側(cè)的第一通孔與第二通孔、設(shè)于所述刻蝕阻擋層上且分別經(jīng)由所述第一通孔及第二通孔與所述有源層相接觸的源極及漏極、設(shè)于所述源極、漏極及刻蝕阻擋層上的第一平坦層、設(shè)于所述第一平坦層上且對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第三通孔、設(shè)于所述第一平坦層上且經(jīng)由所述第三通孔與所述漏極相接觸的陽(yáng)極、設(shè)于所述陽(yáng)極及第一平坦層上的第二平坦層、設(shè)于所述第二平坦層上且對(duì)應(yīng)于所述陽(yáng)極上方的第四通孔、設(shè)于所述第四通孔內(nèi)且與所述陽(yáng)極相接觸的發(fā)光層、以及設(shè)于所述發(fā)光層與第二平坦層上的陰極；

所述緩沖層、柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、第一平坦層及第二平坦層上設(shè)有第五通孔，所述陰極經(jīng)由所述第五通孔與所述陰極連接層相連接。

每個(gè)發(fā)光層對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素中均設(shè)有一個(gè)第五通孔。

所述陰極連接層為連續(xù)不間斷的整面金屬層或者中間設(shè)有鏤空區(qū)域的金屬層；所述陰極連接層的尺寸小于等于所述襯底基板的尺寸。

所述陰極連接層的材料包括銀、鋁、銅及金中的至少一種。

所述陰極連接層的厚度為0.3μm～1μm。

所述陰極為連續(xù)不間斷的整面金屬層，所述陰極的尺寸為覆蓋所述AMOLED顯示裝置的整個(gè)顯示區(qū)域。

所述陰極為由鎂層與鋁層疊加構(gòu)成的復(fù)合金屬層，或者為由鎂鋁合金制備的單一金屬層。

所述陰極的厚度為100nm～200nm。

所述陽(yáng)極為反射型電極。

在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例中，所述AMOLED顯示裝置還包括一靜電放電金屬塊，所述靜電放電金屬塊與所述源極及漏極位于同一層，所述緩沖層、柵極絕緣層及刻蝕阻擋層上設(shè)有第六通孔，所述靜電放電金屬塊經(jīng)由所述第六通孔與所述陰極連接層相連接。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種AMOLED顯示裝置，通過在襯底基板上形成陰極連接層，并通過各結(jié)構(gòu)層上的通孔實(shí)現(xiàn)陰極與陰極連接層的連接，使得AMOLED顯示裝置正常顯示時(shí)，電流信號(hào)從所述陰極連接層傳導(dǎo)至所述陰極，實(shí)現(xiàn)電流信號(hào)從每個(gè)像素內(nèi)部傳導(dǎo)至所述陰極，與傳統(tǒng)的AMOLED顯示裝置相比，縮短了電流信號(hào)傳導(dǎo)路徑，并且降低了電流信號(hào)傳導(dǎo)路徑中的電阻，從而降低顯示電路中的電壓降，有利于改善AMOLED顯示裝置的顯示效果并降低電能損耗；同時(shí)，由于陰極連接層設(shè)于襯底基板上，陰極與陰極連接層的連接只需要一個(gè)通孔，因此不會(huì)占用太多像素布局空間，不會(huì)影響AMOLED顯示裝置的整體像素布局。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的一種AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有的另一種AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的AMOLED顯示裝置的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的AMOLED顯示裝置的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明提供一種AMOLED顯示裝置，包括：襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上的陰極連接層11、設(shè)于所述陰極連接層11上的緩沖層12、設(shè)于所述緩沖層12上的柵極13、設(shè)于所述柵極13及緩沖層12上的柵極絕緣層14、設(shè)于所述柵極絕緣層14上且對(duì)應(yīng)于所述柵極13上方的有源層15、設(shè)于所述有源層15及柵極絕緣層14上的刻蝕阻擋層20、設(shè)于所述刻蝕阻擋層20上且分別對(duì)應(yīng)于所述有源層15兩側(cè)的第一通孔21與第二通孔22、設(shè)于所述刻蝕阻擋層20上且分別經(jīng)由所述第一通孔21及第二通孔22與所述有源層15相接觸的源極31及漏極32、設(shè)于所述源極31、漏極32及刻蝕阻擋層20上的第一平坦層40、設(shè)于所述第一平坦層40上且對(duì)應(yīng)于所述漏極32上方的第三通孔43、設(shè)于所述第一平坦層40上且經(jīng)由所述第三通孔43與所述漏極32相接觸的陽(yáng)極50、設(shè)于所述陽(yáng)極50及第一平坦層40上的第二平坦層60、設(shè)于所述第二平坦層60上且對(duì)應(yīng)于所述陽(yáng)極50上方的第四通孔64、設(shè)于所述第四通孔64內(nèi)且與所述陽(yáng)極50相接觸的發(fā)光層70、以及設(shè)于所述發(fā)光層70與第二平坦層60上的陰極80；

所述緩沖層12、柵極絕緣層14、刻蝕阻擋層20、第一平坦層40及第二平坦層60上設(shè)有第五通孔95，所述陰極80經(jīng)由所述第五通孔95與所述陰極連接層11相連接。

具體的，所述AMOLED顯示裝置中，每個(gè)發(fā)光層70對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素中均設(shè)有一個(gè)第五通孔95，使得電流信號(hào)從每個(gè)像素內(nèi)部傳導(dǎo)至所述陰極80，從而使得每個(gè)像素中從所述陰極連接層11傳導(dǎo)至所述陰極80的電流信號(hào)的傳導(dǎo)路徑保持一致并且相對(duì)于傳統(tǒng)的電流傳導(dǎo)路徑均縮短，有利于降低整個(gè)顯示電路中的電壓降。

具體的，所述陰極連接層11為連續(xù)不間斷的整面金屬層或者中間設(shè)有鏤空區(qū)域的金屬層；所述陰極連接層11的尺寸小于等于所述襯底基板10的尺寸。

具體的，所述陰極連接層11的材料為電阻率低的導(dǎo)電材料；優(yōu)選的，所述陰極連接層11的材料包括銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)及金(Au)中的至少一種。

具體的，所述陰極連接層11的厚度為0.3μm～1μm，優(yōu)選為0.5μm，并且所述陰極連接層11的厚度越大，所述陰極連接層11的電阻越低。

具體的，所述陰極80為連續(xù)不間斷的整面金屬層，所述陰極80的尺寸為覆蓋所述AMOLED顯示裝置的整個(gè)顯示區(qū)域，即多個(gè)像素中的發(fā)光層70共用同一個(gè)陰極80。

具體的，所述陰極80為由鎂層與鋁層疊加構(gòu)成的復(fù)合金屬層，或者為由鎂鋁合金制備的單一金屬層。

具體的，所述陰極80的厚度為100nm～200nm，優(yōu)選為100nm。

具體的，本發(fā)明的AMOLED顯示裝置為頂發(fā)光型顯示裝置，即所述陰極80一側(cè)為出光側(cè)，因此所述陰極連接層11的設(shè)置不會(huì)對(duì)AMOLED顯示裝置的畫面顯示造成影響。

進(jìn)一步的，由于本發(fā)明的AMOLED顯示裝置為頂發(fā)光型顯示裝置，因此所述陽(yáng)極50為反射型電極；優(yōu)選的，所述陽(yáng)極50為由兩氧化銦錫(ITO)層夾合一銀(Ag)層構(gòu)成的復(fù)合層。

請(qǐng)參閱圖4，為本發(fā)明的AMOLED顯示裝置的第二實(shí)施例，在該實(shí)施例中，所述AMOLED顯示裝置還包括一靜電放電金屬塊35，所述靜電放電金屬塊35與所述源極31及漏極32位于同一層，所述緩沖層12、柵極絕緣層14及刻蝕阻擋層20上設(shè)有第六通孔96，所述靜電放電金屬塊35經(jīng)由所述第六通孔96與所述陰極連接層11相連接，從而將所述靜電放電金屬塊35上吸收的靜電電荷引入到面積較大的陰極連接層11上并在所述陰極連接層11上釋放掉。

具體的，所述襯底基板10為玻璃基板或塑料基板；

所述柵極13、源極31、漏極32及靜電放電金屬塊35的材料為金屬，優(yōu)選為鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的至少一種；

所述緩沖層12、柵極絕緣層14及刻蝕阻擋層20的材料分別包括氧化硅(SiO_x)與氮化硅(SiN_x)的至少一種；

所述有源層15的材料包括非晶硅、多晶硅及金屬氧化物半導(dǎo)體中的至少一種；

所述第一平坦層40與第二平坦層60的材料為有機(jī)絕緣材料；

所述發(fā)光層70的材料為有機(jī)發(fā)光材料。

綜上所述，本發(fā)明提供一種AMOLED顯示裝置，通過在襯底基板上形成陰極連接層，并通過各結(jié)構(gòu)層上的通孔實(shí)現(xiàn)陰極與陰極連接層的連接，使得AMOLED顯示裝置正常顯示時(shí)，電流信號(hào)從所述陰極連接層傳導(dǎo)至所述陰極，實(shí)現(xiàn)電流信號(hào)從每個(gè)像素內(nèi)部傳導(dǎo)至所述陰極，與傳統(tǒng)的AMOLED顯示裝置相比，縮短了電流信號(hào)傳導(dǎo)路徑，并且降低了電流信號(hào)傳導(dǎo)路徑中的電阻，從而降低顯示電路中的電壓降，有利于改善AMOLED顯示裝置的顯示效果并降低電能損耗；同時(shí)，由于陰極連接層設(shè)于襯底基板上，陰極與陰極連接層的連接只需要一個(gè)通孔，因此不會(huì)占用太多像素布局空間，不會(huì)影響AMOLED顯示裝置的整體像素布局。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。