技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供兩種金屬氧化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第一種結(jié)晶方法是在壓力為約550mtorr至約5000mtorr，溫度為約200℃至約750℃下，以氧氣處理包含銦的非結(jié)晶金屬氧化物半導(dǎo)體層。第二種結(jié)晶方法是先依序形成第一非結(jié)晶金屬氧化物半導(dǎo)體層、鋁層及第二非結(jié)晶金屬氧化物半導(dǎo)體層于基板上，在溫度為約350℃至約650℃下，以惰性氣體處理第一非結(jié)晶金屬氧化物半導(dǎo)體層、鋁層及第二非結(jié)晶金屬氧化物半導(dǎo)體層。本發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶方法制備的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠有效抵御蝕刻劑侵蝕，能夠廣泛用于制備薄膜晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：葉家宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：友達(dá)光電股份有限公司
文檔號碼：201610723919
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.25
技術(shù)公布日：2016.12.21