本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中，諸如個人計算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過以下步驟來制造半導(dǎo)體器件：在半導(dǎo)體襯底上方相繼沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層；以及使用光刻來圖案化各個材料層，以在各個材料層上形成電路組件和元件。通常，在單個半導(dǎo)體晶圓上制造數(shù)十或數(shù)百個集成電路。通過沿著劃線鋸切集成電路來切割單獨的管芯。然后，以多芯片模式或以其他封裝類型來單獨地封裝單獨的管芯。

由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成度不斷提高，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速的發(fā)展。在很大程度上，集成度的這種提高源自于最小特征尺寸的不斷減小(例如，將半導(dǎo)體工藝節(jié)點減小至亞20nm節(jié)點)，這樣允許更多的組件集成在給定區(qū)域內(nèi)。由于近來對小型化、更高的速度和更大的帶寬以及較低的功耗和延遲的需求的產(chǎn)生，需要針對半導(dǎo)體管芯的更小和更富創(chuàng)造性的封裝技術(shù)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，已經(jīng)出現(xiàn)了堆疊式半導(dǎo)體器件(例如，三維集成電路(3DIC))，以作為進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件的物理尺寸的有效可選方式。在堆疊的半導(dǎo)體器件中，在不同的半導(dǎo)體晶圓上制造諸如邏輯電路、存儲器電路、處理器電路等的有源電路。兩個或更多的半導(dǎo)體晶圓可安裝或堆疊在另一個頂部上以進(jìn)一步降低半導(dǎo)體器件的形狀因數(shù)。疊層封裝件(POP)器件是一種類型的3DIC，其中，封裝管芯并且然后將管芯與另一封裝過的管芯或管芯封裝在一起。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：將第一工件附接至第二工件，所述第一工件具有對準(zhǔn)掩模；在鄰近所述第一工件的位置處沉積底部填充物，其中，所述底部填充物沉積的所述位置至少部分地基于所述對準(zhǔn)掩模；以及固化所述底部填充物。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件方法，包括：將管芯附接至襯底；在所述管芯和所述襯底之間形成多個電連接；將所述管芯和所述襯底密封在模制材料中以形成封裝件；以及在所述封裝件的所述模制材料中形成對準(zhǔn)掩模。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一工件，包括：襯底；管芯，附接至所述襯底；模制材料，密封所述管芯；以及對準(zhǔn)掩模，形成在所述模制材料中；以及第二工件，附接至所述第一工件。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚地討論，各個部件的尺寸可以任意地增加或減少。

圖1至圖6是根據(jù)一些實施例的在具有一個或多個對準(zhǔn)掩模的堆疊的半導(dǎo)體器件的制造期間的多個處理步驟的截面圖。

圖7A至圖7B是根據(jù)一些實施例的具有一個或多個對準(zhǔn)掩模的堆疊的半導(dǎo)體器件的頂視圖。

圖8A至圖8B是根據(jù)一些實施例的具有一個或多個對準(zhǔn)掩模的堆疊的半導(dǎo)體器件的頂視圖。

圖9A至圖9B是根據(jù)一些實施例的具有一個或多個對準(zhǔn)掩模的堆疊的半導(dǎo)體器件的頂視圖。

圖10是根據(jù)一些實施例的示出形成具有一個或多個對準(zhǔn)掩模的堆疊的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗Ｒ韵旅枋霾考筒贾玫木唧w實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸而形成的實施例，并且也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可以在各個實例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)是出于簡明和清楚的目的，而其本身并未指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空間相對術(shù)語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對位置術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且本文使用的空間相對描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

在具體地描述所示出的實施例之前，通常描述本發(fā)明公開的實施例的特定優(yōu)勢特征和方面。下面描述的是具有對準(zhǔn)掩模的各個堆疊的半導(dǎo)體器件和用于形成這樣的堆疊的半導(dǎo)體器件的方法。對準(zhǔn)掩?？捎糜谳o助隨后處理，諸如底部填充物注射工藝。

在一些實施例中，上堆疊器件和下堆疊器件看起來類似和/或具有差的對比度。例如，在PoP器件中，動態(tài)隨機(jī)存取存儲(DRAM)模塑和集成扇出(InFO)模塑可在外觀上太類似而不能用于精確的自動底部填充物對準(zhǔn)。像這些的情況有時可要求底部填充物注入工藝的手動對準(zhǔn)，這可能減小效率并且增加成本。目前的公開描述關(guān)于在以在自動底部填充物對準(zhǔn)工藝中輔助的上堆疊器件中形成的對準(zhǔn)掩模的實施例。例如，對準(zhǔn)掩?？删哂性谏掀骷拖缕骷g更大的對比度使得可使用自動底部填充物對準(zhǔn)工藝。此外，可使用例如激光鉆孔工藝形成對準(zhǔn)掩模，這不增加顯著處理或成本。

圖1至圖6是根據(jù)一些實施例的堆疊的半導(dǎo)體器件的制造期間的各個示例性處理步驟的截面圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會下面描述的處理步驟至提供為描述并且可以使用其他工藝。

首先參考圖1，在一些實施例中，在載體101上方形成釋放層103，并且在釋放層103上方形成一個或多個介電層105以開始形成集成電路封裝。在一些實施例中，載體101可以由石英、玻璃等形成并且為隨后的操作提供機(jī)械支撐。在一些實施例中，釋放層103可以包括光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)材料、UV粘合劑等并且可使用旋涂工藝、印刷工藝、層壓工藝等形成。在一些實施例中，由LTHC材料形成的釋放層103當(dāng)暴露于光時會部分地或完全地丟失它的粘合力并且載體101可以容易地從隨后形成的結(jié)構(gòu)的背側(cè)去除。在一些實施例中，一個或多個介電層105可以使用由諸如聚苯并惡唑(PBO)、聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)等的可光圖案化的介電材料的一個或多個層形成，并且可以使用旋涂工藝等形成?？梢允褂门c光刻膠材料類似的光刻方法圖案化這樣的可光圖案化的介電材料。在其他的實施例中，介電層105可以包括諸如氮化硅、氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(PSG)的非可光圖案化的介電材料的一個或多個層。

進(jìn)一步參考圖1，在一個或多個介電層105上形成導(dǎo)電通孔107。在一些實施例中，在一個或多個介電層105上形成晶種層(未示出)。晶種層可包括銅、鈦、鎳、金等或它們的組合，并且可以使用電化學(xué)鍍工藝、ALD、PVD、濺射等或它們的組合形成。在一些實施例中，在晶種層上方形成犧牲層(未示出)。在犧牲層中形成多個開口以暴露晶種層的部分。在犧牲層包括光刻膠材料的一些實施例中，可以使用合適的光刻方法圖案化犧牲層。在一些實施例中，使用電化學(xué)鍍工藝、化學(xué)鍍工藝、ALD、PVD等或它們的組合用諸如銅、鋁、鎳、金、銀、鈀等或它們的組合填充犧牲層的開口以形成導(dǎo)電通孔。在半導(dǎo)體通孔107的形成完成之后，去除犧牲層。在犧牲層包括光刻膠材料的一些實施例中，可以使用例如灰化工藝以及隨后的濕清洗工藝去除犧牲層。隨后，使用例如合適的適合工藝去除晶種層的暴露的部分。

參考圖2，使用粘合層201將器件管芯203附接至一個或多個介電層105。在一些實施例中，使用例如拾取-放置裝置將器件管芯203放置在一個或多個介電層105上。在一些實施例中，可使用任何其他的方法將器件管芯203放置在一個或多個介電層105上。在一些實施例中，粘合層201可以包括LTHC材料、UV粘合劑、管芯附著膜等并且可使用旋涂工藝、印刷工藝、層壓工藝等形成。

在一些實施例中，器件管芯203包括一個以上的有源器件和/或無源器件。有源和/或無源器件可包括諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等的多種n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)和/或p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)器件。在一些實施例中，器件管芯203可以是離散集成電路管芯、離散半導(dǎo)體器件芯片(有時稱為表面安裝器件(SMD))或集成無源器件(IPD)。在這樣的實施例中，器件管芯203可包括各個器件，諸如RLC電路、電容器、電感器、變壓器、平衡轉(zhuǎn)換器、微帶、共平面波導(dǎo)等，并且可以基本上無有源器件。在一些實施例中，器件管芯203可以是諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)管芯、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)管芯等的存儲器管芯。

本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到鈍化層、接觸焊盤和連接件的數(shù)量至為說明目的提供并且不限制本公開的范圍。在其他的實施例中，器件管芯203的每個可以包括適當(dāng)數(shù)量的鈍化層、接觸焊盤和連接件，這取決于器件管芯203的設(shè)計要求。

在一些實施例中，集成電路管芯203安裝在一個或多個介電層105上使得管芯接觸件205面向遠(yuǎn)離一個或多個介電層105的方向或面向一個或多個介電層105的遠(yuǎn)端。管芯接觸件205提供至形成在器件管芯203上的電路系統(tǒng)的電連接。管芯接觸件205可以形成在器件管芯203的有源側(cè)上，或者管芯接觸件205可以形成在背側(cè)上并且包括通孔。管芯接觸件205可以進(jìn)一步包括在集成器件管芯203的第一側(cè)和第二側(cè)之間提供電連接的通孔。在一個實施例中，管芯接觸件205可包括銅、鎢、鋁、銀、金、錫、它們的組合等。

參考圖3，密封件301形成在載體101上方以及形成在器件管芯203和導(dǎo)電通孔107上方且圍繞器件管芯203和導(dǎo)電通孔107。在一些實施例中，密封件301可包括諸如環(huán)氧樹脂、樹脂、可模塑聚合物等的模塑料。模塑料可以在當(dāng)其基本上是液體時施加，并且然后可以通過化學(xué)反應(yīng)，諸如在環(huán)氧樹脂或樹脂中固化。在其他的實施例中，模塑料可以是作為能夠設(shè)置在器件管芯203和導(dǎo)電通孔107的周圍和之間的凝膠或可延展性固體施加的紫外線(UV)或熱固化的聚合物。

進(jìn)一步參考圖3，在一些實施例中，使用CMP工藝、研磨工藝等或它們的組合平坦化生成的結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，執(zhí)行平坦化工藝直至暴露器件管芯203的管芯接觸件205。在一些實施例中，管芯接觸件205的頂部表面與導(dǎo)電通孔107和密封件301的頂部表面基本共面。

參考圖4，在器件管芯203、導(dǎo)電通孔107和密封件301上方形成一個或多個再分布層(RDL)401。在一些實施例中，RDL 401包括一個或多個介電層403和設(shè)置在一個或多個介電層403內(nèi)的導(dǎo)電部件405。在一些實施例中，一個或多個介電層403可以包括諸如聚苯并惡唑(PBO)、聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)等的介電材料，并且可以使用旋涂工藝等形成。在一些實施例中，一個或多個導(dǎo)電部件405可包括銅、鎢、鋁、銀、金等或它們的組合，并且可以使用化學(xué)鍍工藝、ALD、PVD等或它們的組合形成。

進(jìn)一步參考圖4，凸塊下金屬化層(UBM)407形成在RDL 401上方并且電連接至RDL 401。在一些實施例中，可以穿過一個或多個介電層403的最頂部介電層(未單獨地示出)形成一組開口以暴露RDL 401的一個或多個導(dǎo)電部件405。在一些實施例中，UBM 407可以包括多層導(dǎo)電材料，諸如鈦層、銅層和鎳層。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識到，存在材料和層的多種合適的布置，諸如鉻/鉻-銅合金/銅/金的布置、鈦/鈦鎢/銅的布置或銅/鎳/金的布置，這些都適用于UBM 407的形成?？捎糜赨BM 407的任何合適的材料或材料層全部意欲包括在本申請的范圍內(nèi)。在一些實施例中，連接件409形成在UMB407的一些上方并且電連接至UMB 407的一些。連接件409可以是焊料球、可控坍塌芯片連接(C4)凸塊、球柵陣列(BGA)球、微凸塊、化學(xué)鍍鎳-化學(xué)鍍鈀浸金技術(shù)(ENEPIG)形成的凸塊等。在連接件409是焊料凸塊的實施例中，通過首先由諸如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉(zhuǎn)移、植球等常用的方法形成焊料層來形成連接件409。一旦形成焊料層，就可以執(zhí)行回流，以將材料成形為期望的凸塊形狀。以這種方式，可以形成包括器件管芯203的多個集成電路管芯415。在一些實施例中，將集成電路管芯415形成為集成扇出式(InFO)結(jié)構(gòu)。

圖5A至圖5C示出了根據(jù)一些實施例的在堆疊的半導(dǎo)體器件的制造期間的各個示例性處理步驟。如下面將更詳細(xì)地討論，形成工件515以包括對準(zhǔn)掩模，對準(zhǔn)掩模將在工件附接至連接件409時幫助工件515對準(zhǔn)(參見圖4)。示例性工件515是包括襯底501和連接至襯底501的一個或多個堆疊的管芯507的集成電路封裝件。

圖5A示出了接合至襯底501的兩個堆疊的管芯507。在各個實施例中，襯底501可以是襯底、封裝襯底、硅襯底、有機(jī)襯底、陶瓷襯底、層壓襯底、插入板、集成電路、封裝管芯等。在各個實施例中，接合焊盤503、505可以由銅、鋁、金、鎢、它們的合金等形成。

在一些實施例中，堆疊的管芯507可以接合至襯底501，形成工件515。圖5A至圖6示出了兩個堆疊的管芯507，但在其他的實施例中使用更多或更少的堆疊的管芯507。在一些實施例中，工件515不包括堆疊的管芯507。堆疊的管芯507可以是類似于上面描述的器件管芯203的類型并且不重復(fù)描述。在一些實施例中，工件515可以包括器件管芯、集成電路管芯、存儲器管芯、插入板、集成電路封裝件、晶圓級封裝件和/或其他類型的管芯或結(jié)構(gòu)。

圖5B示出了利用接觸焊盤509和引線接合513電連接至襯底501的堆疊的管芯507。在其他的實施例中，可以使用諸如導(dǎo)電凸塊的其他連接。在一些實施例中，堆疊的管芯507和引線接合513可以由模制材料511包封，如圖5B中示出。例如，可以使用壓縮模制將模制材料511模制在堆疊的管芯507和引線接合513上。在一些實施例中，模制材料511可以是模塑料、聚合物、環(huán)氧樹脂、氧化硅填充材料等或它們的組合。可以執(zhí)行固化步驟以固化材料511，其中固化可以是熱固化、UV固化等或它們的組合。在一些實施例中，堆疊的管芯507和引線接合513掩埋在模制材料511中，并且在固化模制材料511之后，執(zhí)行諸如研磨的平坦化步驟以去除模制材料511的多余部分。

進(jìn)一步參考圖5C，可以在工件515中形成一個或多個對準(zhǔn)掩模517。在一些實施例中，在工件515的模制材料511中形成對準(zhǔn)掩模517。在一些實施例中，使用激光鉆孔工藝、蝕刻工藝、研磨工藝、金屬或電介質(zhì)沉積工藝或使用另一個工藝形成對準(zhǔn)掩模。在圖5C和圖6中示出的示例性實施例中，已經(jīng)使用激光鉆孔工藝形成對準(zhǔn)掩模517。單個工件515可以具有多個對準(zhǔn)掩模517。例如，工件515可以具有兩個、三個或另一數(shù)量的對準(zhǔn)掩模517。對準(zhǔn)掩模517可以具有特定的尺寸或可以具有一個或多個特定的形狀，如下面更詳細(xì)地描述。在一些實施例中，在模制材料511中將對準(zhǔn)掩模517形成至特定的深度。例如，對準(zhǔn)掩模517可以具有從10μm至30um或另一個深度。在一些情況中，特定的對準(zhǔn)掩模深度可以提供足夠的對比度或增強的對比度以便于底部填充物對準(zhǔn)，下面更詳細(xì)地描述。在一些實施例中，以諸如金屬、模制材料、電介質(zhì)或另一材料填充對準(zhǔn)掩模517。對準(zhǔn)掩模517可以幫助底部填充物的沉積，如下面更詳細(xì)地描述。在一些實施例中，在工件515的分割之前形成對準(zhǔn)掩模517。在一些實施例中，在工件515的分割后形成對準(zhǔn)掩模517。

參考圖6，在一些實施例中，將多個工件515接合至集成電路管芯415，形成堆疊的半導(dǎo)體器件600。在一些實施例中，間隙609可以存在于相鄰的工件515之間。在一些實施例中，可以使用連接件409將集成電路管芯415接合至工件515。在一些實施例中，工件515可以是集成電路封裝件、一個或多個管芯、封裝件襯底、插入板、PCB等。在一些實施例中，工件515是封裝件，并且堆疊的半導(dǎo)體器件600是疊層封裝件(PoP)器件或集成扇出疊層封裝件(InFO-PoP)器件。在工件515是管芯的其他的實施例中，堆疊的半導(dǎo)體器件600是封裝件上芯片(CoP)器件。在一些實施例中，在工件515接合至集成電路管芯415之后在工件515上形成對準(zhǔn)掩模517。

進(jìn)一步參考圖6，底部填充材料可以注入位于工件515和集成電路管芯415之間的間隙609中或以另外方式形成在位于工件515和集成電路管芯415之間的間隙609中，并且圍繞連接件409。底部填充物注入在圖6中示意性地示出為底部填充物注入603。例如，底部填充材料可以是分配在結(jié)構(gòu)之間并且然后固化以變硬的液體環(huán)氧樹脂、可變形凝膠、硅橡膠等。例如，可以將底部填充材料等用于減小對連接件409的損壞以及保護(hù)連接件409。在一些實施例中，底部填充物注入603至少部分地基于對準(zhǔn)掩模517的位置和/或布置來確定底部填充物注入的位置。在一些情況下，底部填充物注入603可以在從對準(zhǔn)掩模517預(yù)定偏離的位置或由兩個或多個對準(zhǔn)掩模517的位置確定的位置處注入底部填充物。例如，在兩個對準(zhǔn)掩模517位于間隙609的相對側(cè)附近的情況中，底部填充物注入603可以在兩個對準(zhǔn)掩模517之間約一半的位置處填充底部填充物。底部填充物注入603可以在相對于每個工件的單個位置或多個位置注入底部填充物。底部填充物注入603可以包括多個注入，并且可以順序地或同時地在多個位置注入底部填充物。在一些實施例中，底部填充物注入603可以基于對準(zhǔn)掩模517的其他特性(包括對準(zhǔn)掩模的尺寸、對準(zhǔn)掩模的數(shù)量、對準(zhǔn)掩模的長度、對準(zhǔn)掩模的形狀或?qū)?zhǔn)掩模的其他特性)注入底部填充物。

圖7A至圖9B是根據(jù)一些實施例的具有對準(zhǔn)掩模的堆疊的半導(dǎo)體器件的頂視圖，其中“A”圖代表頂視圖并且“B”圖代表在對應(yīng)“A”圖內(nèi)的對準(zhǔn)掩模的近視圖。示出在底部填充物注入之前的堆疊的半導(dǎo)體器件，類似于在1至圖6中的截面示出的堆疊的半導(dǎo)體。在一些實施例中，可以使用上面參考圖1至圖6描述的堆疊的半導(dǎo)體器件600的類似材料和方法形成堆疊的半導(dǎo)體器件，類似元件具有類似數(shù)字參考，并且這里不重復(fù)描述。在一些實施例中，可以以類似于圖5C示出的對準(zhǔn)掩模517的方式形成對準(zhǔn)掩模。在一些實施例中，每個工件可以包括兩個對準(zhǔn)掩模。在其他的實施例中，在每個工件中可以形成更多或更少的對準(zhǔn)掩模。在其他的實施例中，可以在工件上圖7A至圖9B示出的以外的不同位置形成對準(zhǔn)掩模。例如，每個工件在單個角處具有單個對準(zhǔn)掩模。如另一個實施例，每個工件在單個角處具有一個或多個對準(zhǔn)掩模。除這里描述的對準(zhǔn)掩模之外的其他裝置是可能的。圖7A是圖9B示出了對準(zhǔn)掩模的示例性實例。在其他的實施例中，對準(zhǔn)掩?？梢跃哂袌A形、橢圓形、多邊形、不規(guī)則形狀或其他形狀。

圖7A至圖7B示出了示例性的堆疊的半導(dǎo)體器件700。在堆疊的半導(dǎo)體器件700的示出的實施例中，對準(zhǔn)掩模701的頂視形狀是矩形的。示出的實施例在每個工件515上的兩個對準(zhǔn)掩模，每個對準(zhǔn)掩模形成在模制件511中的相對角處。在一些實施例中，矩形對準(zhǔn)掩模701可以具有以第一距離D₁與模制件511的第一邊緣(或工件515的第一邊緣)分開的第一側(cè)以及以第二距離D₂與第二邊緣分離的第二側(cè)。在一些實施例中，D₁和D₂是相等的。在一些實施例中，D₁和/或D₂可以在約50μm至約200μm之間。在一些實施例中，對準(zhǔn)掩模701的第一側(cè)具有第一寬度W₁以及第二側(cè)具有寬度W₂。在一些實施例中，W₁和W₂是相等的。在一些實施例中，W₁和/或W₂可以在約50μm至約200μm之間。

圖8A至圖8B示出了示例性的堆疊的半導(dǎo)體器件800。在堆疊的半導(dǎo)體器件800的示出的實施例中，對準(zhǔn)掩模801的頂視形狀是三角形的。示出的實施例示出了位于每個工件515上的兩個對準(zhǔn)掩模801，每個對準(zhǔn)掩模形成在模制件511中的相對角處。在一些實施例中，三角形對準(zhǔn)掩模801可以具有以第一距離D₃與模制件511(或工件515)的第一邊緣分開的第一側(cè)以及以第二距離D₄與第二邊緣分離的第二側(cè)。在一些實施例中，D₃和D₄是相等的。在一些實施例中，D₃和/或D₄可以在約50μm至約200μm之間。在一些實施例中，對準(zhǔn)掩模801的第一側(cè)具有第一寬度W₃以及第二側(cè)具有寬度W₄。在一些實施例中，W₃和W₄是相等的。在一些實施例中，W₃和/或W₄可以在約50μm至約300μm之間。

圖9A至圖9B示出了示例性的堆疊的半導(dǎo)體器件900。在堆疊的半導(dǎo)體器件900的示出的實施例中，對準(zhǔn)掩模901的頂視形狀是L形的。示出的實施例示出在每個工件515上的兩個對準(zhǔn)掩模901，每個對準(zhǔn)掩模形成在模制件511中的相對角處。在一些實施例中，L形對準(zhǔn)掩模901可以具有以第一距離D₅與模制件511(或工件515)的第一邊緣分開的第一側(cè)以及以第二距離D₆與第二邊緣分離的第二側(cè)。在一些實施例中，D₅和D₆是相等的。在一些實施例中，D₅和/或D₆可以在約50μm至約200μm之間。在一些實施例中，對準(zhǔn)掩模901的第一側(cè)具有第一寬度W₅以及第二側(cè)具有寬度W₆。在一些實施例中，W5和W6是相等的。在一些實施例中，W₅和/或W₆可以在約50μm至約300μm之間。在一些實施例中，對準(zhǔn)掩模901的“內(nèi)”側(cè)具有第三寬度W₇以和第四寬度W₈。在一些實施例中，W₇和W₈是相等的。在一些實施例中，W₇和/或W₈可以是W₅和/或W₆寬度的約一半。

圖10是根據(jù)一些實施例的示出形成集成電路封裝件的方法1000的流程圖。方法1000開始于步驟1001，其中如上面參考圖5A至圖5C描述一個或多個管芯(諸如堆疊的管芯507)附接至襯底(諸如襯底501)。在步驟1003，如上面參考圖5A至圖5C所述地形成密封件(諸如模制件511)以封裝管芯和襯底。在一些實施例中，如上面參考圖5A至圖5C的描述，密封管芯和襯底形成第一工件(諸如第一工件515)。在步驟1005中，如上面參考圖5A至圖5C和圖7至圖9的描述，在第一工件(諸如第一工件515)中形成一個或多個對準(zhǔn)掩模(諸如一個或多個對準(zhǔn)掩模517、701、801或901)。在一些實施例中，如上面參考圖5A至5C和圖7至圖9的描述，在工件的模制件(諸如模制件511)中形成對準(zhǔn)掩模。在一些實施例中，在形成對準(zhǔn)掩模之后分割工件。在步驟1007中，如上面參考圖6的描述，將第一工件附接至第二工件(諸如集成電路管芯415)以形成堆疊的器件(諸如堆疊的半導(dǎo)體器件600)。在步驟1009中，如上面參考圖6的描述，沉積底部填充物。在一些實施例中，基于一個或多個對準(zhǔn)掩模的位置沉積底部填充物。在步驟1011中，如上面參考圖6的描述，固化底部填充物。在一些實施例中，在固化對準(zhǔn)掩模之后分割堆疊的器件。

根據(jù)實施例，一種方法包括將第一工件附接至第二工件，第一工件具有對準(zhǔn)掩模。在鄰近第一工件的位置處沉積底部填充物，其中，底部填充物沉積的位置至少部分地基于對準(zhǔn)掩模。該方法還包括固化底部填充物。

根據(jù)另一實施例，一種方法包括將管芯附接至襯底。在管芯和襯底之間形成多個電連接。將管芯和襯底密封在模制材料中以形成封裝件。在封裝件的模制材料中形成對準(zhǔn)掩模。

根據(jù)又一實施例，第一工件包括襯底以及附接至襯底的管芯。模制材料密封管芯并且在模制材料中形成對準(zhǔn)掩模。第二工件附接至第一工件。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：將第一工件附接至第二工件，所述第一工件具有對準(zhǔn)掩模；在鄰近所述第一工件的位置處沉積底部填充物，其中，所述底部填充物沉積的所述位置至少部分地基于所述對準(zhǔn)掩模；以及固化所述底部填充物。

在上述方法中，在所述第一工件的模制材料中形成所述對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，所述對準(zhǔn)掩模具有三角形形狀。

在上述方法中，在所述第一工件的頂部表面的第一角處形成所述對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，所述對準(zhǔn)掩模是第一對準(zhǔn)掩模，以及在所述第一工件的所述頂部表面的與所述第一角相對的第二角處形成第二對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，還包括使用激光鉆孔形成所述對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，所述對準(zhǔn)掩模的邊緣位于距離所述第一工件的頂部表面的邊緣約50μm至約200μm處。

在上述方法中，所述對準(zhǔn)掩模具有約50μm至約300μm的寬度的側(cè)。

在上述方法中，還包括將第三工件附接至所述第二工件，所述第三工件具有另一個對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，所述第一工件是模制的存儲器件管芯。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件方法，包括：將管芯附接至襯底；在所述管芯和所述襯底之間形成多個電連接；將所述管芯和所述襯底密封在模制材料中以形成封裝件；以及在所述封裝件的所述模制材料中形成對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，所述對準(zhǔn)掩模是第一對準(zhǔn)掩模，并且所述方法還包括在所述模制材料上形成第二對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，使用激光鉆孔形成所述對準(zhǔn)掩模。

在上述方法中，還包括將所述封裝件附接至工件以及在基于所述對準(zhǔn)掩模的位置的位置處將底部填充物沉積在所述工件上。

在上述方法中，所述對準(zhǔn)掩模具有約10μm至約30μm的深度。

在上述方法中，所述管芯包括模制的存儲器件管芯。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一工件，包括：襯底；管芯，附接至所述襯底；模制材料，密封所述管芯；以及對準(zhǔn)掩模，形成在所述模制材料中；以及第二工件，附接至所述第一工件。

在上述器件中，還包括位于所述第一工件和所述第二工件之間的底部填充物。

在上述器件中，附接所述第一工件和所述第二工件以形成疊層封裝器件。

在上述器件中，所述對準(zhǔn)掩模是第一對準(zhǔn)掩模，并且所述器件還包括在所述模制材料中形成的第二對準(zhǔn)掩模。

以上論述了若干實施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本公開的各方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于實施與本文所介紹的實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。