本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法，尤其是涉及一種在不同視角下具有均勻色彩分布的發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：固態(tài)發(fā)光元件中的發(fā)光二極管元件(Light-EmittingDiode；LED)具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應(yīng)速度快等特性，因此廣泛應(yīng)用于各種需要使用發(fā)光元件的領(lǐng)域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。要將LED所發(fā)出的純色光，轉(zhuǎn)換成其他顏色的光有數(shù)種方式可采用。舉例來說，可于LED上覆蓋一層熒光粉來達(dá)到此目的。熒光粉是一種光致發(fā)光的物質(zhì)，也可說是波長轉(zhuǎn)換材料，它可以吸收LED所發(fā)出的第一光線后發(fā)出不同于第一光的第二光線。若第一光線未被完全消耗，仍殘留有部分第一光線與第二光線互相混合，可形成另一種顏色的混合光。不過，在不同的角度下，若LED所發(fā)出的第一光線與被轉(zhuǎn)換的第二光線互相混合的比例若是不同，第一光線與第二光線在不同的視角下會產(chǎn)生混合光的色彩分布不均勻的現(xiàn)象。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置，包含一發(fā)光元件以及一波長轉(zhuǎn)換層，發(fā)光元件包含一頂面，一底面，數(shù)個(gè)(二或更多)側(cè)面及一第一電性接點(diǎn)，頂面及底面的距離設(shè)為第一高度(h1)且通過數(shù)個(gè)側(cè)面連結(jié)，第一電性接點(diǎn)形成在底面上，波長轉(zhuǎn)換層包含第一區(qū)域(A1)及第二區(qū)域(A2)，第一區(qū)域位于發(fā)光元件的頂面的上方且具有第二高度(h2)，第二區(qū)域該位于發(fā)光元件的側(cè)面的外圍且圍繞第一區(qū)域且具有第三高度(h3)以及第二寬度(w2)。其中，第二高度(h2)大于第二寬度(w2)，第一高度(h1)與第二高度(h2)之合與第三高度(h3)的差值小于15微米。本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置的形成方法。先形成多個(gè)發(fā)光元件于一載板上。接著，形成一波長轉(zhuǎn)換片于多個(gè)發(fā)光元件上。切割波長轉(zhuǎn)換片以形成多個(gè)波長轉(zhuǎn)換層。多個(gè)發(fā)光裝置中的一發(fā)光裝置包含多個(gè)波長轉(zhuǎn)換層中的一波長轉(zhuǎn)換層。發(fā)光元件包含一頂面及一側(cè)面，波長轉(zhuǎn)換層包含位于頂面上方的第一區(qū)域(A1)及位于側(cè)面之外的第二區(qū)域(A2)。第一區(qū)域具有第二高度(h2)，其中第二高度(h2)大于第二區(qū)域(A2)之寬。本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置，包含一發(fā)光元件，一透鏡以及一波長轉(zhuǎn)換層。發(fā)光元件包含一第一頂面、一底面、一第一側(cè)面及一第一電性接點(diǎn)。第一頂面及底面通過第一側(cè)面連結(jié)，第一電性接點(diǎn)形成在底面上。透鏡包覆第一頂面及第一側(cè)面。波長轉(zhuǎn)換層包含一第二頂面及一第二側(cè)面，第二頂面位于透鏡上方，第二側(cè)面位于透鏡外側(cè)，其中第一頂面至透鏡的表面的距離小于第一側(cè)面至透鏡的表面的距離，透鏡的表面至第二頂面的距離大于透鏡的表面至第二側(cè)面的距離。附圖說明圖1A至圖1B為本發(fā)明一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的剖視圖及上視圖；圖2A至圖2B為本發(fā)明的一種發(fā)光裝置的比較例及實(shí)施例中視角對色座標(biāo)的關(guān)系圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的示意圖；圖4A至圖4D為本發(fā)明一實(shí)施例的流程圖；圖5A至圖5G為本發(fā)明另一實(shí)施例的流程圖；圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的剖視圖。符號說明100、300、600：發(fā)光裝置110、220a、220b、220c、310、610：發(fā)光元件112、222a：發(fā)光元件的頂面114、224a：發(fā)光元件的底面116、226a：發(fā)光元件的側(cè)面118a、118b：電性接點(diǎn)120、230a、230b、230c、320、620：波長轉(zhuǎn)換層122、322、622：波長轉(zhuǎn)換顆粒124、324、624：透明粘合劑125：波長轉(zhuǎn)換層的頂面126：波長轉(zhuǎn)換層的底面127：波長轉(zhuǎn)換層的側(cè)面210：載具212：載板214：粘膠層230：波長轉(zhuǎn)換片240：切割刀具250：耐熱膠260：承載板630：可透光層A1、B1：第一區(qū)域A2、B2：第二區(qū)域B11：上區(qū)塊B12：下區(qū)塊h1：高度h2：高度h3：高度w1：寬度w2：寬度具體實(shí)施方式圖1A為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所公開的一發(fā)光裝置100的剖視圖。發(fā)光裝置100包含發(fā)光元件110及一波長轉(zhuǎn)換層120，波長轉(zhuǎn)換層120覆蓋發(fā)光元件110。發(fā)光元件110包含一頂面112、一底面114及多個(gè)側(cè)面116，頂面112及底面114通過側(cè)面116連結(jié)。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件110為倒裝式發(fā)光二極管管芯(flipchipLEDdie)。在一實(shí)施例中，兩電性接點(diǎn)118a及118b位于發(fā)光元件110的同一側(cè)，作為發(fā)光元件110與外界電性連結(jié)的界面。由頂面112至底面114之間依序可包含成長基板、第一半導(dǎo)體層、活化層以及第二半導(dǎo)體層(未顯示)。在一實(shí)施例中，成長基板的一外表面即為發(fā)光元件110的出光面，其中成長基板可為藍(lán)寶石基板。在另一實(shí)施例中，頂面112至底面114之間的疊層結(jié)構(gòu)中不包含成長基板，或者成長基板被自疊層結(jié)構(gòu)中移除。第一半導(dǎo)體層可為n-型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層可為p-型半導(dǎo)體層。其中，電性接點(diǎn)118a及118b會分別與第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層電連接。此外，電性接點(diǎn)118a及118b可以突出于波長轉(zhuǎn)換層120的底面126(如圖所示)、或與底面126大約齊平(圖未示)、或僅其中的一突出底面126(圖未示)。在另一實(shí)施例中，發(fā)光元件110為一垂直式發(fā)光二極管管芯(verticalLEDdie/chip)，電性接點(diǎn)118a及118b可分別形成在頂面112及底面114上，并分別與第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層電連接。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件110有四個(gè)側(cè)面，相對的側(cè)面彼此大致上互相平行。頂面112與底面114也大致互相平行。此外，頂面112至底面114的距離在此定義為高度(h1)，兩相對側(cè)面116間的距離定義為寬度(w1)。此外，計(jì)算高度(h1)時(shí)，底面114是指發(fā)光元件110除電性接點(diǎn)118a及118b之外的下表面，換言之，電性接點(diǎn)118a及118b的下表面非本處所指的底面114。在一實(shí)施例中，高度(h1)是介于50微米(μm)至250微米(μm)之間，而寬度(w1)是介于900微米至1500微米之間。發(fā)光元件110可為一發(fā)光二極管管芯(LEDdie/chip)，例如但不限為藍(lán)光發(fā)光二極管管芯或紫外光發(fā)光二極管管芯。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件110為藍(lán)光發(fā)光二極管管芯，可經(jīng)由外在電源提供一電力而發(fā)出第一光線，第一光線的主波長(dominantwavelength)或峰值波長(peakwavelength)介于430nm至490nm之間。波長轉(zhuǎn)換層120可包含一透明粘合劑124以及多個(gè)分散于透明粘合劑124中的波長轉(zhuǎn)換顆粒122，其中波長轉(zhuǎn)換顆粒122可吸收發(fā)光元件110發(fā)出的第一光線，并將其轉(zhuǎn)換成與第一光線波長或頻譜相異的第二光線。在一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換顆粒122吸收第一光線后被激發(fā)出來的第二光線為黃光，其主波長或峰值波長介于530nm至590nm之間。另一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換顆粒122吸收第一光線后激發(fā)出來的第二光線為黃綠光，其主波長或峰值波長介于515nm至575nm之間。其他實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換顆粒122吸收第一光線后被激發(fā)出來的第二光線為紅光，其主波長或峰值波長介于590nm至650nm之間。波長轉(zhuǎn)換層120可包含單一種類或多種的波長轉(zhuǎn)換顆粒122。在一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換層120包含可發(fā)出黃光的波長轉(zhuǎn)換顆粒。另一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換層120包含可發(fā)出黃綠光及紅光的多種波長轉(zhuǎn)換顆粒。波長轉(zhuǎn)換顆粒122的材料可包含無機(jī)的熒光粉(phosphor)、有機(jī)分子熒光色素(organicfluorescentcolorant)、半導(dǎo)體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。半導(dǎo)體材料包含納米尺寸結(jié)晶體(nanocrystal)的半導(dǎo)體材料，例如量子點(diǎn)(quantum-dot)發(fā)光材料。在一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換顆粒122的材料為熒光粉，其可選自于由Y3Al5O12：Ce、Gd3Ga5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、(Lu、Y)3Al5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4：Eu、(Ca、Sr)S：(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S：Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8：Eu、(Sr、Ba、Ca)(Al、Ga)SiN3：Eu、CaAlSiON：Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2：Eu、K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn、及K2SnF6：Mn所組成的群組。半導(dǎo)體材料可包含II-VI族半導(dǎo)體化合物、III-V族半導(dǎo)體化合物、IV-VI族半導(dǎo)體化合物、或上述材料的組合。量子點(diǎn)發(fā)光材料可選自于由硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、硒化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硫化鋅鎘硒(ZnCdSeS)、及硫化銅銦(CuInS)所組成的群組。透明粘合劑124可將波長轉(zhuǎn)換顆粒122分散于空間中，且可固定波長轉(zhuǎn)換顆粒122彼此間的相對位置。調(diào)整透明粘合劑124與波長轉(zhuǎn)換顆粒122的重量比可以改變波長轉(zhuǎn)換顆粒122在波長轉(zhuǎn)換層120中的濃度。波長轉(zhuǎn)換顆粒122的濃度越高，可將更多來自發(fā)光元件11的光線轉(zhuǎn)換成另一種光線(轉(zhuǎn)換比例越高)，且散射光線的效果更加明顯。但波長轉(zhuǎn)換顆粒122的濃度若太高則表示透明粘合劑124含量太少，可能無法有效固定波長轉(zhuǎn)換顆粒122。在一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換顆粒122于波長轉(zhuǎn)換層120中的重量百分比在70％以下。在另一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換顆粒122于波長轉(zhuǎn)換層120中的重量百分比在25％～35％。波長轉(zhuǎn)換顆粒在上述的重量百分比范圍中可得到較佳的轉(zhuǎn)換比例及散射效果，且可被有效地固定其在空間中的位置。此外，為了讓激發(fā)波長轉(zhuǎn)換顆粒122的第一光線以及波長轉(zhuǎn)換顆粒122發(fā)射的第二光線能有較高的出光效率，透明粘合劑124具有對第一光線及第二光線有較高的穿透率者為佳，例如穿透率大于80％、90％、95％或99％。透明粘合劑124的材料可為熱固化樹脂，熱固化樹脂可為環(huán)氧樹脂或硅樹脂。在一實(shí)施例中，透明粘合劑124為硅樹脂。透明粘合劑124的折射率與發(fā)光元件110出光面的材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取的效率可更加提升。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件110出光面的材料為藍(lán)寶石(sapphire)，其折射率約為1.77，透明粘合劑124的折射率則大于1.50。波長轉(zhuǎn)換層120可覆蓋發(fā)光元件110的一或多個(gè)出光面。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件110的出光面包含頂面112及側(cè)面116，波長轉(zhuǎn)換層120同時(shí)覆蓋發(fā)光元件110的頂面112及側(cè)面116。在另一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換層120與發(fā)光元件110的頂面112及數(shù)個(gè)側(cè)面116直接接觸。在另一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換層120僅覆蓋發(fā)光元件110的頂面112或與其直接接觸，但不覆蓋側(cè)面116或與其接觸。參閱圖1B(圖1A的上視圖)，波長轉(zhuǎn)換層120可包含第一區(qū)域A1及第二區(qū)域A2。在一實(shí)施例中，第一區(qū)域A1與第二區(qū)域A2彼此相連，第一區(qū)域A1位于發(fā)光元件110的頂面112的正上方。第一區(qū)域A1具有一高度(h2)，如圖1A所示。高度(h2)定義為發(fā)光元件110的頂面112至波長轉(zhuǎn)換層120的頂面125的距離。第二區(qū)域A2位于發(fā)光元件110側(cè)面116的外圍且圍繞第一區(qū)域A1，并具有一高度(h3)及一寬度(w2)，如圖1A所示。高度(h3)定義為第二區(qū)域A2的底面126至波長轉(zhuǎn)換層120的頂面125的距離。在一實(shí)施例中，高度(h2)介于50微米至1450微米之間，高度(h3)介于100微米至1500微米之間。寬度(w2)定義為波長轉(zhuǎn)換層120的側(cè)面127至發(fā)光元件110的側(cè)面116之間的距離。在一實(shí)施例中，寬度(w2)介于50微米至500微米之間。在另一實(shí)施例中，第一高度(h1)與該第二高度(h2)之合與該第三高度(h3)的差值小于15微米。因此，側(cè)面116可被波長轉(zhuǎn)換層完全包覆，可避免光線由側(cè)面116外漏。此外，波長轉(zhuǎn)換層120也不會因?yàn)橥怀鲇诎l(fā)光元件110的底面114阻礙電性接點(diǎn)118a及118b固定于一另一載板上。在一實(shí)施例中，第二高度(h2)大于第二寬度(w2)。例如，第二寬度(w2)與第二高度(h2)的比值介于0.4至0.6之間。若發(fā)光元件110的頂面112射出的第一光線的第一強(qiáng)度L1大于發(fā)光元件110的側(cè)面116射出的第二強(qiáng)度L2，當(dāng)頂面112上的波長轉(zhuǎn)換層120的厚度與側(cè)面116上的波長轉(zhuǎn)換層120的厚度相等，表示第一光線L1行經(jīng)第二高度(h2)的距離與第一光線行經(jīng)第二寬度(w2)的距離相等，亦即第一光線L1行經(jīng)第二高度(h2)與第二寬度(w2)后被波長轉(zhuǎn)換顆粒122轉(zhuǎn)換成第二光線L2的強(qiáng)度可能接近。如同上述，若頂面112方向上與側(cè)面116方向上的第二光線強(qiáng)度相同，由于第一光線L1的在此二個(gè)方向上的強(qiáng)度不同(第一強(qiáng)度L1大于第二強(qiáng)度L2)，使得在頂面112方向上與側(cè)面116方向上第一光線L1與第二光線L2的混光比不相同。因此，若頂面112上的波長轉(zhuǎn)換層120的厚度較大時(shí)，更多比例的第一光線L1會被轉(zhuǎn)換成第二光線L2。如此可使得第一光線L1與第二光線L2的混合比例在頂面112與側(cè)面116上可以接近。此外，由于波長轉(zhuǎn)換顆粒122具有散射并勻化光線的作用，在發(fā)光元件110的頂面112上提供較厚的波長轉(zhuǎn)換層120可使得第一光線L1與第二光線L2在各視角下產(chǎn)生相近色彩的混合光。表1列出一比較例與一實(shí)施例的發(fā)光裝置的尺寸，其中比較例與實(shí)施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)可參照圖1A及圖1B，波長轉(zhuǎn)換顆粒于波長轉(zhuǎn)換層中的重量百分比約在28％～31％。第一高度h1第二高度h2第二寬度w2第三高度h3比較例150300325450實(shí)施例150300150450表1表內(nèi)的數(shù)值的單位為微米(μm)，比較例與實(shí)施例使用相同的發(fā)光元件，其中，圖2A及圖2B分別顯示比較例(圖2A)及實(shí)施例(圖2B)中視角與色彩分布的關(guān)系圖。X軸表示視角，0°對應(yīng)于垂直于頂面112的方向，90°及-90°分別為平行于頂面112的兩個(gè)相對的方向。Y軸的△u’v’表示色座標(biāo)上任一點(diǎn)與一基準(zhǔn)點(diǎn)(u0’，v0’)的距離。換言之，△u’v’越大表示兩點(diǎn)在色座標(biāo)上距離越遠(yuǎn)，也就表示第一光線與第二光線混光的比例有較大的不同。其中，△u’v’＝(△u’2+△v’2)1/2，u’及v’分別表示CIE1976表色系統(tǒng)下的色座標(biāo)，△u’為u’-u0’，△v’為v’-v0’，基準(zhǔn)值(u0’，v0’)定義為所有角度下色座標(biāo)的平均值。在角度分布區(qū)間內(nèi)，△u’v’的變異越小表示于不同視角下的色彩分布的均勻度越好。在圖2B中，0°至70°的△u’v’值相差小于0.0040，即表示實(shí)施例在發(fā)光裝置的色彩分布的均勻度優(yōu)于比較例。在比較例中，第二高度(h2)為300微米，第二寬度(w2)為325微米，第二高度(h2)小于第二寬度(w2)。在實(shí)施例中，第二高度(h2)為300微米，第二寬度(w2)為150微米，實(shí)施例的第二高度(h2)大于第二寬度(w2)。圖2A于0°至30°范圍內(nèi)的△u’v’值相差大于0.0015，圖2B于0°至30°范圍內(nèi)的△u’v’值相差小于0.0010，因此，在0°至30°范圍內(nèi)實(shí)施例的色彩分布的均勻度較比較例為佳。圖2A于30°至60°范圍內(nèi)的△u’v’值相差約0.0040，圖2B于30°至60°范圍內(nèi)的△u’v’值相差小于0.0020，在30°至60°的范圍內(nèi)實(shí)施例的色彩分布的均勻度也較比較例為佳。且在30°至60°內(nèi)實(shí)施例與比較例的差異較0°至30°更大。圖2A于60°至90°范圍內(nèi)的△u’v’值相差更至0.0100，圖2B于60°至90°范圍內(nèi)的△u’v’值相差小于0.0020，亦即角度越大比較例的色彩分布的均勻度越差，但實(shí)施例的色彩分布的均勻度卻大體上維持一定。若于0°至90°的范圍內(nèi)，圖2A的△u’v’值相差大于0.0110，圖2B的△u’v’值相差小于0.0030，可見當(dāng)?shù)诙挾?w2)為150微米、第二高度(h2)為300微米、及w2/h2的比值介于0.4至0.6之間時(shí)，色彩分布的均勻度較佳。圖3顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置300的示意圖。發(fā)光裝置300包含發(fā)光元件310及一波長轉(zhuǎn)換層320，波長轉(zhuǎn)換層320覆蓋發(fā)光元件310。波長轉(zhuǎn)換層320可區(qū)分為第一區(qū)域B1及第二區(qū)域B2。第一區(qū)域B1可再分成上區(qū)塊B11及下區(qū)塊B12。在一實(shí)施例中，第一區(qū)域B1及第二區(qū)域B2的波長轉(zhuǎn)換顆粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小于5％，在另一實(shí)施例中，上區(qū)塊B11及下區(qū)塊B12的的波長轉(zhuǎn)換顆粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小于5％。波長轉(zhuǎn)換顆粒的平均重量百分比(或平均密度)是定義為于的波長轉(zhuǎn)換層的區(qū)塊內(nèi)取數(shù)個(gè)不同的次區(qū)塊(例如，3～10個(gè)次區(qū)塊)，波長轉(zhuǎn)換顆粒于所有次區(qū)塊的重量百分比(或密度)的平均值。次區(qū)塊的維度可視樣品大小或檢測方式調(diào)整。例如，次區(qū)塊可以是二維或三維的形狀，二維形狀如八邊形、六邊形、四邊形、三角形、圓形、橢圓形、或前述形狀的組合，三圍形狀如柱體、立方體、長方體、圓球體。若采用熱重分析(TGA)方式量測波長轉(zhuǎn)換顆粒的重量百分比，即是量測次區(qū)塊中的波長轉(zhuǎn)換顆粒的總重量與次區(qū)塊重量的比值。若采用電子顯微鏡方式量測波長轉(zhuǎn)換顆粒的密度，可以量測在特定的面積下(例如，100X100微米平方)量測次區(qū)塊中波長轉(zhuǎn)換顆粒的總數(shù)目或總面積。次區(qū)塊的重量百分比(或密度)與平均重量百分比(或平均密度)相差越小表示波長轉(zhuǎn)換顆粒的分布較為均勻，如此不會因?yàn)椴ㄩL轉(zhuǎn)換顆粒集中在某些區(qū)域，造成這些區(qū)域中承受較多的熱，可減緩?fù)该髡澈蟿?24因熱產(chǎn)生的衰壞。圖4A至圖4D為顯示制作發(fā)光裝置100的流程圖。參照圖4A，提供一載具210及發(fā)光元件220a、220b、220c，發(fā)光元件220a、220b、220c被安置在載具210上，其中，發(fā)光元件的數(shù)量在此僅為例示，并不限于三個(gè)。載具210包含一載板212及一粘膠層214。在一實(shí)施例中，載板212為一金屬片或塑膠片，粘膠層214為一發(fā)泡膠，發(fā)泡膠例如是熱解離膠(thermalreleaseadhesive)或紫外線固化膠(UVcuringadhesive)。發(fā)光元件220a包含一頂面222a、一底面224a及多個(gè)側(cè)面226a。在一實(shí)施例中，底面224a與粘膠層214直接接觸。發(fā)光元件220a與發(fā)光元件220b之間的走道寬為d1，發(fā)光元件220b與發(fā)光元件220c之間的走道寬為d2，走道寬d1與走道寬d2的大小可相同或不同。在一實(shí)施例中，走道寬d1與走道寬d2的大小為相同，走道寬d1或d2介于100微米至1000微米之間。參照圖4B，將一波長轉(zhuǎn)換片230形成于載具210上，并同時(shí)覆蓋發(fā)光元件220a、220b、220c。波長轉(zhuǎn)換片230是將多個(gè)波長轉(zhuǎn)換顆粒與透明粘合劑混合后預(yù)先形成的片狀結(jié)構(gòu)。片狀結(jié)構(gòu)的尺寸可依照需求進(jìn)行調(diào)整，例如，片狀結(jié)構(gòu)包含數(shù)個(gè)彼此分離的波長轉(zhuǎn)換片，此數(shù)個(gè)彼此分離的波長轉(zhuǎn)換片可以批次或依序覆蓋數(shù)個(gè)發(fā)光元件，亦即一個(gè)波長轉(zhuǎn)換片230僅覆蓋一個(gè)或少量的發(fā)光元件(例如，載具210上發(fā)光元件總數(shù)的1/50、1/100、或1/200以下)。又例如，片狀結(jié)構(gòu)是一卷帶(tape)，可以連續(xù)且一次性地覆蓋數(shù)個(gè)發(fā)光元件，亦即一個(gè)波長轉(zhuǎn)換片同時(shí)覆蓋多數(shù)個(gè)或載具210上的所有發(fā)光元件(例如，載具210上發(fā)光元件總數(shù)的1/50、1/100、1/200以上)。在一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換片230貼合在發(fā)光元件220a、220b、220c上。貼合通過上模具(未顯示)及下模具(未顯示)的密合，同時(shí)對波長轉(zhuǎn)換片230加熱以及加壓，以軟化波長轉(zhuǎn)換片230使其可緊密地與發(fā)光元件220a、220b、220c接合。此外，當(dāng)上模具及下模具非?？拷?，但波長轉(zhuǎn)換片230尚未接觸發(fā)光元件220a、220b、220c時(shí)抽氣，可減少波長轉(zhuǎn)換片230與發(fā)光元件220a220b、220c之間的氣泡，提高波長轉(zhuǎn)換片230與發(fā)光元件220a、220b、220c之間的接合力。參照圖4C，以切割刀具240切割波長轉(zhuǎn)換片230，形成獨(dú)立的發(fā)光裝置200a、200b、200c。波長轉(zhuǎn)換片230分離成多個(gè)波長轉(zhuǎn)換層230a、230b、230c并分別覆蓋發(fā)光元件220a、220b、220c。波長轉(zhuǎn)換層230a、230b、230c于發(fā)光元件220a、220b、220c兩側(cè)的厚度(例如，圖1A中第二區(qū)域A2的第二寬度w2)可小于或約當(dāng)于走道寬度(d)的一半。以發(fā)光組件200a為例，發(fā)光元件220a的頂面222a上的厚度(h2)可大于走道寬度(d)的二分之一或大于圖1A中第二區(qū)域(A2)的第二寬度(w2)，如此形成的發(fā)光裝置具有較佳的色均勻度。參照圖4D，切割后可由載具210上拿取單一個(gè)發(fā)光裝置。在此以發(fā)光裝置200a為例，在拿取發(fā)光裝置200a之前，可加熱以固化波長轉(zhuǎn)換層230a。加熱前的波長轉(zhuǎn)換層230a內(nèi)含有的透明粘合劑通常為半固化的狀態(tài)，或是稱作B階段。加熱后的透明粘合劑則轉(zhuǎn)變?yōu)橥耆袒牡臓顟B(tài)，或是稱作C階段。此外，在特定的加熱環(huán)境下可更容易由粘膠層214上取下發(fā)光裝置200a。在一實(shí)施例中，加熱至200℃以上，粘膠層214可與發(fā)光裝置200a或載板212分離。在加熱溫度較高及/或固化時(shí)間較長時(shí)，粘膠層214容易于發(fā)光裝置200a或載板212上遺留殘膠。圖5A至圖5G為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所公開的一發(fā)光裝置的制造流程圖。參照圖5A，提供一載具210及發(fā)光元件220a、220b、220c，發(fā)光元件220a、220b、220c安置在載具210上。參照圖5B，將波長轉(zhuǎn)換片230安置于載具210上，同時(shí)覆蓋多個(gè)發(fā)光元件220a、220b、220c。參照圖5C，在波長轉(zhuǎn)換片230上覆蓋一層耐熱膠250后進(jìn)行加熱，將發(fā)光元件220a、220b、220c及波長轉(zhuǎn)換片230自粘膠層214上移開，其后再進(jìn)行固化。參照圖5D，波長轉(zhuǎn)換片230及發(fā)光元件220a、220b、220c貼附至另一承載板260，其中，承載板260可以是藍(lán)膜或其他可做為支撐波長轉(zhuǎn)換片230及發(fā)光元件220a、220b、220c的材料或結(jié)構(gòu)。參照圖5E，將耐熱膠250與波長轉(zhuǎn)換片230分離。參照圖5F，再以切割刀具240切割波長轉(zhuǎn)換片230，形成多個(gè)發(fā)光裝置200a、200b、200c，參照圖5G，再由載具260上拿取被分割后發(fā)光裝置。由于耐熱膠250可于較高的溫度及較長的時(shí)間下操作且不會形成殘膠，因此可容易地與波長轉(zhuǎn)換片230分離。圖6為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的一發(fā)光裝置600的剖視圖。發(fā)光裝置600包含發(fā)光元件610及一波長轉(zhuǎn)換層620。波長轉(zhuǎn)換層620覆蓋發(fā)光元件610，并可包含一透明粘合劑624以及分散于透明粘合劑624中的波長轉(zhuǎn)換顆粒622。發(fā)光元件610及一波長轉(zhuǎn)換層620之間有一可透光層630。在一實(shí)施例中，可透光層630為透鏡結(jié)構(gòu)，例如凸透鏡。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件610的頂面至可透光層630的頂表面的距離小于發(fā)光元件610的側(cè)面至可透光層630的外側(cè)表面的距離。可透光層630的頂表面至波長轉(zhuǎn)換層620的頂面的距離大于可透光層630的外側(cè)表面至波長轉(zhuǎn)換層320的外側(cè)面的距離。在一實(shí)施例中，發(fā)光元件610的側(cè)面至波長轉(zhuǎn)換層620的側(cè)面的距離與發(fā)光元件610的頂面至波長轉(zhuǎn)換層620的頂面的距離相等，但可透光層630的側(cè)表面上的平均厚度(T1)可大于頂表面上的平均厚度(T2)。所以，但波長轉(zhuǎn)換層620于發(fā)光元件610的側(cè)面實(shí)際的平均厚度是小于波長轉(zhuǎn)換層620于發(fā)光元件610的頂面實(shí)際的平均厚度。如此，當(dāng)發(fā)光元件610的正向出光遠(yuǎn)大于側(cè)向光時(shí)，通過可透光層630改變波長轉(zhuǎn)換層620的上方及側(cè)向厚度。再者，通過調(diào)整可透光層630的厚度及波長轉(zhuǎn)換層620中波長轉(zhuǎn)換顆粒622的密度，可以在不更動(dòng)發(fā)光裝置600的外部尺寸及發(fā)光元件610的規(guī)格之下，改變發(fā)光裝置600的整體出光表現(xiàn)，如光型、不同視角下色彩分布(COA)等。此外，可通過可透光層630作為發(fā)光元件610與波長轉(zhuǎn)換顆粒622之間的間隔，如此可減少因發(fā)光元件610產(chǎn)生的熱造成波長轉(zhuǎn)換顆粒622的效率下降。再者，若可透光層630的材料與透明粘合劑624的材料接近或相同時(shí)，可提高波長轉(zhuǎn)換層620與透光層630的附著力。以上所述的實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以之限定本發(fā)明的專利范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3