本發(fā)明涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu),尤其涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)具有重量輕、體積小、節(jié)能環(huán)保、發(fā)光效率高等優(yōu)點,其作為一種新型的發(fā)光源,已經(jīng)被越來越多地廣泛應(yīng)用于指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領(lǐng)域。
現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常包括第一電極、第二電極、位于第一電極上的發(fā)光二極管芯片、分別與第一電極及發(fā)光二極管芯片電性連接的第一導線、分別與第二電極及發(fā)光二極管芯片電性連接的第二導線、以及封裝體;第一導線及第二導線均為弧線形結(jié)構(gòu)。然而,在實際制作過程中,由于第一電極、第二電極、發(fā)光二極管芯片分別與第一導線及第二導線焊接后再進行封裝體封裝,焊接后、封裝前的搬運傳輸過程容易產(chǎn)生震動,由于第二電極與第一電極為分離結(jié)構(gòu),連接發(fā)光二極管芯片與第二電極的第二導線很容易在震動中焊接點被扯開,造成斷路,從而使得封裝后的發(fā)光二極管為不良品。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
基于此,本發(fā)明提供一種導線與電極及發(fā)光二極管芯片焊接良好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括一第一電極、第二電極、位于第一電極上的發(fā)光二極管芯片、分別與第一電極及發(fā)光二極管芯片電性連接的第一導線、分別與第二電極及發(fā)光二極管芯片電性連接的第二導線、以及封裝體;所述封裝體將所述第一電極、第二電極、第一導線、第二導線、發(fā)光二極管芯片封裝;所述第二導線包括一端電性連接所述第二電極的第一直線段、一端電性連接所述發(fā)光二極管芯片的第二直線段、及連接第一直線段及第二直線段的中間直線段。
本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過對連接第二電極與發(fā)光二極管芯片的第二導線進行設(shè)置,使第二導線上設(shè)置有至少兩個明顯的彎折點,從而在震動過程中第一電極與第二電極發(fā)生偏移時,通過第二導線上承受形變,避免了直接對焊點的拉扯,增大了制作過程中的良品率。
在其中一個實施例中,所述第一直線段與中間直線段所成夾角為90~130度。
在其中一個實施例中,所述第一直線段與中間直線段所成夾角為100~120度。
在其中一個實施例中,所述第二直線段與中間直線段所成角度為70~90度。
在其中一個實施例中,所述第二直線段與中間直線段所成角度為80~90度。
在其中一個實施例中,所述第一導線為弧線形設(shè)置。
在其中一個實施例中,所述第一導線及第二導線為金屬導線。
在其中一個實施例中,所述封裝體內(nèi)設(shè)有熒光粉。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的一較佳實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)封裝前的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)完成封裝后的示意圖。
具體實施方式
為了便于理解本發(fā)明,下面將對本發(fā)明進行更全面的描述。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本文所描述的實施例。相反地,提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。
請參閱圖1及圖2,為本發(fā)明一較佳實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100,包括一第一電極10、第二電極20、位于第一電極10上的發(fā)光二極管芯片30、分別與第一電極10及發(fā)光二極管芯片30電性連接的第一導線40、分別與第二電極20及發(fā)光二極管芯片30電性連接的第二導線60、以及封裝體70;所述封裝體70將所述第一電極10、第二電極20、第一導線40、第二導線60、發(fā)光二極管芯片30封裝。
所述第一電極10與第二電極20間隔設(shè)置,所述發(fā)光二極管芯片30安裝在第二電極20上。在本實施例中,所述第一電極10為正極,第二電極20為負極。該第一電極10與第二電極20通過底面與外界的電路板銅層電性連接。所述第一電極10的尺寸面積比第二電極20的尺寸面積大。
第一導線40及第二導線60為金屬導線。所述第一導線40為弧線形設(shè)置。第二導線60包括一端電性連接所述第二電極20的第一直線段61、一端電性連接所述發(fā)光二極管芯片30的第二直線段62、及連接第一直線段61及第二直線段62的中間直線段63。第一直線段61與中間直線段63所成角度A為90~130度;較佳地,第一直線段61與中間直線段63所成角度A為100~120度;第二直線段62與中間直線段63所成角度B為70~90度,較佳地,第二直線段62與中間直線段63所成角度B為80~90度;所述第二導線60為弧形導線。第二導線60與第二電極20的連接處為其中一個焊接點Q。
本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100制作時,現(xiàn)將第一導線40分別與第一電極10及發(fā)光二極管芯片30焊接、及將第二導線60分別與第二電極20及發(fā)光二極管芯片30焊接;完成焊接后,由于第一電極10與第二電極20處于分離狀態(tài),在封裝前的運轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)震動時,第一電極10與第二電極20之間會產(chǎn)生小幅位移,由于第二導線60設(shè)置為第一直線段61、第二直線段62、中間直線段63以及相互之間的角度設(shè)置,形成兩個彎折點,在產(chǎn)生小幅位移時第二導線60會相應(yīng)產(chǎn)生類似四邊形的形變,避免了直接對第二導線60與第二電極20的連接處的撕扯,有效地保護了電性連接的可靠性,從而大大地提高了制作過程中的良品率。最后進行封裝體70的覆蓋,從而完成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的制作。
可以理解地,在其它實施例中,所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的封裝體70中可以加入熒光粉。
本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100通過對連接第二電極20與發(fā)光二極管芯片30的第二導線60進行設(shè)置,使第二導線60上設(shè)置有明顯的彎折點,從而在震動過程中第一電極10與第二電極20發(fā)生偏移時,通過第二導線60承受形變,避免了直接對焊點的拉扯,從而保證了電性連接的可靠,增大了制作過程中的良品率。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此,本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。