1.一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，具體步驟包括：
(1)選取與所需提高熱電子注入效率的目標電子器件中相應非極性半導體具有相似禁帶寬度、導電性及光學性能的極性半導體；并進行清洗；
(2)在步驟(1)處理后的極性半導體的有利于熱電子注入的極性面上制備產生熱電子的結構；
(3)激發(fā)極性半導體熱電子的產生；
(4)表征熱電子注入效率。
2.根據權利要求1所述的一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，所述步驟(2)，產生熱電子的結構包括有序的產生熱電子的結構和無序的產生熱電子的結構，通過光刻沉積方法制備有序的產生熱電子的結構，通過光化學生長、濺射退火或旋涂方法制備無序的產生熱電子的結構。
3.根據權利要求1所述的一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，所述產生熱電子的結構為表面等離激元結構、局域表面等離激元結構或沉積半導體結構。
4.根據權利要求1所述的一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，所述產生熱電子的結構為表面等離激元結構或局域表面等離激元結構，所述步驟(3)，具體是指：使用對應所述產生熱電子的結構的等離激元共振波長或者能量滿足電子產生帶間躍遷的光進行光激發(fā)；所述等離激元共振波長的取值范圍為500～600nm。
5.根據權利要求1所述的一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，所述產生熱電子的結構為沉積半導體結構，所述步驟(3)，具體是指：使用能量大于所述產生熱電子的帶隙的光激發(fā)產生熱電子，或者通過熱激發(fā)使缺陷電離產生熱電子。
6.根據權利要求1所述的一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，所述步驟(4)，具體是指：在熱電子被激發(fā)產生前后，分別測量相同電壓下所需提高熱電子注入效率的目標電子器件的電流值或功率值，熱電子被激發(fā)產生前后的電流值差值或功率值差值表征熱電子注入效率的提高。
7.根據權利要求1所述的一種利用半導體極性場提高熱電子注入效率的方法，其特征在于，所述步驟(1)中，具體是指：依次經過丙酮、乙醇和去離子水各超聲清洗15min后，經N2吹干。