技術總結
本發(fā)明涉及半導體器件。在功率MOSFET等的超結結構中，主體單元部分的濃度相對較高，所以針對使用現(xiàn)有技術的外圍端接結構或降低表面場結構的外圍部分難以確保擊穿電壓等于或高于單元部分的擊穿電壓。具體而言，問題出現(xiàn)在于，在芯片的外圍拐角部分中，由于電場集中導致?lián)舸╇妷旱淖兓瘜τ诔Y結構中的電荷失衡變得敏感。在本發(fā)明中，在諸如在有源單元區(qū)域和芯片外圍區(qū)域中的每個區(qū)域中具有超結結構的功率MOSFET之類的半導體功率器件中，與第一導電類型的漂移區(qū)域的表面的第二導電類型的主結耦合并具有比主結濃度更低濃度的、第二導電類型的表面降低表面場區(qū)域的外端位于主結的外端與芯片外圍區(qū)域中的超結結構的外端之間的中間區(qū)域中。

技術研發(fā)人員：玉城朋宏;中澤芳人
受保護的技術使用者：瑞薩電子株式會社
文檔號碼：201610526261
技術研發(fā)日：2011.12.27
技術公布日：2016.11.23