技術(shù)編號(hào)：11836497
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件本申請是于2011年12月27日提交、申請?zhí)枮?01110456183.4、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。相關(guān)申請的交叉引用這里通過參考整體引入2010年12月28日提交的日本專利申請No.2010-292119的公開內(nèi)容，包括說明書、附圖和摘要。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及在應(yīng)用于半導(dǎo)體器件(或者半導(dǎo)體集成電路器件)中的單元外圍布局技術(shù)或者擊穿電壓增強(qiáng)技術(shù)時(shí)有效的技術(shù)。背景技術(shù)日本未審專利公開No.2007-116190(專利文獻(xiàn)1)或者與之對應(yīng)的美國專利公開No.20...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。