1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：
半導(dǎo)體裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的傳導(dǎo)墊；
第一介電層(DL)，其在所述第一裸片表面上且包括第一介電層開口，所述傳導(dǎo)墊通過所述第一介電層開口而暴露；
第一再分布層，其包括在所述第一介電層上且在所述第一介電層開口中的第一傳導(dǎo)層，其中所述第一傳導(dǎo)層通過所述第一介電層開口而電連接到所述傳導(dǎo)墊；
第二再分布層，其包括在所述第一傳導(dǎo)層上的第二傳導(dǎo)層；和
在所述第二傳導(dǎo)層上的抗氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二傳導(dǎo)層覆蓋全部的所述第一傳導(dǎo)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其包括在所述抗氧化層上且包括第二介電層開口的第二介電層，所述第二介電層開口從所述第一介電層開口側(cè)向移位，且所述第二傳導(dǎo)層的一部分通過所述第二介電層開口而暴露。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述抗氧化層覆蓋全部的所述第二傳導(dǎo)層，然排除所述第二傳導(dǎo)層的通過所述第二介電層開口而暴露的所述部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其包括在所述第二傳導(dǎo)層上且延伸穿過所述第二介電層開口的傳導(dǎo)性球。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述抗氧化層覆蓋全部的所述第二傳導(dǎo)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述抗氧化層包括金(Au)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其包括在所述抗氧化層上的第二介電層且包括第二介電層開口，所述第二介電層開口從所述第一介電層開口側(cè)向移位，且所述抗氧化層的一部分通過所述第二介電層開口而暴露。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一傳導(dǎo)層包括銅(Cu)，且所述第二傳導(dǎo)層包括：錫(Sn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈦鎢合金(TiW)、鋁(Al)和/或鉻(Cr)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述第二傳導(dǎo)層與所述第一傳導(dǎo)層之間的界面處形成金屬間化合物。
11.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：
提供半導(dǎo)體裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的傳導(dǎo)墊；
形成第一介電層(DL)，其在所述第一裸片表面上且包括第一介電層開口，所述傳導(dǎo)墊通過所述第一介電層開口而暴露；
形成第一再分布層，其包括在所述第一介電層上且在所述第一介電層開口中的第一傳導(dǎo)層，其中所述第一傳導(dǎo)層通過所述第一介電層開口而電連接到所述傳導(dǎo)墊；和
形成第二再分布層，其包括在所述第一傳導(dǎo)層上的第二傳導(dǎo)層，其中抗氧化層在所述第二傳導(dǎo)層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其包括在所述第二傳導(dǎo)層上形成所述抗氧化層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二傳導(dǎo)層覆蓋全部的所述第一傳導(dǎo)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其包括在所述抗氧化層上形成第二介電層，其中所述第二介電層包括第二介電層開口，所述第二介電層開口從所述第一介電層開口側(cè)向移位，且所述第二傳導(dǎo)層的一部分通過所述第二介電層開口而暴露。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其包括形成在所述第二傳導(dǎo)層上且延伸穿過所述第二介電層開口的傳導(dǎo)性球。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述抗氧化層覆蓋全部的所述第二傳導(dǎo)層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述抗氧化層包括金(Au)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其包括在所述抗氧化層上形成第二介電層，其中所述第二介電層包括第二介電層開口，所述第二介電層開口從所述第一介電層開口側(cè)向移位且所述抗氧化層的一部分通過所述第二介電層開口而暴露。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)層包括銅(Cu)，且所述第二傳導(dǎo)層包括：錫(Sn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈦鎢合金(TiW)、鋁(Al)和/或鉻(Cr)。
20.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述半導(dǎo)體裝置包含半導(dǎo)體裸片，所述半導(dǎo)體裸片包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的傳導(dǎo)墊，所述方法包括：
形成第一再分布層，所述第一再分布層包括在所述第一裸片表面上且電連接到所述傳導(dǎo)墊的第一傳導(dǎo)層，其中所述第一傳導(dǎo)層包括銅(Cu)；和
形成第二再分布層，所述第二再分布層包括直接在所述第一傳導(dǎo)層上且完全覆蓋所述第一傳導(dǎo)層的第二傳導(dǎo)層，其中所述第二傳導(dǎo)層包括：錫(Sn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈦鎢合金(TiW)、鋁(Al)和/或鉻(Cr)，且其中抗氧化層在所述第二傳導(dǎo)層上。