技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于制造高電阻率絕緣體上半導(dǎo)體襯底的方法，該方法包括以下步驟：a)在高電阻率襯底1上方形成介電層2和半導(dǎo)體層3，使得介電層2被設(shè)置在高電阻率襯底1與半導(dǎo)體層3之間；b)在半導(dǎo)體層3上方形成硬掩膜或抗蝕劑4，其中，硬掩膜或抗蝕劑4在預(yù)定位置處具有至少一個(gè)開口5；c)通過硬掩膜或抗蝕劑4的所述至少一個(gè)開口5、半導(dǎo)體層3和介電層2經(jīng)由雜質(zhì)元素的離子注入在高電阻率襯底1中形成至少一個(gè)摻雜區(qū)域7；d)去除硬掩膜或抗蝕劑4；以及e)在半導(dǎo)體層3中和/或半導(dǎo)體層3上形成射頻RF電路，該射頻RF電路與高電阻率襯底1中的至少一個(gè)摻雜區(qū)域(7)至少部分交疊。

技術(shù)研發(fā)人員：比什-因·阮;弗雷德里克·阿利伯特;克里斯托夫·馬勒維爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：索泰克公司
文檔號(hào)碼：201610412569
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.14
技術(shù)公布日：2016.12.28