技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種功率半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中，所述功率半導(dǎo)體器件，包括：襯底、位于所述襯底上方的溝道層、位于所述溝道層上方的勢壘層以及位于所述勢壘層上方的源極、柵極和漏極，所述溝道層與所述勢壘層的界面處形成有二維電子氣，所述柵極位于所述源極與所述漏極之間，其特征在于，所述柵極與所述漏極之間的勢壘層內(nèi)形成有至少一個凹槽結(jié)終端結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)終端結(jié)構(gòu)從所述柵極靠近所述漏極一側(cè)的邊緣處向所述漏極方向延伸，所述凹槽結(jié)終端結(jié)構(gòu)的深度從所述柵極到所述漏極的方向逐漸減小。采用上述技術(shù)方案，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中功率半導(dǎo)體器件擊穿電壓較低的技術(shù)問題。

技術(shù)研發(fā)人員：吳傳佳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201610347542
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.24
技術(shù)公布日：2017.01.04