技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背襯底；形成于所述背襯底上的埋氧層；形成于所述埋氧層上的頂層硅；所述頂層硅包括分立設(shè)置的第一硅島及第二硅島；形成于所述第一硅島上的光發(fā)射器；形成于所述第二硅島中的光接收器。本發(fā)明的集成光耦合器件及其制造方法可以實現(xiàn)光發(fā)射器與光接收器集成于同一絕緣襯底上，減少了器件在封裝中的接合線，降低了噪聲信號。同時，集成光耦合器件器件尺寸極小，甚至可用于芯片內(nèi)電學隔離，也免去了封裝的光學對準，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。

技術(shù)研發(fā)人員：陳龍
受保護的技術(shù)使用者：上海芯晨科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.28
技術(shù)公布日：2017.11.07