1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具備：
襯底；
第1電極，設(shè)置在所述襯底的上表面?zhèn)龋?/p>
第2電極，設(shè)置在所述襯底的下表面?zhèn)龋遗c所述第1電極電連接；
第1光阻劑層，以包圍所述第1電極的方式設(shè)置在所述襯底的所述上表面?zhèn)龋遗c所述第1電極隔開；以及
第2光阻劑層，設(shè)置在所述襯底的所述下表面?zhèn)取?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
所述第1電極的上表面的高度低于所述第1光阻劑層的上表面的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
所述第1光阻劑層具有包圍所述第1電極的外周的內(nèi)周，
所述第1電極的所述外周具有第1直徑，
所述第1光阻劑層的所述內(nèi)周具有大于所述第1直徑的第2直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
所述第2電極設(shè)置在所述襯底的所述下表面?zhèn)燃八鲆r底內(nèi)。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具備：
第1芯片；以及
第2芯片，設(shè)置在所述第1芯片上；且
所述第1及第2芯片各自具備：
襯底；
第1電極，設(shè)置在所述襯底的上表面?zhèn)龋?/p>
第2電極，設(shè)置在所述襯底的下表面?zhèn)?，且與所述第1電極電連接；
第1光阻劑層，以包圍所述第1電極的方式設(shè)置在所述襯底的所述上表面?zhèn)?，且與所述第1電極隔開；以及
第2光阻劑層，設(shè)置在所述襯底的所述下表面?zhèn)?；?/p>
所述第2芯片是以所述第2芯片的所述第2電極與所述第1芯片的所述第1電極相接的方式，設(shè)置在所述第1芯片上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
所述第2芯片是以所述第2芯片的所述第2光阻劑層與所述第1芯片的所述第1光阻劑層相接的方式，設(shè)置在所述第1芯片上。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包含：
在襯底的上表面?zhèn)刃纬傻?電極；
在所述襯底的所述上表面?zhèn)?，形成包圍所述?電極且與所述第1電極隔開的第1光阻劑層；
在所述襯底的下表面?zhèn)刃纬膳c所述第1電極電連接的第2電極；以及
在所述襯底的所述下表面?zhèn)刃纬傻?光阻劑層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：
還包含在所述襯底的所述下表面形成孔，
所述第2電極形成在所述襯底的所述下表面?zhèn)燃八鲆r底的所述孔內(nèi)。